Електроніка. – 2001. – №430

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42613

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковані результати науково-технічних досліджень в галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 430 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 128 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.