Електроніка. – 2013. – №764
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2013. – № 764 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 160 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Модель поведінки програмно-апаратних електронних систем(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Озірковський, Л. Д.; Панський, Т. І.Запропоновано модель для оцінювання надійності програмно-апаратних електронних систем на етапі експлуатації. Вона враховує поведінку електронних систем у разі появи відмов і збоїв апаратних засобів та збоїв програмного забезпечення. In this paper a model for assessing the reliability of hardware-software electronic systems during their operation cycle is proposed. It takes into account the behaviour of electronic systems at the appearance of hardware faults and failures as well as software failures.Item Mагнітні властивості ансамблю наночастинок маґгеміту, покритих функціональною полімерною оболонкою(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Демченко, П.; Мітіна, Н.; Заіченко, A.; Неделько, Н.; Левінська, С.; Славська-Ванєвська, А.; Длужевський, П.; Білська, M.; Убізський, C.Магнітні наночастинки маґгеміту (γ-Fe2O3) були синтезовані з використанням поверхнево-активних поліфункціональних олігопероксидів як нанореакторів для отримання ядер з подальшою їх полімеризацією. Для дослідження отриманих наночастинок типу магнітне ядро – полімерна оболонка використовували методи рентгенівської дифракції, просвічуючої електронної мікроскопії та вимірювання температурних і польових залежностей намагніченості. Визначено, що магнітне ядро наночастинок складається з кристалічного маґгеміту сфероподібної форми з середнім діаметром близько 10 нм. Отримані наночастинки проявляють суперпарамагнітні властивості за кімнатної температури. При охолодженні їхній напрямок намагніченості блокується за температури 170 К. Частинки повністю покриті функціональною полімерною оболонкою, що запобігає їхній агрегатизації та дає змогу використовувати їх у біомедичних технологіях. Magnetic nanoparticles of maghemite γ-Fe2O3 were synthesized via template synthesis in the presence of functional oligoperoxide surfactants and further graft-polymerization initiated from their surface. X-ray diffraction, transmission electron microscopy and measurement of temperature and field dependences of magnetization were used to characterize the obtained core-shell nanoparticles. It was found that magnetic core of nanoparticles consists of crystalline maghemite phase of spherical shape with avarage diameter about 10 nm. The obtained particles are superparamagnetic at room temperature. During cooling their magnetisation direction is blocked at temperature 170 K. The particle are fully enveloped by functional polymer shell that prevents their agreagation and allows application themin biomedical technologies.Item Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Фадєєв, С. В.; Берченко, М. М.За допомогою методу фазових рівноваг побудовано діаграми фазових рівноваг оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe за кімнатної температури та температури 673 К. Оцінено хімічний склад границі розділу напівпровідник – власний оксид за цих температур. Методом рентгенівської дифракції досліджено динаміку процесу утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину. Встановлено, що основною сполукою, що утворюється на початкових етапах термічного оксидування Pb1-xSnxTe, є орторомбічний дилід трителурат – Pb2Te3O8 . To clarify the behaviour of thermally oxidized Pb1-xSnxTe the phase equilibrium diagram was calculated taking into account the change of the standard Gibbs energies of formation with the temperature up to 673 K.The X-ray diffractometry (XRD) studies of thermally oxidized Pb1-xSnxTe are summarised. It was established that the main compound formed at the initial stages of thermal oxidation Pb1-xSnxTe is the orthorhombic dilead tritellurate – Pb2Te3O8.Item Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Герман, І. І.; Махній, В. П.; Черних, О. І.Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.Item Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.Item Збудження об’ємних акустичних хвиль зустрічно-штирковим перетворювачем у кристалах(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Винник, Д. М.; Решотка, О. Г.; Сугак, Д. Ю.; Ваків, М. М.Розглянуто теорію збудження зустрічно-штирковим перетворювачем (ЗШП) об’ємних акустичних хвиль з поверхні п’єзоелектричних кристалів . Одержані в явному вигляді вирази для величини зміщень і деформацій в об’ємних акустичних хвилях. З одержаних виразів випливає, що ЗШП можна розглядати як лінійну акустичну антену. З аналізу умов збудження об’ємних акустичних хвиль слідує, що у процесі збудження цих хвиль за допомогою ЗШП на високих частотах можуть виникати одночасно як об’ємні хвилі, що поширюються в глибину кристала, так і об’ємні хвилі (гармоніки), що розповсюджуються паралельно до поверхні кристала, а також поверхневі акустичні хвилі (гармоніки). Це слід враховувати під час конструювання таких пристроїв, які працюють на об’ємних акустичних хвилях. The paper presents the theory of excitation of interdigital transducer bulk acoustic waves from the surface of the piezoelectric crystal. The results obtained in explicit expressions for the displacements and strains in the excited bulk acoustic waves. From these expressions, it follows that the IDT can be regarded as a linear acoustic antenna. From the analysis of the excitation conditions of bulk acoustic wave is determined that the excitation of these waves by IDT at high frequencies can occur at the same time as bulk waves that propagate inside the crystal, as well as body waves (harmonics) that extend parallel to the surface of the crystal, as well as surface acoustic wave (harmonic). This fact should be taken into account in the design of devices, which run on bulk acoustic wave.Item Процеси перезарядження йонів Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під час високотемпературних відпалів(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Мартинюк, Н. В.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. І.У роботі подано результати вивчення процесів перезарядження йонів Yb3+ ↔ Yb2+ в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12 під впливом високотемпературних відпалів. Експериментально одержано кінетики окиснення та відновлення, встановлено якісні відмінності у перебігу процесів окиснення Yb2+ ® Yb3+ в епітаксійних плівках та об'ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зроблено аналіз причин цих відмінностей. Виявлено істотний вплив структури приповерхневого шару зразка нашвидкість процесу окиснення. In this communication we report the results of our study of the Yb3+ ↔ Yb2+ recharge processes in Yb:Y3Al5O12 epitaxial films under high temperature annealing. Oxidation and reduction kinetics have been experimentally obtained. It was revealed that recharge process Yb2+ ® Yb3+ differs in films from that in bulk crystals, and reasons of such distinction have been analyzed. Influence of sample surface structure on the rate of oxidation process was found to be significant.Item Вплив розчинених газів на люмінесценцію води(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Бордун, І. М.; Пташник, В. В.Досліджено люмінесценцію дистильованої води з різним вмістом газів та хімічно активних радикалів. Встановлено, що люмінесценція зумовлена низкою процесів: випромінюванням електронно-збудженого радикалу ОН●, продуктів реакції іонів та радикалів з синглетним киснем O2(a1Δg), випромінюванням димера з молекул O2(a1Δg), дезактивацією коливально-збудженої Н2О, неконтрольованими органічними домішками. Зростання вмісту газів збільшує інтенсивність люмінесценції води. Імовірною причиною цього є специфічні властивості межі розділу фаз вода-газова суміш. The luminescence of distilled water with different content of gases and chemically active radicals was investigated. Its was established that luminescence is caused by several processes: radiation of electron-excited radical ОН●, reaction products of ions and radicals from singlet oxygen O2(a1Δg), emission from the dimer molecules O2(a1Δg), deactivation vibrationallyexcited Н2О, uncontrollable organic impurities. Increase in gas content increases the luminescence intensity of water. The probable reason for this is the specific properties of the interfacial water-gas mixture.Item Aналіз ефективності придушення електромагнітних завад у холлівських сенсорних пристроях(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Ільканич, В. Ю.; Марусенкова, Т. А.Розглянута проблема впливу електромагнітної завади на відтворюваність вимірювання сигналу в холлівських сенсорних пристроях. Спосіб компенсації електромагнітної завади забезпечується двотактним вимірюванням сигналу при протилежних напрямах імпульсів струму живлення холлівських сенсорів. Встановлена залежність ефективності двотактного режиму роботи від затримки між суміжними вимірюваннями. Експериментальними дослідженнями показано, що за наявності електромагнітної завади використання двотактного режиму забезпечує підвищення відтворюваності вимірювання в 6–8 разів. The work gives an analysis of electromagnetic noise influence on signal repeatability in Hall sensor devices. The electromagnetic noise compensation is based on signal two tact mode measurements at reverse direction of Hall sensor supply current. The functional dependence of two tact mode efficiency on time delay between serial measurements is described. It was experimentally shown that two tact mode of electromagnetic noise compensation provides an efficiency improving by 6..8 times.Item Кінетичні властивості напівпровідникових кристалів з ізотропними законами дисперсії(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Буджак, Я. С.Показано, що важливі кінетичні властивості провідних кристалів спричинені умовами дрейфу носіїв зарядів міжвузлями кристалічної ґратки. In this paper it is shown that the important kinetic properties of the conducting crystals are determined by the conditions of the charge carriers drift throw the interstitials of the crystal lattice.Item Енергія електронів у наноструктурi Zn0,9Be0,05Mn0,05Se–Zn0,943Be0,057Se–ZnSe– Zn0,943Be0,057Se у магнітному полі(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Товстюк, К. К.; Заваринський, В. І.; Мантошко, М. С.; Зеленку, М. І.Досліджено зміну енергії носіїв струму у наногетероструктурі, що містить шар, легований Mn внаслідок прикладеного магнітного поля. Обчислення проведено для різних стуктур, створених експериментально. Отримані залежності якісно узгоджуються із експериментальними даними з дослідження спектрів люмінесценції, в яких спостерігається: спадання енергії рівня із зростанням магнітного поля, немонотонні залежності енергії від поля та області незалежності енергії від поля у слабких полях. The change of current carriers in nanoheterostructures that contains Mn doped layer as a result of the applied magnetic field has been researched. Calculation of a variety of structures established experimentally has been performed. The received dependences qualitatively coordinates with the experimental data with the research of luminescence spectra, where decreasing the energy of level with increasing of magnetic field, the nonmonotonic dependence of the energy from the field and energy independence area from the field in the weak fields has been observed.Item Eлектричні характеристики ниткоподібних кристалів кремнію в околі переходу метал-діелектрик(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.Досліджено люмінесценцію дистильованої води з різним вмістом газів та хімічно активних радикалів. Встановлено, що люмінесценція зумовлена низкою процесів: випромінюванням електронно-збудженого радикалу ОН●, продуктів реакції іонів та радикалів з синглетним киснем O2(a1Δg), випромінюванням димера з молекул O2(a1Δg), дезактивацією коливально-збудженої Н2О, неконтрольованими органічними домішками. Зростання вмісту газів збільшує інтенсивність люмінесценції води. Імовірною причиною цього є специфічні властивості межі розділу фаз вода-газова суміш. The luminescence of distilled water with different content of gases and chemically active radicals was investigated. Its was established that luminescence is caused by several processes: radiation of electron-excited radical ОН●, reaction products of ions and radicals from singlet oxygen O2(a1Δg), emission from the dimer molecules O2(a1Δg), deactivation vibrationallyexcited Н2О, uncontrollable organic impurities. Increase in gas content increases the luminescence intensity of water. The probable reason for this is the specific properties of the interfacial water-gas mixture.Item Вплив технологічних параметрів гідротермального методу на формування стрижневих наноструктур ZnO(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Орлов, А. Т.; Ульянова, В. О.; Богдан, О. В.Сформовано стрижневі наноструктури оксиду цинку гідротермальним методом на підкладках кремнію та ніобату літію при різних концентраціях розчинів. Встановлено, що з підвищенням концентрації розчину збільшується щільність розміщення та вертикальність таких структур. Отримані результати спрощують вибір технологічних параметрів синтезу стрижневих наноструктур ZnO потрібної геометрії для використання у якості чутливих елементів хімічних сенсорів на акустичних хвилях. Zinc oxide nanorods structures were formed on the silicon and lithium niobate substrates by hydrothermal method at different solution concentrations. It was ascertained, that the density and verticality of such structures have enhanced with increasing of the solution concentration. The obtained results simplify the selection of the desirable geometry ZnO nanostructures growing process parameters for application as the sensing element of acoustic wave sensors.Item Mікропроцесорна система для біосенсорного визначення формальдегіду(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Вус, Б. С.Розроблено мікропроцесорну систему для амперометричного біосенсорного визначення формальдегіду. Вона має зручний інтерфейс користувача. Етапи експериментальних операцій управляються і контролюються в інтерактивному режимі. Мікропроцесорна програма створює візуальні і звукові інструкції, щоб уникнути неправильних дій під час експериментів. Систему можна адаптовувати для визначення інших реагентів. Одержані наукові та технічні результати можуть бути використані для розроблення комерційних серійних біосенсорних аналізаторів. A microcomputer-based system with amperometric biosensor for measurement of formaldehyde was developed. It has a user friendly interface. The interface provides visual and audible feedback so improper actions by the operator can be avoided. Operator can interactively control experimental phases. The system can be extended for measurement of other reagents. The scientific and technical output from the research could be used for development of commercially produced biosensor analysis systems.Item Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.Item Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.Item Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.Item Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.Item Зміст до Вісника "Електроніка"(Видавництво Львівської політехніки, 2013)Item Розчинність Cr у катіонній підгратці Ge1-xCrxTe та Ge1-x-yCrxEuyTe(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Слинько, Є. І.; Слинько, В. Є.; Добровольський, В.; Кіланський, Л.; Домуховський, В.На основі даних рентгенівської дифрактометрії, рентгенівського флуоресцентного аналізу, гальваномагнітних і магнітних вимірів встановлено, що при зростанні молярного вмісту хрому в Ge1-xCrxTe та Ge1-x-yCrxEuyTe заповнення кристалічної ґратки відбувається поетапно. Ці етапи ми пов’язуємо з трьома основними положеннями, які можуть займати домішки із змінною валентністю в ідеальній кристалічній гратці типу NaCl. Межа розчинності Cr в катіонній підгратці становить ~0,025 молярних долей, що приблизно відповідає межі між міктомагнетичною і феромагнітною фазами Ge1-xCrxTe. Ми припускаємо, що структура, розмір і властивості нанокластерів конденсованих магнітних напівпровідників, типових для розбавлених магнітних напівпровідників, повинні змінюватись при зміні вмісту магнітної домішки. Based on data of X-ray diffraction, X-ray fluorescence analysis, galvanomagnetic and magnetic measurements, we have found that crystal lattice of Ge1-xCrxTe and Ge1-x-yCrxEuyTe is filled with chromium in several different stages by increasing of its molar content. These stages we associate with three basic positions which impurities with variable valence can occupy in ideal NaCl-type crystal lattice. The limit of solubility of Cr in the cation sublattice is about 0.025 mole fractions which roughly corresponds to the border between mixed magnetic and ferromagnetic phases of Ge1-xCrxTe. We assume that structure, size and properties of nanoclusters of condensed magnetic semiconductors (typical for diluted magnetic semiconductors) should change together with variation of the magnetic impurity content.