Електроніка. – 2001. – №423
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42440
Browse
Search Results
Item ЕПР кристалів PbTe:G(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.; Національний університет “Львівська політехніка”; Чернівецьке відділення ІПМ НАН України; Чернівецький Національний УніверситетДосліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.Item Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.; Національний університет "Львівська політехніка"Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.Item Модифікація приповерхневих шарів твердих розчинів (Cd,Hg)Te імпульсним лазерним випромінюванням(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Загіней, A.O.; Котлярчук, Б.К.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригана НАН УкраїниПроаналізовано зміни концентрації донорів і акцепторів у власнодефектному телуриді кадмію-ртуті при обробці імпульсним лазерним випромінюванням. На основі проведеного аналізу запропоновано метод формування бар’єрних структур в (Cd,Hg)Te, який виключає генерацію додаткової концентрації лінійних дефектів структури у модифікованих лазером приповерхневих шарах. Зведе¬но електрофізичні та фотоелектричні характеристики сформованих p-n структур. The changes, arising in the concentration of donors and acceptors in cadmium mercury telluride with original defects under treatment by pulse laser irradiation have been examined. On the basis of the carried out analysis has proposed a method for forming barrier structures in (Cd,Hg)Te that prevents the generation of additional concentration of linear structure defects in the layer modified by laser. The electro¬physical and photoelectric characteristics of formed p-n structures have been determined.Item Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Берченко, M. M.; Богобоящий, В. В.; Іжнін, І. І.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.; Національний університет “Львівська політехніка”; Кременчуцький державний політехнічний інститут; Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Карат”Вперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Аг в процесі іонно-променевого травлення (ІПТ) на електрофізичні властивості епітаксійних шарів РbТе p-типу та n-типу провідності. Показано, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в р-РbТе та зростаннюя концентрації електронів в n-РЬТе при зменшенні їх рухливості. Зміни властивостей відбуваються по усій товщині епітаксійних шарів (приблизно 2 мкм). Характер змін електрофізичних властивостей свідчить про введення в процесі ІПТ додаткових донорних центрів, пов’язаних з виникненням надлишкового свинцю. Механізми перебудови системи дефектів в РbТе при ІПТ докорінним чином відрізняється від таких у CdxHg1-xTe. The influence of low energy Ar ions under ion beam milling (IBM) on electrical properties of p-and n-type conductivity of the PbTe epitaxial layers was experimentally investigated for the first time. It has been shown that such treatment causes the p-n type conductivity conversion in p-PbTe and increasing of electron concentration in n- PbTe at decreasing their mobility. The property modification takes place at whole depth of epitaxial layers (approximately 2 µm). The electrical properties change behavior evidences the introducing under IBM the additional amount of donor centers connected with lead excess. The mechanism of defect rebuilding in PbTe under IBM distinguishes radically from the same in CdxHg1-xTe.