Електроніка. – 2001. – №430

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42613

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковані результати науково-технічних досліджень в галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 430 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 128 с. : іл.

Browse

Filters

20011

Settings

Author: search.filters.author.Бобицький, Я. В.Subject: search.filters.subject.621.315.592

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження процесів реактивної лазерної кристалізації та модифікації властивостей тонких шарів окисних люмінофорних матеріалів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Савчук, В. К.; Національний університет “Львівська політехніка”
    У роботі представлені теоретичні і експериментальні дослідження імпульсної лазерної (^=1,06 мкм) реактивної кристалізації і відпалу на прозорій підкладці Si02 попередньо осаджених аморфних фосфорних шарів Zn0:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn. На основі вибраної теплофізичної моделі розраховані криві розподілу температурних полів в системі Zn0-SiO2 після дії лазерного випромінювання (^=1,06 мкм) з різною густиною енергії як при прямій дії, так і з боку кварцової підкладки прозорої для лазерного випромінювання. Встановлено, що у останньому випадку енергія лазерного випромінювання поглинається в основному аморфною плівкою і температурні градієнти в ній практично відсутні, що дає змогу прово¬дити однофазну структурно однорідну кристалізацію. Всі кристалізовані лазером плівки володіли катодолюмінесценцією, яскравість та спектральний розподіл якої можна змінювати зміною густини енергії лазерного випромінювання і тиску кисню в реакційній камері. The results of the theoretical and experimental investigations of pulse laser reactive crystallization processes and annealing beforehand deposited amorphous films of phosphor materials are presented in the paper. The ZnO:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn ceramic tablets were used as targets for laser vapor deposition of amor¬phous films. At laser treatment from layer side surface overheating took place with definite temperature depth gradient. At laser treatment from substrate side, film mainly absorbs the laser radiation energy and temperature gradients in the layer are practically absent. All films crystallized by laser have cathodoluminescent properties. Laser annealing of thin layers leads to cathodoluminescense intensity increase but also to changes in radiation spectra with pulse duration.