Електроніка. – 2001. – №430

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42613

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковані результати науково-технічних досліджень в галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 430 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 128 с. : іл.

Browse

Now showing 1 - 20 of 23

Особливості структурних та магнітних властивостей сплавів систем Si - Ni та Ge - Ni, багатих на відповідно кремній і германій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Цмоць, В. М.; Штим, B. C.; Павловський, Ю. В.; Спільна науково-дослідна лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки АН та Міністерства освіти і науки України при Дрогобицькому державному педагогічному університеті ім. Ів. Франка.
У роботі наведені результати комплексного дослідження Si-Ni і Ge-Ni полі- кристалічних сплавів, багатих на відповідно кремній і германій. Шляхом вимі¬рювання статичної магнітної сприйнятливості (МС, $) і мікротвердості (Нц), проведення рентгенівського та мікроструктурного аналізів цих сплавів показано залежність МС і мікроструктури від термічних обробок. Інтерпретація одержаних результатів проводиться з врахуванням наявності у зазначених сплавах донорно - акцепторних комплексів і магнітного впорядкування електронних спінів на дислокаційних структурах. In the present paper the results of complex investigation of Si-Ni and Ge-Ni polycrystals alloys rich in silicon and germanium respectively are presented. Measuring a static magnetic susceptibility ^S, $) and microhardnesses (Н), realizing x-ray and microstructural analyses of these alloys shows the dependence of МS and micro¬structures on the thermal treatment. Interpretation of the obtained results is carried out accounting for the presence in the above mentioned alloys of donor-acceptor complexes and magnetic ordering of electronic spins on dislocation structures.
Зміст до Вісника "Електроніка" № 430
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001)
Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Большакова, І. А.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
Для підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації.
Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бончик, О. Ю.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Тростинський, І. П.; Національний університет “Львівська політехніка”
Експериментально досліджено особливості морфології поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені резуль¬тати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (100), (111), (110), а також на площинах, вирізаних під кутом 6° до площини (100) і на аморфних шарах В203, нанесених на поверхню кремнію. The peculiarities of Si surface in the zone of second and millisecond laser pulses effect have been investigated experimentally. The outcomes of the microscopic studies of the periodical structures formed at the surfaces with crystallographic orientation (100), (111), (100) and at the surfaces cut at the angle 6° to the plane (100) as well as on amorphous layers B203 deposited on the Si surface are presented.
Принципи термокомпенсації низьковольтних опорних напруг
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Готра, О. З.; Єрашок, В. Е.; Шевчук, 0. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Запропоновані нові схемні рішення термокомпенсованих низьковольтних джерел опорної напруги, зокрема для інтегральних стабілізаторів напруги та струму, сенсорних пристроїв, аналогово-цифрових перетворювачів тощо. На від¬міну від аналогів, запропоновані схеми термокомпенсації інтегральних стабіліза¬торів забезпечують нормальне функціонування при напругах живлення від 1 В. Досліджено характеристики таких стабілізаторів. Novel circuitry is proposed for thermocompensated low-voltage sources of reference voltage, in particular for integrated stabilizers of voltage and current, sensor devices, analog-digital converters etc. Despite the known analogs, the proposed thermo¬compensation algorithms for the integrated stabilizers provide normal operation at the supply voltages from 1 V. Parameters of such stabilizers are studied.
Розробка рентабельних процесів формування фронтальної поверхні кремнієвих сонячних елементів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Єрохов, В. Ю.; Милянич, А. О.; Богдановський, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
Наведені результати досліджень з вивчення рентабельних процесів створення структур кремнієвих сонячних елементів, хімічного росту макропористого крем¬нію для фронтальної антивідбиваючої поверхні фотоперетворювача. З’ясовується значення різних домішок у хімічних розчинах для росту поверхневої текстури. The paper presents the investigation results on profitable process of silicon solar cells formation, macro porous silicon chemical growing for frontal antireflective surface of photoconverter. The role of different additions in chemical solutions for surface texture growing was investigated.
Характеристика відбивного розряду в комірці Пеннінга з секційним анодом
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Шандра, З. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
У роботі досліджено розряд в комірці Пеннінга, в якій секційний анод розташований по центру розрядного проміжку між двома круглими катодами. Показано, що зміною потенціалу секцій анода можна впливати на вид вольт- амперної характеристики розряду. Проведено дослідження розподілу потенціалу між електродами комірки Пеннінга для різних підключень секцій анода, на основі яких зроблена спроба опису механізму розряду та пояснення особливостей його вольт-амперної характеристики. This work is dedicated to studies of the discharge in Penning's cell, in which sectional anods is placed in the centre of discharge gap between two round cathodes. It is shown, that by anode sections potential varying it is possible to influence on volt¬ampere characteristic of the discharge. The studies of potential disribution between the cell electrodes were carried out for different connections of anode sections. On the base of this studies the attempt to discribe the discharge gear and to explain the features of volt-ampere characteristics.
Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Семенюк, А. Й.; Юрченко, Л. Д.; Грозь, М. М.; Смеркло, Л. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглянуто особливості розробки потужних імпульсних НВЧ транзисторних підсилювачів у широкому діапазоні температур. Вибрано принцип термостабілізації і запропоновано схему термостабілізації імпульсного потужного НВЧ підсилювача потужності. Наведено результати експериментальних досліджень. The details of the development of the microwave power pulse transistor amplifiers have been considered with regard to a wide temperature range. The principle of heat setting has been defined. The heat setting circuit of the power amplifier has been designed. The results of the experimental investigation have been presented.
Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Островський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.
Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.
Ma+[100] і Ma+[110] центри забарвлення в кристалах CAF2-O2- і SRF2-O2-
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дубельт, С. П.; Качан, С. І.; Чорній, З. П.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
Вперше пояснені особливості зміни спектрів оптичного поглинання агрегатних центрів забарвлення в кисневовмісних кристалах флюоритів: при збільшенні температури опромінення кристалів (Т > Tr, де Tr - температура реорієнта- ції складних центрів) відбувається зсув довгохвильової компоненти спектра (Maз+-смуги) в короткохвильову область. Перетворення Ma+центрів (низькотемпературних) у Mа+[110]-центри (високотемпературні) пов’язані із термоактивованим переходом аніонних вакансій фтору у другу координаційну сферу відносно домішкового іона кисню. For the first time peculiorities of spectrum optical absorption aggregate colour centers changings in oxygen-containing crystals of fluorities are explained. With rising of temperature of x-raying of crystals (T > Tr, where Tr - temperature of reorientation of compound centers) occurs the displacement of the long-wave component of spectrum (MA3+-band) in short-wave region. Transition of MA+[100] (low-temperatures) - centers into MA+[110] (high-temperatures) centers are connected with a passage of anion vacancies in the second coordinative sphere concerning to impuritious ion of oxygen.
Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.
Спектр носіїв δ-легованих кремнієм шарів GaAs (100)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Рудницький, С. В.; Пелещак, P. M.; Дрогобицький державний педагогічний університет ім. І. Франка
У роботі розв’язана задача на знаходження енергетичного спектра GaAs періодично δ-легованого кремнієм. Розв’язання виконане в межах методу дефор¬маційного потенціалу. Потенційний профіль моделювався δ-функцією Дірака. Отримано кількісні залежності параметра деформації (emech) для GaAs і Si від тов¬щини δ-шару (Lw) та міжшарової відстані (Ь). Ці залежності виявилися спадними з ростом Lw та зростаючими з ростом Ь. Пояснено наявність у спектрах фотолю¬мінесценції δ-лінії в діапазоні hv = 1,47 - 1,48 еВ, зокрема, при Lw= 10 А досягнуто задовільного збігу з експериментальними даними з фотолюмінесценції. Energetical spectra of δ-doped GaAs by Si have been solved. The solve has been studied by deformation’s potencial method. We chosen Dirack’s δ-function for potential profile. It is found Lw- (thickness of δ-layer) and b- (thickness of GaAs layer) dependences of deformation’s parametrs (e mech), they decrease when Lw increases and increase when b increases. It is found Lw- and b- dependences of energetical spectra. They decrease for electron’s level and decrease for hole’s level. It is explain appearance in photoluminescence spectra δ-band near hv= 1.47*1.48eV. We received results similar to experi¬ment’s near Lw= 10А.
Моделювання поверхневого розподілу спектра Фур’є для систем нейровізуалізації біопотенціалів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Мандзяк, Г. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розроблено методику моделювання алгоритмів для визначення поверхневого розподілу спектра Фур’є електроенцефалографічних (ЕЕГ) сигналів та про¬ведення процедури ЕЕГ-картування для візуалізації результатів аналізу біопотенціалів мозку в електронних діагностичних системах. Моделювання проводили в середовищі ППП MATHCAD з використанням програми WINSURF для побу¬дови спектрально-топографічних карт ЕЕГ-сигналів. The method of algorithm simulation for determination of surface Distribution of Fourier spectrum for electroencephalographic signals (EEG) and process execution of EEG-mapping for visualization of results of brain biopotentials’ analysis are developed. Simulations is carried out in MathCAD software with help of WinSurf program for creation of spectral and topographic maps of EEG-signals.
Дослідження впливу імпульсного лазерного випромінювання на судинну патологію при поверхневому охолодженні шкіри
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Демкович, І. В.; Рудницький, І. В.; Національний університет “Львівська політехніка”
У цій роботі було проведене математичне моделювання розповсюдження теплової енергії у живій тканині, що містить доброякісну судинну патологію. Запропонований метод моделювання поведінки живої тканини з врахуванням її гетерогенних властивостей під дією лазерного випромінювання. Також розгля¬нута можливість впливу на судинну патологію з метою її лікування при певних спектральних, енергетичних і часових параметрах лазерного випромінювання. In the work was conducted mathematical modeling of spreading a thermal energy in alive tissue, containing vascular pathology. Is offered the method of modeling of alive tissue behavior under influence of laser radiation with taking into account heterogeneous structure of tissue. Also is considered possibility of curing impact on vascular pathology under certain spectral, energetic and temporal characteristics of laser radiation.
Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Завербний, І. Р.; Кузьо, Г. Д.; Чегіль, І. І.; Гринь, Г. В.; Лаушник, Г. Ф.; НВП “Карат”; ТзОВ “Пролог Семікор”; НТЦ “Мікроелектроніка”
У роботі наведені результати експериментальних досліджень впливу факторів технологічного процесу двостороннього ХМП пластин кремнію орієнтації (111) і (100) n і p-типу на якість поверхні. Показано, що режимом глибокого окислення та пониженого тиску декорується дефектна структура пластин. Some results of experimental investigetion how quality of silicon plates of n and p-type with (111) and (100) orientation depends from CMP technology parameters. It was demonstrated that the deep oxydition and low pressure region decorates the defect structure of the plates.
Дослідження процесів реактивної лазерної кристалізації та модифікації властивостей тонких шарів окисних люмінофорних матеріалів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Савчук, В. К.; Національний університет “Львівська політехніка”
У роботі представлені теоретичні і експериментальні дослідження імпульсної лазерної (^=1,06 мкм) реактивної кристалізації і відпалу на прозорій підкладці Si02 попередньо осаджених аморфних фосфорних шарів Zn0:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn. На основі вибраної теплофізичної моделі розраховані криві розподілу температурних полів в системі Zn0-SiO2 після дії лазерного випромінювання (^=1,06 мкм) з різною густиною енергії як при прямій дії, так і з боку кварцової підкладки прозорої для лазерного випромінювання. Встановлено, що у останньому випадку енергія лазерного випромінювання поглинається в основному аморфною плівкою і температурні градієнти в ній практично відсутні, що дає змогу прово¬дити однофазну структурно однорідну кристалізацію. Всі кристалізовані лазером плівки володіли катодолюмінесценцією, яскравість та спектральний розподіл якої можна змінювати зміною густини енергії лазерного випромінювання і тиску кисню в реакційній камері. The results of the theoretical and experimental investigations of pulse laser reactive crystallization processes and annealing beforehand deposited amorphous films of phosphor materials are presented in the paper. The ZnO:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn ceramic tablets were used as targets for laser vapor deposition of amor¬phous films. At laser treatment from layer side surface overheating took place with definite temperature depth gradient. At laser treatment from substrate side, film mainly absorbs the laser radiation energy and temperature gradients in the layer are practically absent. All films crystallized by laser have cathodoluminescent properties. Laser annealing of thin layers leads to cathodoluminescense intensity increase but also to changes in radiation spectra with pulse duration.
Електропровідність монокристалів дийодиду свинцю в поляризаційній комірці Вагнера
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Калуш, О. З.; Луцький державний технічний університет
Досліджено електропровідність монокристалів PbJ2 у постійному електричному полі за методом поляризаційної комірки Вагнера. Показано, що при значеннях менших від 0,9 В поляризаційної напруги, прикладеної до комірки (-) Рb/PbJ2/C(+), може бути використана теорія Вагнера. Знайдено повну і електронно-діркову складові провідності монокристалів дийодиду свинцю в області температур 293 - 623 К. The conductivity characteristics PbJ2 single crystals were investigated using the Wagner cell polarization technique. It was found that when the (-)Pb/PbJ2/C(+), cell polarization potential less 0,9 V obeyed the Wagner equation. The determine total and electron-hole conductivity component of lead iodine single crystals in 293-623 K temperature region.
Релаксаційні струми деполярзації в ортогерманаті вісмуту
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бордун, О. М.; Бордун, І. М.; Харамбура, С. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено релаксаційні струми деполярзації в монокристалах, кераміках і тонких плівках Bi4Ge3O12 в температурному інтервалі 80 - 295 K. Визначено часи релаксації та енергії активації деполяризації. Встановлено, що при зростанні дефектності кристалічної структури збільшується значення релаксаційного струму і зменшується енергія активації деполяризації. The relaxation currents of depolarization in single crystals, ceramics and thin films Bi4Ge3O12 was investigated in temperature region 80 - 295 K. The relaxation times and energy activation of depolarization was determinated. At increase of defects of crystalline structure the value of relaxation current increased and value of energy activation of depolarization decreased.
Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.