Електроніка. – 2000. – №401

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/37269

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000. – № 401 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 127 с. : іл.

Browse

Filters

200024

Settings

Search Results

Now showing 1 - 10 of 24
  • Thumbnail Image
    Item
    Можливості однопроменевої та відеополяриметрії кристалів
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Шопа, Я. І.; Серкіз, Р. Я.; Боднар, М. І.
    Розглядаються принципи реалізації високоточних поляриметричних методик вимірювання основних параметрів природної та індукованої оптичної анізотропії кристалів. Враховано систематичні похибки. Для визначення просторового розподілу параметрів оптичної анізотропії використано ідеополяриметр. The principles for high-accuracy polarimetric methods of measuring the main parameters of natural and induced optical anisotropy of crystals are considered. Systematic errors are taken into account. The image-polarimetry have been used for the measurements of spatial distribution of the optical anisotropy parameters characterizing several single crystals.
  • Thumbnail Image
    Item
    Розробка алгоритмичної бази для мікроелектронних систем аналізу біоелектричних сигналів
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.
    Описано принципи структурної організації та методи розробки алгоритмічної бази автоматизованих систем для визначення амплітудних, часових та спектральних характеристик біоелектричних (ЕКГ, РЕГ,ЕЕГ) сигналів. Наведено результати моделювання розроблених алгоритмів у середовищі ППП MATHCAD. The principles of structure organization an algorithmic base of automatised systems for measurements of amplitude time and spectral parameters of bioelectric signals (ICG, RIG, IIG) are considerated in this paper. The results of algorithm modelling in MathCAD Software are presented.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вимірювання енергетичного і квантового виходів фотолюмінесценції дрібнозернистих люмінофорів й екранів електронно-променевих приладів
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гнип, Р. Г.; Пашук, І. П.; Підзирайло, М. С.; Стефанський, І. В.
    Наведено результати вимірювань абсолютного квантового (пк) і енергетичного (пе) виходів фотолюмінесценції дрібнозернистих люмінофорів і люмінесцентних екранів електронно-променевих приладів. Максимальним значенням величини Пкд характеризуються люмінофори [(Mg,Sr)-(PO4)2]:Sn (пкд=0,92...0,96), мінімальним - 2BaO*TiO2,P2O5 (Пкд=0,80...0,85). Для всіх люмінофорів термообробка приводить до зростання величини Пкд. Для катодолюмінесцентних екранів величина пек істотно залежить від величини зерна і компонентного складу люмінофора. Results on the measurements of absolute quantum (пк) and energy (пе) yields of photoluminescence of fine-grained phosphors and phosphor screens of electron-ray devices are reported. The [(Mg,Sr)-(PO4)2]:Sn phosphors are characterized by maximum value of Пвд (Пкд=0,92...0,96), and 2BaO-TiO2-P2O5 phosphors are characterized by minimum value of Пкд (Пкд=0,80...0,85). Thermal treatment leads to the increase of the Пкд value for all phosphors. Value пек strongly depends on grain size and phosphor chemical composition for cathodoluminescence screens.
  • Thumbnail Image
    Item
    Магнітні поля на ядрах Sn119 у твердих розчинах TiCo2.xSn (x=0,0...1,0)
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.
    Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості магнітної сприйнятливості намагніченості пластично деформованих монокристалів кремнію і германію
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Цмоць, В. М.; Штим, В. С.; Янішевський, В. С.; Павловський, Ю. В.
    Обговорюється природа і тип магнітного впорядкування в пластично деформованих монокристалах Si та Ge. Запропоновано інтерпретацію цього явища в рамках моделі про феромагнітне упорядкування обміннозв’язаних спінів на дислокаційних структурах. Виділено феромагнітну складову намагніченості, проаналізовані її польові та температурні залежності. Одержано задовільну збіжність експериментально одержаних значень температури Кюрі TC фазового переходу пластично деформованих монокристалів Si з феромагнітного стану в парамагнітний із значенням TC , розрахованим на основі дислокаційної моделі феро¬магнетизму в немагнітних кристалах. Nature and type of magnetic ordering in plastically deformed Si and Ge monocrystals are clarified. The interpretation of this phenomena was proposed according to ferromagnetic ordering model of the exchange-coupled spins on dislocation structures. The ferromagnetic component of magnetization was separated. The analysis of magnetization field and temperature dependencies was carried out. A satisfactory agreement between the experimental results of Curie temperature investigations (TC ) of plastically deformed Si monocrystals phase transition ferromagnetic state ^ paramagnetic state with TC value calculated on the base of dislocation model of non-magnetic crystals ferromagnetism was obtained.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.
    Методом ЕПР в температурному інтервалі 80-300 К досліджено поведінку домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів Pbi-xSnxTe:Gd (0
  • Thumbnail Image
    Item
    Енергія зв’язку екситона в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.
    Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.
  • Thumbnail Image
    Item
    Термо- і фотостимульовані перетворення центрів забарвлення у кристалах SrCl2-Ме+
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Щур, Г. О.; Кульчицький, А. Д.; Салапак, В. М.
    Досліджено оптичні індуковані перетворення МА+-центрів у F^-центри. Показано, що перетворення відбуваються внаслідок фотодисоціації МА+-центра (№+)А ——^ FА + Va+ = FА(1)[l00]). Новоутворений центр є FА-центром, у другій ко¬ординаційній сфері якого в напрямку [100] стосовно F-центра розташована аніонна вакансія. Термоасоціація дефектів, що входять до складу FА(1)[100]-центра ^А + Va+ ^ №+)а) відбувається внаслідок перескоку аніонної вакансії з другої в першу координаційну сферу FА-центра. The optical induced convertations of MA+-centres to FA-centres have been researched. It is shown that convertations take place because of a photo dissociation of MA+-centre ((F2+)А ———^ FА + Va+ = FJi(1)[100]). A newly emerged centre is FA-centre with anion vacancy that is placed in a second co-ordinating sphere in [100] direction relatively to the F-centre. A thermoassociation of defects that are the parts of F^)^]- centre ^А + Va+ ^ №+)а) occures because of a jump of an anion vacancy to the first co-ordinating sphere from the second.
  • Thumbnail Image
    Item
    Структура та динаміка ґратки твердих розчинів In XTl 1-х I
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Франів, А. В.; Пелещишин, Р. В.; Тернавська, С. В.; Франів, О. В.
    Наведено експериментальні результати досліджень фізичних властивостей вперше вирощених твердих розчинів заміщення InxTl1-xI в області 0,2
  • Thumbnail Image
    Item
    Хемосорбція воднеподібних атомів на кристалічних поверхнях напівпровідників та діелектриків
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Рудавський, Ю. К.; Понеділок, Г. В.; Петрів, Ю. І.
    Розглядається квантово-статистична задача хемосорбції атома з воднеподібною електронною структурою на кристалічних поверхнях напівпровідників та діелектриків. Поверхневі стани описуються наближенням сильного зв'язку. В наближенні Хартрі-Фока отримано самоузгоджену систему рівнянь для розрахунку величини зарядового та спін-поляризованого станів адсорбованого атома. Quntum-statistic problem of atom chemisorption with hydrogen-like electronic structure on semiconductor and dielectric crystalline surfaces is considered. The superficial states described in strong coupling approximation. The self-consistent system of equations for calculation of charge and spin-polarized states of adsorbed atom in Hartree-Fock approximation is derived.