Електроніка. – 2004. – №514
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету «Львівська політехніка»
У цьому пам’ятному номері Вісника, присвяченому 50-річчю від дня народження відомого українського вченого в галузі фізики і технології матеріалів електронної техніки, доктора фізико-математичних наук, професора, дійсного члена Академії технологічних наук України Андрія Орестовича Матковського (31.05.1954–10.02.2004), поміщено оглядові статті його учнів і співробітників, що підсумовують стан наукових досліджень у тих напрямках, в яких активно працював проф. А. О. Матковський, а також результати оригінальних досліджень, проведених в останні роки під його керівництвом. Тематика Вісника Національного університету «Львівська політехніка» «Електроніка» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути подані як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004. – № 514 : Електороніка / відповідальний редактор Д. Заячук. – 148 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Термічне розширення кристала La0.92 Sr0.08 Ga0.92Ti0.08О3(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.Методом порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного та рентгенівського випромінювання досліджено термічне розширення кристала La0.92Si0.08Ga0.92Ti0.08O3 (LSGT-8) в великому температурному діапазоні від 12 К до 1203 К. Встановлено, що при температурі Тс~ 303 К відбувається фазовий перехід першого роду з орторомбічної (Ор) структури (просторова група Pbnm, Z= 4) в ромбоедричу (Рд) (просторова група R-3c, Z= 6), який супроводжується зменшенням наведеного об’єму елементарної комірки (AV = -0.09 %). Уточнено параметри елементарних комірок та координати атомів низькотемпературної та високотемпературної фаз у цілому досліджуваному температурному інтервалі. Показано, що термічне розширення структури LSGT-8 має нелінійний та анізотропний характер. Проаналізовано температурні залежності міжатомних віддалей та параметрів деформації перовськітної структури. Thermal expansion of La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.0sO3 (LSGT-8) crystal has been investigated by means of in situ high resolution powder diffraction technique using synchrotron and X-ray radiation in a wide temperature range 12 K-1203 K. The first order phase transition from orthorhombic (space group Pbnm, Z= 4) to rhombohedral structure (space group R-3c, Z= 6) occur around the room temperature (7c = 303 K), which is accompanied with a decreasing of the cell volume (AV= -0.09 %). Lattice parameters and atomic coordinates of low- and high- temperature phases have been refined in the whole temperature range investigated. It was shown, that thermal expansion of LSGT-8 structure displays nonlinear and anysotropic behavior. Analysis of the temperature dependencies of the interatomic distances and perovskite structure deformation parameters has been performed.Item Термічне розширення орторомбічних перовськітів RGaO3 (R=La-Gd)(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Сенишин, А. Т.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.Методом статичної мінімізації енергії комірки, побудованої з парних взаємодій та на основі квазігармонійного наближення, реалізованого в програмному коді GULP, досліджені та передбачені діелектричні властивості, густина матеріалу р , модулі стиску К та зсуву G , температура Дебая 6D, теплоємність &, параметр Грюнайзена у та коефіцієнт термічного розширення а для перовськітів (R=La-Gd) включно з PmGaOj. З аналізу загальної фононної густини станів та її проекцій встановлено, що RGaOj (R=La, Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd) подібно до Ndo/jsSmiusGaOj та MgSiOj не є дебаївськими кристалами. Рідкісноземельний атом, галій та кисень домінують у різних частотних діапазонах фононного спектра. Зі зростанням атомного номера R3 діапазон домінування зміщується в низькочастотну область фононного спектра, що зумовлює спадання коефіцієнта термічного розширення в ряді LaGaOj - GdGaOj. Встановлено, що RGaOj (R=La-Gd) та їх тверді розчини з середнім іонним радіусом R3+ (КЧ=9 в шкалі Шеннона) меншим за ~1.177 А можуть бути синтезовані без двійникіа 3 іншого боку, для галатів РЗЕ з середнім іонним радіусом R3+, меншим за ~1.156 А, зростає ймовірність наявності інших фаз. The dielectric properties, the density of material р , the bulk К and shear G modules, the Debye temperature 6D, the heat capacity &, the Gruneisen parameter у and the thermal expansion coefficient a of RGaOj (R=La-Gd) incl. PmGaOj were investigated using the quasiharmonic lattice dynamics based on the free lattice energy minimisation constrained on derived pairwise interactions using the GULP code. By studying the total phonon density of states (DOS) and its projections onto atomic species it was concluded that RGaQ? (R=La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd) similarly to до Ndo.TsSmojsGaOj and MgSi03 cannot be considered as a good Debye-like solids. The rare earth, gallium and oxygen atoms dominate in different frequency regions of the phonon spectrum. With increasing of the R34" atomic number the R3+ contribution region to the total DOS has been shifted to the low-frequency part causes the decreasing of the thermal expansion coefficient in the series LaGaQ? - GdGaOj.lt was concluded that RGaOj (R=La-Gd) and its solid solutions with average R3+ ionic radii in Shannon’s 9-fold coordination number scale smaller ~1.177 A could be synthesized without micro-twins. But from other side, for compounds with average R34^ ionic radii smaller ~1.156 A the presence of the foreign phases is probably.Item Центри забарвлення в кристалах YAІ03(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Жидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.Наведені результати комплексного дослідження центрів забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськіту (YAlOj), яке містить встановлення взаємозв’язку ростового забарвлення кристалів з технологічними умовами їх одержання, дослідження радіаційно- і термоіндукованих змін оптичних властивостей як номінально чистих, так і легованих кристалів YAlOj, з метою розуміння природи ростового та індукованого забарвлення цих кристалів. The paper presents results of the complex study of color centers in yttrium-aluminum perovskite (YAlOj) crystals. The study includes an establishing of correlation between growth coloration of the crystals and technological parameters of crystal growth. It includes also investigation of changes of optical properties stimulated by radiation and temperature in pure and doped YAIO3 crystals with the purpose to understand nature of the growth and induced coloration of the crystals.Item Центри забарвлення в кристалах LiNbO3(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Жидачевський, Я. А.; Матковський, A. O.; Сугак, Д. Ю.Робота ілюструє результати дослідження радіаційно- і термоіндукованих змін оптичного поглинання кристалів ніобату літію (LiNbOj), як номінально чистих, так і легованих іонами рідкісноземельних елементів та додатково легованих іонами магнію, а також кристалів, легованих іонами перехідних елементів. The paper presents results of investigation of the changes of optical absorption stimulated by radiation and temperature in lithium niobate (LiNbOj) crystals both pure and doped with rare-earth elements and co-doped with magnesium as well as doped with transition elements.Item Двійникова структура кристалів La0.95 Sr0.05 Ga0.9 Mg0.1 O2.925(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Савицький, Д. І.; Матковський, А. О.Двійникова структура кристала La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O2.925 була досліджена методом Лауе в діапазоні температур 300-1000 К. У зразку виявлено характеристичне двійникування, яке зумовлює розщеплення брегівських рефлексів на лауеграмах. Рефлекси від усіх доменів були проіндексовані кожен зокрема. Характеристична двійникова структура в орторомбічній, як і в тригональній фазах кристала складається з чотирьох різних доменних станів. В обох фазах доменні стінки формують "стільникову" структуру з границями, паралельними до осі перовськітоподібної комірки, що дозволяє співіснування чотирьох доменних станів без напружень в обох сегнетоеластичних фазах. Температурне нагрівання через точку фазового переходу продемонструвало реверсивність цієї "стільникової" доменної структури. The investigation of twin structure in La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O2.925 perovskite-type crystal has been undertaken using the technique of white beam x-ray Laue diffraction in 300-1000 K temperature range. The sample show definite twinning which reflect in the Laue patterns as apparent splitting of the peaks. Reflections from the different domains were indexed separately. Investigations of the twin structure in orthorhombic as well as in trigonal phases revealed that the system is composed of four different domain states. In both phases domain walls form "honeycombed" structure with boundaries parallel to the axes of the perovskite-like cell. It hence allows for a stress-free intergrowth of four domain states in both ferroelastic phases. Temperature cycling through the orthorhombic - trigonal - orthorhombic phases demonstrated that the "honeycombed" domain structures occur in reversible manner.Item Моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, O. A.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.Розглянуті монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та іттербіем (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогою епітаксійно нарощеного шару Cr4+:YAG. Визначаються оптимальні з погляду досягнення максимальної енергії в лазерному ім¬пульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера (товщини абсорбера та кон¬центрації фототропних центрів Сг4+) та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала Об¬грунтована можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні як генеруючого середовища кристала Yb:YAG порівняно із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.Item Штарківські підрівні ІОНА Тm3+ в кристалах YALO3(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Савицькнй, Д.; Мартинюк, Н.; Матковський, А.; Жидачевський, Я.; Сугак, Д.; Качкан, М.; Маліновський, М.Досліджено спектроскопічні властивості кристалів YAlOj, легованих іонами Tm3+. Досліджено поляризовані спектри поглинання цих кристалів, а також спектр люмінесценції при збудженні мультиплету 'G4, що дозволило встановити енергетичні позиції та проаналізувати симетрію штарківських підрівнів мультиплетів 3F4, 3Н4, 3F3, 3F2, ^.і та !D2 іона тулію в кристалі YAlOj. Spectroscopic properties of Tm-doped YAP single crystals have been investigated. We have studied polarized absorption spectra of these crystals as well as luminescence spectrum at the excitation of G4 thulium manifold. This allowed us to find the energy positions and to analyze symmet YAIO3 crystals.Item Кристалічні структури та фазові перетворення в алюміната Х РЗЕ зі структурою перовськіту(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.Методами in situ низько- та високотемпературної порошкової дифракції високого розділення з використанням синхротронного випромінювання, монокристальної диф¬ракції та термічного аналізу досліджено кристалічні структури та фазові перетворення в алюмінатах рідкісноземельних елементів (РЗЕ) зі структурою перовськіту та деяких твердих розчинів на їх основі. При кімнатній температурі сполуки RA103 мають ромбоедричну, R-Зс (R = La, Pr, Nd), ромбічну, Pbnm (R = Sm -j- Lu, Y) та тетрагональну, 14/mcm (СеАЮз) структури. Серед досліджених алюмінатів РЗЕ спостерігається шість типів структурних фазових перетворень (ФП). Для перших членів ряду сполук RAlOj (R-La, Се, Pr, Nd) характерним є плавний перехід R-Зс - Рт-Зт, тоді як в алюмінатах Sm, Gd та Eu відбувається стрибкоподібний перехід першого роду Pbnm - R-3c. Температури обидвох цих переходів зростають лінійно із зменшенням радіуса катіона РЗЕ. Чотири інші ФП (R-Зс - Ітта, Ітта -14/піст, Ітта - І2/т{С2/т) та 12!т -14/піст) трапляються тільки в СеАЮз та РгАЮз, а також в твердих розчинах на їх основі. Побудовано узагальнену фазову діаграму алюмінатів РЗЕ зі структурою перовськіту. Crystal structures and phase transitions of the perovskite-like RAlOj aluminates and some solid solutions based on them have been investigated by means of/я situ high-resolution powder diffraction technique using synchrotron radiation, single crystal diffraction and thermal analysis. At room temperature the RAIO3 compounds display rhombohedral, R-3c (R=La, Pr, Nd), orthorhombic, Pbnm (R=Sm-j-Lu, Y) and tetragonal, 14lmcm (СеАЮз) structures. Six types of the phase transitions exist in the RAIO3 compounds. Second-order phase transition R-3c - Pm-3m is typical for the first members of RAIO3 compounds (R-La, Ce, Pr, Nd), and First-order transformation Pbnm - R-Зс is observed for SmA103, GdA103 and EuA103. The temperatures of these transitions increase linearly with the decreasing of R3 cation radii. Four other phase transitions: R-3c - Ітта, Imma - 14/mem, Imma -12/m(Cl/m) and 12/m-14/mem have been found only in СеАЮ3, РгАЮ3 and solid solutions based on them. The common phase diagram of the rare-earth aluminates with perovskite structure has bee constructed.Item Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Бурий, O. A.; Потера, П.; Матковський, А. О.Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.Item Епітаксійні гранатові структури для твердотільних лазерів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. М.; Матковський, А. О.; Мельник, С.С.; Сиворотка, І. І.Описані дослідження в галузі розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання як активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться групою Відділу фізики і технології монокристалічних матеріалів НВП “Карат” та Лабораторії фізики оксидних кристалів Центру “Кристал” Національного університету “Львівська політехніка” з 1997 p.. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають у технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також способи їх вирішення. Внаслідок досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробу¬вання яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.Item Життєвий і творчий шлях А. О. Матковського(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Сугак, Д. Ю.Андрій Орестович Матковський 31.05.1954 - 10.02.2004Item Зміст до Вісника "Електороніка" № 514(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004)Item Титульний аркуш до Вісника "Електороніка" № 514(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004)