Електроніка. – 2000. – №401
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000. – № 401 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 127 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Можливості однопроменевої та відеополяриметрії кристалів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Шопа, Я. І.; Серкіз, Р. Я.; Боднар, М. І.Розглядаються принципи реалізації високоточних поляриметричних методик вимірювання основних параметрів природної та індукованої оптичної анізотропії кристалів. Враховано систематичні похибки. Для визначення просторового розподілу параметрів оптичної анізотропії використано ідеополяриметр. The principles for high-accuracy polarimetric methods of measuring the main parameters of natural and induced optical anisotropy of crystals are considered. Systematic errors are taken into account. The image-polarimetry have been used for the measurements of spatial distribution of the optical anisotropy parameters characterizing several single crystals.Item Розробка алгоритмичної бази для мікроелектронних систем аналізу біоелектричних сигналів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.Описано принципи структурної організації та методи розробки алгоритмічної бази автоматизованих систем для визначення амплітудних, часових та спектральних характеристик біоелектричних (ЕКГ, РЕГ,ЕЕГ) сигналів. Наведено результати моделювання розроблених алгоритмів у середовищі ППП MATHCAD. The principles of structure organization an algorithmic base of automatised systems for measurements of amplitude time and spectral parameters of bioelectric signals (ICG, RIG, IIG) are considerated in this paper. The results of algorithm modelling in MathCAD Software are presented.Item Вимірювання енергетичного і квантового виходів фотолюмінесценції дрібнозернистих люмінофорів й екранів електронно-променевих приладів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гнип, Р. Г.; Пашук, І. П.; Підзирайло, М. С.; Стефанський, І. В.Наведено результати вимірювань абсолютного квантового (пк) і енергетичного (пе) виходів фотолюмінесценції дрібнозернистих люмінофорів і люмінесцентних екранів електронно-променевих приладів. Максимальним значенням величини Пкд характеризуються люмінофори [(Mg,Sr)-(PO4)2]:Sn (пкд=0,92...0,96), мінімальним - 2BaO*TiO2,P2O5 (Пкд=0,80...0,85). Для всіх люмінофорів термообробка приводить до зростання величини Пкд. Для катодолюмінесцентних екранів величина пек істотно залежить від величини зерна і компонентного складу люмінофора. Results on the measurements of absolute quantum (пк) and energy (пе) yields of photoluminescence of fine-grained phosphors and phosphor screens of electron-ray devices are reported. The [(Mg,Sr)-(PO4)2]:Sn phosphors are characterized by maximum value of Пвд (Пкд=0,92...0,96), and 2BaO-TiO2-P2O5 phosphors are characterized by minimum value of Пкд (Пкд=0,80...0,85). Thermal treatment leads to the increase of the Пкд value for all phosphors. Value пек strongly depends on grain size and phosphor chemical composition for cathodoluminescence screens.Item Магнітні поля на ядрах Sn119 у твердих розчинах TiCo2.xSn (x=0,0...1,0)(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.Item Особливості магнітної сприйнятливості намагніченості пластично деформованих монокристалів кремнію і германію(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Цмоць, В. М.; Штим, В. С.; Янішевський, В. С.; Павловський, Ю. В.Обговорюється природа і тип магнітного впорядкування в пластично деформованих монокристалах Si та Ge. Запропоновано інтерпретацію цього явища в рамках моделі про феромагнітне упорядкування обміннозв’язаних спінів на дислокаційних структурах. Виділено феромагнітну складову намагніченості, проаналізовані її польові та температурні залежності. Одержано задовільну збіжність експериментально одержаних значень температури Кюрі TC фазового переходу пластично деформованих монокристалів Si з феромагнітного стану в парамагнітний із значенням TC , розрахованим на основі дислокаційної моделі феро¬магнетизму в немагнітних кристалах. Nature and type of magnetic ordering in plastically deformed Si and Ge monocrystals are clarified. The interpretation of this phenomena was proposed according to ferromagnetic ordering model of the exchange-coupled spins on dislocation structures. The ferromagnetic component of magnetization was separated. The analysis of magnetization field and temperature dependencies was carried out. A satisfactory agreement between the experimental results of Curie temperature investigations (TC ) of plastically deformed Si monocrystals phase transition ferromagnetic state ^ paramagnetic state with TC value calculated on the base of dislocation model of non-magnetic crystals ferromagnetism was obtained.Item Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.Методом ЕПР в температурному інтервалі 80-300 К досліджено поведінку домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів Pbi-xSnxTe:Gd (0Item Енергія зв’язку екситона в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.Item Термо- і фотостимульовані перетворення центрів забарвлення у кристалах SrCl2-Ме+(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Щур, Г. О.; Кульчицький, А. Д.; Салапак, В. М.Досліджено оптичні індуковані перетворення МА+-центрів у F^-центри. Показано, що перетворення відбуваються внаслідок фотодисоціації МА+-центра (№+)А ——^ FА + Va+ = FА(1)[l00]). Новоутворений центр є FА-центром, у другій ко¬ординаційній сфері якого в напрямку [100] стосовно F-центра розташована аніонна вакансія. Термоасоціація дефектів, що входять до складу FА(1)[100]-центра ^А + Va+ ^ №+)а) відбувається внаслідок перескоку аніонної вакансії з другої в першу координаційну сферу FА-центра. The optical induced convertations of MA+-centres to FA-centres have been researched. It is shown that convertations take place because of a photo dissociation of MA+-centre ((F2+)А ———^ FА + Va+ = FJi(1)[100]). A newly emerged centre is FA-centre with anion vacancy that is placed in a second co-ordinating sphere in [100] direction relatively to the F-centre. A thermoassociation of defects that are the parts of F^)^]- centre ^А + Va+ ^ №+)а) occures because of a jump of an anion vacancy to the first co-ordinating sphere from the second.Item Структура та динаміка ґратки твердих розчинів In XTl 1-х I(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Франів, А. В.; Пелещишин, Р. В.; Тернавська, С. В.; Франів, О. В.Наведено експериментальні результати досліджень фізичних властивостей вперше вирощених твердих розчинів заміщення InxTl1-xI в області 0,2Item Хемосорбція воднеподібних атомів на кристалічних поверхнях напівпровідників та діелектриків(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Рудавський, Ю. К.; Понеділок, Г. В.; Петрів, Ю. І.Розглядається квантово-статистична задача хемосорбції атома з воднеподібною електронною структурою на кристалічних поверхнях напівпровідників та діелектриків. Поверхневі стани описуються наближенням сильного зв'язку. В наближенні Хартрі-Фока отримано самоузгоджену систему рівнянь для розрахунку величини зарядового та спін-поляризованого станів адсорбованого атома. Quntum-statistic problem of atom chemisorption with hydrogen-like electronic structure on semiconductor and dielectric crystalline surfaces is considered. The superficial states described in strong coupling approximation. The self-consistent system of equations for calculation of charge and spin-polarized states of adsorbed atom in Hartree-Fock approximation is derived.Item Кристалічна структура твердих розчинів LA1.xSMxGAO3(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Василечко, Л. О.; Редько, Н. А.; Савицький, Д. І.; Фадєєв, С. В.Методом рентгенівської порошкової дифракції досліджено кристалічну структуру твердого розчину La1.xSmxGaO3 (0<х<0.7): структурний тип GdFeO3, просторова група Pbnm, Z=4, a =5.52278(7)-5.4240(2)А, b =5.49080(7)-5.5038(2)А, с =7.7719(1)-7.7036(4)А. Виявлено, що характерною особливістю дослідженої системи є існування чотирьох областей твердих розчинів з різним співвідношенням періодів комірок та Lao.747Smo.2s3GaO3 із псевдотетрагональною (розмірно тетра¬гональною) структурою. Показано, що заміщення лантану самарієм веде до зменшення об’єму елементарної комірки твердого розчину та до зростання деформації перовськитоподібної структури. The crystal structure of solid solution La1-xSmxGaO3 with (0Item Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 ТА InAs-Sn-J2(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Большакова, І. А.; Воронін, В. О.; Копцев, П. С.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.Комп'ютерним моделюванням досліджено рівноважний склад газової фази систем InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 в температурному діапазоні 650^1200 K. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонент газової фази. Встановлено вплив домішки олова на рівноважний склад газової фази. Equilibrium composition of InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 system gas phases was investigated by means of computer modeling within the temperature range of 650^1200 K. Quantitative calculation was carried out of the partial pressures of gas phase components. Tin doping influence upon equilibrium composition of gas phase was defined.Item Розділення газових сумішей при закрученні іонізованого потоку в перехресних електричному і магнітному полях(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Чигінь, В. І.; Вакарин, Е. В.; Скульський, М. Ю.Здійснено теоретичні оцінки основних параметрів закручення іонізованого газового потоку в перехресних електричному і магнітному полях та ефективності розділення його компонент із відмінними атомними масами завдяки відцентровій силі. Показано, що, прикладаючи напругу U 1000..10000 В між центральним електродом-дротом (діаметр 0,01 м) і циліндром (діаметр 0,1 м) та аксіального магнітного поля H 0.05..1 T при ступені іонізованості yгазової суміші 10 ..10 , у камері завдовжки 0,1 м можна досягнути обертової швидкості газу десятки-сотні м/с і ступеня розділення R водню і пари сірки десятки-тисячі одиниць. Значення R експоненційно зростає із ростом U, H, у і молекулярної маси сірки модифікацій S1.S8. Експериментально перевірена принципова можливість використання нового типу низьковольтних іонізаторів для підвищення ступеня іонізованості газового потоку. The estimations of the main parameters of ionised gas flow rotation in crossed electric and magnetic fields and also the separating efficiency of gas components with different atomic masses have been theoretically carried out. It is shown that using the voltage U of 1000..10000 V between the central electrode-wire (diameter of 0,01 m) and the cylinder (diameter of 0,1 m) and the axial magnetic field H of 0.05..1 T at the gas ionizing level of 10'7..10'5 one can attain the gas rotation velocity of tens-hundreds m/s and the coefficient R of separating of the hydrogen and sulphur vapour of tens- hundreds units in the chamber with length of 0,1 m. The value R increases exponetially as U, H, yand sulphur molecular mass (S1.. S8) rise. It was checked experimentally the principal possibility of using the new type low energy ionizators to increase the gas flow ionicity.Item Багатошарові об’ємні голограми та їх властивості(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Фітьо, В. М.Розглянуто дифракцію світла на багатошарових об’ємних голограмах методом зв’язаних хвиль. Показано, що в залежності дифракційної ефективності таких голограм від кута падіння пучка на голограму чи від довжини падаючої хвилі спостерігаються осциляції, період яких визначається віддалю між окремими голограмами. Light diffraction on multi-layered volume holograms by coupled modes method is considered. In dependence of diffraction efficiency of such holograms on angle of incident of beam on hologram or on wave length of incident wave, oscillations are observed. Period of such oscillations is stipulated by distance between separate holograms.Item Оптичні характеристики випромінювача з дискретно керованою довжиною випромінювального тіла для фотостимуляційної квантової терапії(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Кожухар, О. Т.; Чучман, І. Р.Одержано експериментальні залежності поздовжнього розподілу опроміненості Е та верхніх граничних частот Fв оптично променевого випромінювача (В) з дискретно керованою довжиною випромінювального тіла (ВТ). Такі В призначені для створення нового типу лікувально-діагностичного фотостимуляційного пульсуючого оптичного випромінювання (ОВ) з періодичною (або програмованою) зміною поздовжнього розподілу Е. Для В з типовим еліпсоїдним відбивачем визначені межі деформацій розподілу ОВ та найбільшу допустиму відстань між ВТ надмініатюрних джерел теплового ОВ, які складають повне ВТ. Показано, що Fв для таких В порядку10 Гц і зростає майже у 4 рази при збільшенні струму ВТ на 30%. The experimental dependences of longitudionaly irradiancy E distribution and height limited frequences Fh of the optical radiator (R) with discrete control lenght of radiated body (RB) are obtained. That R intend for creating of new type treatment- diagnostics photostimulated optical radiation (OR) with periodical (or programmical) change of longitudionaly E distribution. The boundaryes of OR distribution deformations and most limited distance between RB of the superminiature heat OR sources, wich are compilated of full RB, are determined for R with typed elliptic reflector. It is shown that Fh for these R increase in order approximately in 4 times with increasing of RB currient on 30%.Item Автоматизована система для дослідження оптичних та електричних властивостей сегнетоелектричних кристалів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Злобін, Г. Г.; Карбовник, І. Д.; Андрієвський, Б. В.Виготовлено електронний блок спряження фотоприймача, термопари та персонального IBM-сумісного комп'ютера і досліджено його експлуатаційні характеристики на прикладі прецизійних вимірювань температурної залежності інтерференційної оптичної різниці ходу 5D/D(T сегнетоелектричного кристала тригліцинсульфату (ТГС) в області 20 - 75 °С. З'ясовано, що температурна залежність 5D/D(T) в області 40-50°C сегнетоелектричної фази кристала може бути задовільно описана лише з урахуванням квадратичного члена. На підставі цього стверджується, що відповідні коефіцієнти спонтанної електрострикції та квадратичного електрооптичного ефекту залежать від температури. The electronic part for the photodetector and thermocouple connection with IBM compatible computer has been fabricated and it’s functional parameters have been studied for the instance of a precise mesurement of the temperature dependence of interference optical path difference 8D/D(T) for the ferroelectric triglicine sulphate crystal (TGS) in the range of 20-75 °С. It is found that the temperature dependences of 5D/D(T) in the range of ferroelectric phase 40-50°C of the crystal can be described sutisfactorily taking into account a quadratic term only. This means that the corresponding coefficients of spontaneous electrostricsion and quadratic electrooptic effect are dependent on temperature.Item Високотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремнію(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Дружинін, А. О.; Кутраков, О. П.; Лавитська, О. М.; Мар’ямова, І. Й.Наведено результати комплексу робіт із створення п’єзорезистивного сенсора тиску, працездатного в умовах підвищених та високих температур. Елементною базою сенсора стали мікрокристали кремнію, а в основу конструкції покладено універсальний тензомодуль з пружно-чутливим елементом балочного типу і круглою мембраною. Наведено вихідні характеристики розробленого сенсора тиску. Results of the complex works on the piezoresistive pressure sensor development for operation at elevated and high temperatures are presented. The material basis for this sensor is silicon microcrystals while the sensor's design is based on the universal strain unit with a cantilever strain-sensitive element and a circular membrane. Output performance of the developed sensor is presented.Item Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.Item Дослідження росту ниткоподібних кристалів PbTe(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Островський, І. П.; Варшава, С. С.Досліджено особливості зростання ниткоподібних кристалів (НК) PbTe методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій йодидній системі. Вивчено вплив температури кристалізації на морфологію, кінетичні коефіцієнти кристалізації та електрофізичні властивості НК. Виявлені розмірні ефекти, зокрема залежність параметра ґратки та питомого опору від діаметра НК. Growth of PbTe whiskers by chemical transport reaction (CTR) method in closed jodide system was investigated. An influence of growth temperature on morphology, growth kinetics, and electrical properties of the whiskers was studied. Some size effects such as a dependence of lattice constant and specific resistance of the whiskers on their diameters were observed.Item Радіаційно-стимульоване впорядкування гетеросистем GаAs-AlGaAs, легованих ітербієм(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Круковський, С. І.Методом низькотемпературної ФЛ (4,2 К) досліджені гетероструктури s.i.GaAs-s.i.AlxGal-xАs-nGaAs:Te з епітаксійними шарами nGaAs:Te, легованими та нелегованими ітербієм. Зразки опромінювались у-квантами 60 Со дозами 106 рад. Встановлено, що значне зменшення напівширини екситонної смуги у крайових спектрах ФЛ епітаксійних шарів nGaAs:Te:Yb зумовлено гетеруванням фонових домішок як на гетерограницях s.i.AlxGa1-xAs-nGaAs, так і на деформованих ділянках в обємі епітаксійних шарів. Утворення цих ділянок зумовлено різними ковалентними радіусами атомів Yb та атомів матриці GaAs. Максимальний ефект радіаційно-стимульованого гетерування домішок в епітаксійних шарах nGaAs досягається при концентрації Yb в розчині-розплаві галію рівній 10" ат.%. The heterostructures of s.i.GaAs-s.i.AlxGa1-xАs-nGaAs:Te with epitaxial layers of nGaAs:Te both pure and doped with Yb has been investigated by method of the low temperature photoluminescence. The samples were exposed to у-quanta 60Co by the doses of 106 Rad. Investigations of irradiated samples by mean of low-temperature photoluminescence (4,2K) have shown that a considerable decrease of exciton halfwidth in the boundary spectra, of nGaAs:Te:Yb epitaxial layers in comparison with the nGaAs:Te layer spectra, is caused by the background impurity gettering which happens on the s.i.AlxGai-xAs-nGaAs heteroboundaries as well as on the deformed region in the epitaxial layer volume. Formation of such region is caused by the difference between covalent radiuses of Yb atoms and GaAs lattice atoms. Maximum effect radiation stimulated gettering of dopants in nGaAs epitaxial layers is observed at Yb concentration being equal to (10"2-10"4) atomic fractions in solution-melt.