Електроніка. – 2006. – №558

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36578

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2006. – № 558 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 140 с. : іл.

Browse

Filters

200627

Settings

Search Results

Now showing 1 - 10 of 27
  • Thumbnail Image
    Item
    Зміст до Вісника "Електроніка" № 558
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006)
  • Thumbnail Image
    Item
    Титульний аркуш до Вісника "Електроніка" № 558
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006)
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив різних факторів на вимірювання магнітного поля парногармонічним перетворювачем з обертальним перемагнічуванням монокристалічної плівки ферогранату
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Убізський, С. Б.; Павлик, Л. П.; Климович, Є. М.
    Здійснено феноменологічне дослідження парногармонічного перетворювача магнітного поля із циркулярним збудженням монокристалічної плівки ферогранату як чутливого елемента з метою виявлення впливу неідеальності геометрії конструкції перетворювача та неточності кристалографічної орієнтації чутливого елементу на точність вимірювання магнітного поля. Встановлено, що відхилення площини обертання магнітного поля збудження від площини чутливого елемента та розорієнтації останнього від площини (111) є найсуттєвішими для вимірювального перетворювача. Зроблено висновки про можливість уникнення негативного впливу вказаних факторів та запропоновано відповідний спосіб. A phenomenological investigation of the even-harmonics magnetic field transducer with a circular excitation of the single-crystalline iron garnet film as its sensing element is performed. The aim was revealing a possible influence of non-ideality of transducer’s construction and inaccuracy of the sensing element crystallographic orientation on magnetic field measurements. It was established that the deviation of the magnetic field rotation plane from the plane of sensing element as well as misorientation of the last from the (111) plane a the most significant for the measuring transducer. Conclusions are made about the possibility to eliminate the negative influence of mentioned factors and respective way is proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Автоматизація вимірювання показників заломлення плоскопаралельних пластин оптичних матеріалів антерферометрично-поворотним методом
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тибінка, Б. В.; Островський, І. П.; Андрущак, А. С.
    Створена автоматизована установка для вимірювання показників заломлення оптичних матеріалів інтерферометрично-поворотним методом. Установка апробована на прикладі одновісного кристалу LiNbO3. Внаслідок проведених вимірювань одержані такі параметри: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (для довжини світлової хвилі =0,6328 мкм), які добре узгоджуються з літературними даними. Automatizational equipment for refractive indices measurement of optical materials by interferometric-turning method was designed. The equipment is approbated on example of uniaxial crystal LiNbO3. As a result of measurements the following parameters were obtained: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (for wavelength =0,6328 m), which are in good agreement with literature data.
  • Thumbnail Image
    Item
    Метод регуляризації Тихонова під час моделювання вимірювання розподілу розмірів порошкоподібних матеріалів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Голдак, А. Я.
    Розглянуто метод регуляризації Тихонова в застосуванні до інтегрального рівняння Фредгольма першого роду, що виникає під час вимірювання розподілу розмірів частинок порошкоподібних матеріалів. Подано статистичні характеристики стійкості одержаних результатів. The Tichonov regularization method applied to Fredholm equation of first kind which appears during particles size distribution measurement is considered. Statistical characteristics of stability of obtained results are revealed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
    Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Покладок, Н. Т.; Григорчак, І. І.; Ріпецький, Р. Й.; Бужук, Я. М.; Кулик, Ю. О.
    Отримані інтеркальовані зразки селеніду галію з хлоридом заліза. В них виявлено гігантське зростання опору перпендикулярно до шарів під впливом магнітного поля. Результати імпедансних досліджень дозволили запропонувати можливу причину цього явища – магнітну локалізацію носіїв струму. The indium selenide with FeCl3 samples are obtained. The giant gowth of their resistance normal to layer caused by magnetic field is observed. Results of the impedance investigations allow propose the magnetic localization of the carrier as a possible reason of the effect.
  • Thumbnail Image
    Item
    Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Шуригін, Ф. М.; Ковальова, Н. В.
    Досліджено вплив електронного опромінення при 300К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Отримано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорюються особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb. The investigation of the electron irradiation effect on the parameters of thin film and monocrystalline microsensors based on the doped InSb was performed at 300K. The dependence of the charge carrier concentration relative change on initial concentration and irradiation dose in the material under investigation was obtained under the electron irradiation. The peculiarities of the variations in the thin film and monocrystalline microsensors’ parameters under irradiation were discussed. By means of the isochronous annealing the stability of radiation defects in InSb was studied.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості теплового розширення аргіродиту Ag2GeSe6
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Данилов, А. Б.; Українець, В. О.
    Вперше в неперервному режимі зміни температури та з використанням монокристалів потрійної напівпровідникової сполуки Ag8GeSe6 групи AIBIVCVI досліджені особливості теплового розширення (t=-30...+110C) вздовж кристалографічного напрямку [111] -фази. Виявлено існування на температурній залежності термічного коефіцієнта лінійного розширення =f(T) двох різко виражених і добре відтворюваних екстремумів з величезними значеннями  (макс=650010-6 град-1, мін =-2800 10-6 град-1, під час нагрівання, та макс=170010-6 град-1, мін =-1800 10-6 град-1, при охолодженні), які локалізовані в області температур -0,5°C і 48,2 °C та суттєво слабшого екстремуму при 72,7°C. Уточнені температури фазових переходів становлять -0,5°C, 48,2°C і 72,7°C. Показано, що перші два екстремуми зумовлені фазовими переходами першого роду. For the first time for continuous mode of temperature change (t=-30...+110C) end with the use of single-crystals of ternary semiconductor compound Ag8GeSe6 AIBIVCVI group thefeatures of thermal expansion along [111] -phase crystallography direction have been investigated. The existence of two sharply expressed and well reproduced extremums with the enormous values  (max=170010-6 deg-1, min =-1800 10-6 deg -1, for heating and max =170010-6 deg -1, min =-1800 10-6 deg -1, for cooling) localized in the temperatures range of -0,5°C and 48,2 °C as well as substantially weaker extremum at 72,7°C have been discovered on the temperature dependence of thermal coefficient of linear expansion =f(T). The refined temperatures of phase transitions are -0,5°C, 48,2°C and 72,7°C. It is shown, that the first twoextremums are conditioned by first order phase transitions.
  • Thumbnail Image
    Item
    Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Товстюк, К. К.; Логуш, О. І.; Доннікова, Д. В.
    Розрахована концентрація дифузанта Zn, введеного в газову фазу під час окислення кремнію. У рівняннях не враховано утворення оксидантів. Рівняння розв’язували за допомогою підстановки Больцмана. Порівняння результатів із експериментальними даними свідчить про правильність прийнятих наближень. The concentration of doped Zn introduced in gas while Si oxidation has been calculated. In our diffusion equation we did not considerate the oxidants formation. The diffusion equation were solved by using the approximation of Bolzmann. Comparing our results with experimental data denotes the validity of our approximations.