Електроніка. – 2006. – №558
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2006. – № 558 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 140 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Зміст до Вісника "Електроніка" № 558(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006)Item Титульний аркуш до Вісника "Електроніка" № 558(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006)Item Вплив різних факторів на вимірювання магнітного поля парногармонічним перетворювачем з обертальним перемагнічуванням монокристалічної плівки ферогранату(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Убізський, С. Б.; Павлик, Л. П.; Климович, Є. М.Здійснено феноменологічне дослідження парногармонічного перетворювача магнітного поля із циркулярним збудженням монокристалічної плівки ферогранату як чутливого елемента з метою виявлення впливу неідеальності геометрії конструкції перетворювача та неточності кристалографічної орієнтації чутливого елементу на точність вимірювання магнітного поля. Встановлено, що відхилення площини обертання магнітного поля збудження від площини чутливого елемента та розорієнтації останнього від площини (111) є найсуттєвішими для вимірювального перетворювача. Зроблено висновки про можливість уникнення негативного впливу вказаних факторів та запропоновано відповідний спосіб. A phenomenological investigation of the even-harmonics magnetic field transducer with a circular excitation of the single-crystalline iron garnet film as its sensing element is performed. The aim was revealing a possible influence of non-ideality of transducer’s construction and inaccuracy of the sensing element crystallographic orientation on magnetic field measurements. It was established that the deviation of the magnetic field rotation plane from the plane of sensing element as well as misorientation of the last from the (111) plane a the most significant for the measuring transducer. Conclusions are made about the possibility to eliminate the negative influence of mentioned factors and respective way is proposed.Item Автоматизація вимірювання показників заломлення плоскопаралельних пластин оптичних матеріалів антерферометрично-поворотним методом(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тибінка, Б. В.; Островський, І. П.; Андрущак, А. С.Створена автоматизована установка для вимірювання показників заломлення оптичних матеріалів інтерферометрично-поворотним методом. Установка апробована на прикладі одновісного кристалу LiNbO3. Внаслідок проведених вимірювань одержані такі параметри: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (для довжини світлової хвилі =0,6328 мкм), які добре узгоджуються з літературними даними. Automatizational equipment for refractive indices measurement of optical materials by interferometric-turning method was designed. The equipment is approbated on example of uniaxial crystal LiNbO3. As a result of measurements the following parameters were obtained: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (for wavelength =0,6328 m), which are in good agreement with literature data.Item Метод регуляризації Тихонова під час моделювання вимірювання розподілу розмірів порошкоподібних матеріалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Голдак, А. Я.Розглянуто метод регуляризації Тихонова в застосуванні до інтегрального рівняння Фредгольма першого роду, що виникає під час вимірювання розподілу розмірів частинок порошкоподібних матеріалів. Подано статистичні характеристики стійкості одержаних результатів. The Tichonov regularization method applied to Fredholm equation of first kind which appears during particles size distribution measurement is considered. Statistical characteristics of stability of obtained results are revealed.Item Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.Item Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Покладок, Н. Т.; Григорчак, І. І.; Ріпецький, Р. Й.; Бужук, Я. М.; Кулик, Ю. О.Отримані інтеркальовані зразки селеніду галію з хлоридом заліза. В них виявлено гігантське зростання опору перпендикулярно до шарів під впливом магнітного поля. Результати імпедансних досліджень дозволили запропонувати можливу причину цього явища – магнітну локалізацію носіїв струму. The indium selenide with FeCl3 samples are obtained. The giant gowth of their resistance normal to layer caused by magnetic field is observed. Results of the impedance investigations allow propose the magnetic localization of the carrier as a possible reason of the effect.Item Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Шуригін, Ф. М.; Ковальова, Н. В.Досліджено вплив електронного опромінення при 300К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Отримано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорюються особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb. The investigation of the electron irradiation effect on the parameters of thin film and monocrystalline microsensors based on the doped InSb was performed at 300K. The dependence of the charge carrier concentration relative change on initial concentration and irradiation dose in the material under investigation was obtained under the electron irradiation. The peculiarities of the variations in the thin film and monocrystalline microsensors’ parameters under irradiation were discussed. By means of the isochronous annealing the stability of radiation defects in InSb was studied.Item Особливості теплового розширення аргіродиту Ag2GeSe6(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Данилов, А. Б.; Українець, В. О.Вперше в неперервному режимі зміни температури та з використанням монокристалів потрійної напівпровідникової сполуки Ag8GeSe6 групи AIBIVCVI досліджені особливості теплового розширення (t=-30...+110C) вздовж кристалографічного напрямку [111] -фази. Виявлено існування на температурній залежності термічного коефіцієнта лінійного розширення =f(T) двох різко виражених і добре відтворюваних екстремумів з величезними значеннями (макс=650010-6 град-1, мін =-2800 10-6 град-1, під час нагрівання, та макс=170010-6 град-1, мін =-1800 10-6 град-1, при охолодженні), які локалізовані в області температур -0,5°C і 48,2 °C та суттєво слабшого екстремуму при 72,7°C. Уточнені температури фазових переходів становлять -0,5°C, 48,2°C і 72,7°C. Показано, що перші два екстремуми зумовлені фазовими переходами першого роду. For the first time for continuous mode of temperature change (t=-30...+110C) end with the use of single-crystals of ternary semiconductor compound Ag8GeSe6 AIBIVCVI group thefeatures of thermal expansion along [111] -phase crystallography direction have been investigated. The existence of two sharply expressed and well reproduced extremums with the enormous values (max=170010-6 deg-1, min =-1800 10-6 deg -1, for heating and max =170010-6 deg -1, min =-1800 10-6 deg -1, for cooling) localized in the temperatures range of -0,5°C and 48,2 °C as well as substantially weaker extremum at 72,7°C have been discovered on the temperature dependence of thermal coefficient of linear expansion =f(T). The refined temperatures of phase transitions are -0,5°C, 48,2°C and 72,7°C. It is shown, that the first twoextremums are conditioned by first order phase transitions.Item Концентраційний профіль домішки Zn у структурі Si-SiO2(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Товстюк, К. К.; Логуш, О. І.; Доннікова, Д. В.Розрахована концентрація дифузанта Zn, введеного в газову фазу під час окислення кремнію. У рівняннях не враховано утворення оксидантів. Рівняння розв’язували за допомогою підстановки Больцмана. Порівняння результатів із експериментальними даними свідчить про правильність прийнятих наближень. The concentration of doped Zn introduced in gas while Si oxidation has been calculated. In our diffusion equation we did not considerate the oxidants formation. The diffusion equation were solved by using the approximation of Bolzmann. Comparing our results with experimental data denotes the validity of our approximations.Item Дослідження об’ємних дефектів в діелектричній алюмомагнієвій кераміці методом позитронної анігіляційної спектроскопії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Клим, Г.; Інграм, А.; Шпотюк, О.; Ваків, М.Розглянуто методологічні можливості застосування методу позитронної анігіляційної спектроскопії (ПАС) для дослідження об’ємних дефектів в діелектричній алюмомагнієвій кераміці шпінельного типу MgAl2O4. Показано, що при математичній обробці ПАС спектра комп’ютерною програмою LT найкращі значення параметрів підгонки досягаються при трикомпонентній процедурі. Отримані результати підтверджують існування багатьох об’ємних дефектів у формі індивідуальних вакансій, вакансійно-подібних кластерів, нейтральних та негативно заряджених кластерів зарядно-компенсаційних вакансій, розміщених на границях зерен, а також об’ємних пор, що здатні захоплювати атоми позитронію. The methodological possibilities of positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS) to investigation of magnesium aluminate spinel-type ceramics are considered. It is shown, that at mathematical treatment of PAL spectra by LT computer program, the best results of fitting parameters are achieved for three-component procedure. The obtained results confirms the existence of many extended defects in form of individual vacancies, vacancy-like clusters, neutral and negatively charged clusters of charge-compensating vacancies located at grainboundaries and volume pores, which can capture positronium atoms.Item Фотопружність кристалів лангаситу (La3Ga5SiO14)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Андрущак, А. С.; Дем’янишин, Н. М.; Мицик, Б. Г.; Сольський, І. М.Для кристалів La3Ga5SiO14 поляризаційно-оптичним методом визначено п’єзооптичні коефіцієнти різниці ходу і двозаломлення. Пружні константи, необхідні для встановлення взаємозв’язку між вказаними п’єзооптичними коефіцієнтами, визначені методом імерсійної інтерферометрії. Розкриті особливості цього методу, які необхідно враховувати для отримання достовірних результатів. Значення п’єзооптичних коефіцієнтів двозаломлення (5–1010-12 м2/Н) для лангаситу і ніобату літію співмірні, з чого робимо висновок про доцільність вивчення абсолютного п’єзооптичного ефекту і визначення коефіцієнтів акустооптичної якості лангаситу, особливо з врахуванням високої температурної стабільності фізичних характеристик цих кристалів. For La3Ga5SiO14 crystals piezo-optical coefficients of optical path difference and birefringence by the polarization-optical method were determined. Elastic stiffness constants necessary for interrelation between indicated piezo-optical coefficients were studied by the immersion interferometry method. The method features, which should be took into account for obtaining of reliable data, were revealed. The values of birefringence piezo-optical coefficients (51010-12 m2/N) for langasite and lithium niobate are commensurate. From here we conclude about expediency of absolute piezo-optical effect study and determination of langasite acoustooptical figures of merit, especially at consideration of high temperature stability of these crystals physical parameters.Item Спектральні характеристики багатошарових структур на основі трикомпонентних блоків(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Яремчук, І. Я.; Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Розраховано спектральні характеристики багатошарових діелектричних інтер- ференційних структур, створених багатократним повторенням симетричного трикомпонентного періоду і структури типу діелектрик – тонка плівка металу – діелектрик. Частотні залежності коефіцієнтів пропускання і відбивання цих структур розраховано за допомогою матричного методу. Показано, що кількість періодів у структурі визначає спектральне розміщення смуг пропускання і відбивання, а зміна товщини окремих шарів дає змогу керувати піками цих смуг для певних довжин хвиль. The calculation of spectral characteristics of multilayer dielectrics interference structures produced by multiple repeating of symmetric tree-component period and the types of dielectric – thin film metal – dielectric systems, was conducted. The frequency responses of transmission and reflection of these systems using matrix method were calculated. It is showed that number of periods of structure determines spectral position of transmission and reflection bands and modification of thickness of individual layers allows us to lead peaks of such bands at certain wavelength.Item Хімічне травлення ферогранатових плівок(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Ющук, С. І.; Юр’єв, С. О.; Ніколайчук, В. Й.; Ціж, Б. Р.; Костюк, П. С.Досліджено процеси хімічного травлення ферогранатових епітаксійних плівок Y3Fe5O12 і (Y, Sm, Lu,Ca)3 (Fe,Ge)5O12 в ортофосфорній кислоті в температурному інтервалі 60–175 0С. Розроблено методи формування захисних покрить і масок під час травлення з силіконового клею ПМС–200 і фоторезисту ФП–383. Показано, що на поверхні феритової епітаксійної структури за допомогою хімічного травлення можна формувати ферогранатові елементи круглої форми діаметром 0,5–3 мм з вузькими лініями феромагнітного резонансу. Processes of chemical corrosion of Y3Fe5O12 and (Y, Sm, Lu,Ca)3 (Fe,Ge)5O12 ferrogarnet films on orthophosphor acid at 60…175 0С temperature interval have been investigated. The methods of formation of protective layers and masks at corrosion from silicones ПМС–200 glue and ФП–383 photoresist have been worked out. The possibility to form 0,5…3 mm diameter ferrogarnet elements of circle shape with narrow lines of ferromagnetic resonance by chemical corrosion have been demonstrated.Item Дослідження електричного розряду в комірці Пеннінга з розжарюваним зондом(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Шандра, З. А.Описано результати дослідження розряду Пеннінга з додатковим електродом (зондом), який вводиться в центр розрядного проміжку через отвір в аноді для створення дугового розряду. Досліджено вольт-амперну характеристику дугового розряду, виявлено, що в діапазоні тисків аргону р=0,05-0,5 Па існують мінімальні значення розрядного і зондового струмів для підтримування дуги. Ці критичні параметри пояснюються розігріванням зонда іонним струмом до темперетур, що забезпечують достатньо високий термоемісійний струм. Показано, що інтенсивне розпилення матеріалу зонда в дуговому розряді дає змогу збільшити швидкість напилення плівок вольфраму на порядок порівняно до напилення в комірці Пеннінга з тліючим розрядом. Results of investigation of Penning’s discharge with a probe inserted into the centre of the discharge gap through the anode orifice are described. It is found that the discharge current decreases and the probe becomes heated if its potential is negative up to 1 kV. If the discharge current exceeded 80 mA and the potential of the probe is of 1.15 kV for tungsten or molybden probes, the charge becomes of arc mode. It is found that there exist minimal values of discharge and probe currents necessary for maintaining arc mode. Results of the experiments are accounted for the emergence of thermoemission of the probe. It is shown that intensive sputtering of the probe in arc discharge enables us to increase the rate of deposition of tungsten films by an order as compared to glow charge.Item Перехідні характеристики кріотронів на основі сквідів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.Використовуючи еквівалентну схему та принцип роботи двоконтактного надпровідного квантового інтерферометра (СКВІДа) як елемента комп’ютерної пам’яті, створено математичну модель перехідних процесів у таких елементах пам’яті. Розраховано перехідні характеристики квантових кріотронів під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Здійснено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” → “1” та “1” → “0”. Показано, що стабільно працювати такі кріотрони можуть тільки при логічних переходах “0” → “1”; досліджено вплив амплітуди керуючих імпульсів і середньої тривалості імпульсів на перехідні характеристики кріотронів та їх швидкодію. An equivalent scheme and the principles of operation of a double-contact superconducting quantum interference device (SQUID) used as a memory cell have been incorporated to create a mathematical model of transition processes in such memory cells called quantum criotrons. The transition characteristics of the quantum criotrons with their logical state controlled by impulses of magnetic flux have been calculated. For the logical transitions “0” → “1” and “1” → “0”, the transition processes have been modeled, and the transition characteristics have been obtained. It has been shown that the criotrons’ functioning is stabilized only during the logical transitions “0” → “1”. The dependence of the criotrons’ transition characteristics and speed on the amplitude and average duration of control impulses has been investigated.Item Сенсори деформації для кріогенних температур на основі мікрокристалів кремнію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.Для створення сенсорів деформації, працездатних при кріогенних температурах, досліджено тензометричні характеристики легованих бором ниткоподібних кристалів (НК) Si р-типу, закріплених на сталевих пружних елементах, при температурах 4,2, 77 і 300 К. Показано, що НК Si p-типу з ρ300К≈0,010 Ом×см (R77K/R300K≈1,7) і коефіцієнтом тензочутливості К4,2К≈–1×103 найпридатніші для створення сенсорів деформації на основі некласичного п’єзорезистивного ефекту для кріогенних температур, зокрема, для 4,2 К. Для створення сенсорів деформації для температури рідкого азоту найпридатніші НК Si p-типу з ρ300К=0,013–0,025 Ом×см (R77K/R300K=2,8–3,4) на основі класичного п’єзорезистивного ефекту. To create strain sensors operating at cryogenic temperatures piezoresistive characteristics of boron doped p-type Si whiskers, mounted on steel spring elements fabricated, were studied at temperatures 4.2, 77 and 300 K. P-type Si whiskers with ρ300К ≈0.010 Ohm×cm (R77K/R300K ≈1,7) and gauge factor GF4.2K = –1103 are most suitable to create strain sensors based on the nonclassic piezoresistance for cryogenic temperatures, particularly, for 4.2 K. To create strain sensors for the temperature of liquid nitrogen the most suitable are p-Si whiskers with ρ300К=0.013–0.025 Ohmcm (R77K/R300K=2,8–3,4) based on the classic piezoresistance.Item Інтеркаляційні наноструктури для радіочастотних конденсаторів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Войтович, С. А.; Григорчак, І. І.; Аксіментьєва, О. І.Отримано гетерофазні наноструктури з почерговими напівпровідниковими та електролітними прошарками. Показано, що введення полімерного електроліту в області ван-дер-ваальсових зв’язків кристала призводить до появи додаткового бар’єру в потенціальному рельєфі матриці. Імпедансні дослідження отриманих структур, як і електрохімічно інтеркальованих нікелем та кобальтом монокристалів галій селеніду, дали змогу запропонувати механізм аномальної поведінки діелектричної проникливості в мегагерцовому діапазоні і застосувати його для створення конденсаторів. Heterophase nanostructures with alternate semi-conductor and electrolytic seams are received. It is shown that the insertion of polymer electrolyte into the Van der Waals gap of crystals causes additional potential barriers in them. Impedance investigations of obtained structures as well as of chemically intercalated by nickel and cobalt GaSe single crystal allow to propose mechanisms of anomalous behavior of dielectric permittivity in megahertz range and allow to use it of capacitors.Item Особливості парофазного та твердофазного легування шарів CdHgTe під час епітаксії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Власов, А. П.; Бончик, О. Ю.; Кияк, С. Г.; Савицький, Г. В.; Сімків, Б. О.; Заплітний, Р. А.Проаналізовано ефективність легування вузькощілинних епітаксійних шарів CdHgTe акцепторною домішкою під час ізотермічної епітаксії в замкненому об’ємі методом ВКД (випаровування-конденсація-дифузія) при використанні парового та твердофазного джерел арсена. Ефективність легування оцінювали порівнянням результатів мас-спектрометрії вторинних іонів і гальваномагнітних досліджень. Для контролю структурної досконалості одержаних експериментальних зразків застосовано неруйнівний рентгеноструктурний аналіз. Показано, що контрольованість легування арсеном під час епітаксійного нарощування cdhgte досягається при використанні твердофазного джерела домішки. The analysis of doping efficiency of narrow gap CdHgTe epitaxial layers by acceptor dopant in the process of isothermal growth in closed volume by the ECD (evaporationcondensation- diffusion) method using vapour and solid state sources of arsenic is performed. Doping efficiency was estimated by comparison of SIMS and galvanomagnetic investigations’ results. Structural perfection of the obtained experimental samples was controlled by means of non-destructive X-ray diffraction analysis. It is shown that precise control over the process of arsenic doping during epitaxial growth of CdHgTe can be achieved when using solid state source of impurity.Item Прогнозування експлуатаційної довговічності прямоканальних W-Th-W2C катодів потужних електронних ламп(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Бондарчук, Я. М.; Сенменчук, В. Д.Запропоновано методику прогнозування експлуатаційної довговічності W-Th катодів генераторно-модуляторних ламп за допомогою розрахунку й контролю значень відсотка карбідування. It is offered a technique of forecasting of operational durability W-Th cathodes generator-modulator lamps. Forecasting is made by by calculation and the control of values of percent of the W2C.