Електроніка. – 2006. – №558

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36578

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2006. – № 558 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 140 с. : іл.

Browse

Filters

20062

Settings

Author: search.filters.author.Дружинін, А. О.Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Сенсори деформації для кріогенних температур на основі мікрокристалів кремнію
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.
    Для створення сенсорів деформації, працездатних при кріогенних температурах, досліджено тензометричні характеристики легованих бором ниткоподібних кристалів (НК) Si р-типу, закріплених на сталевих пружних елементах, при температурах 4,2, 77 і 300 К. Показано, що НК Si p-типу з ρ300К≈0,010 Ом×см (R77K/R300K≈1,7) і коефіцієнтом тензочутливості К4,2К≈–1×103 найпридатніші для створення сенсорів деформації на основі некласичного п’єзорезистивного ефекту для кріогенних температур, зокрема, для 4,2 К. Для створення сенсорів деформації для температури рідкого азоту найпридатніші НК Si p-типу з ρ300К=0,013–0,025 Ом×см (R77K/R300K=2,8–3,4) на основі класичного п’єзорезистивного ефекту. To create strain sensors operating at cryogenic temperatures piezoresistive characteristics of boron doped p-type Si whiskers, mounted on steel spring elements fabricated, were studied at temperatures 4.2, 77 and 300 K. P-type Si whiskers with ρ300К ≈0.010 Ohm×cm (R77K/R300K ≈1,7) and gauge factor GF4.2K = –1103 are most suitable to create strain sensors based on the nonclassic piezoresistance for cryogenic temperatures, particularly, for 4.2 K. To create strain sensors for the temperature of liquid nitrogen the most suitable are p-Si whiskers with ρ300К=0.013–0.025 Ohmcm (R77K/R300K=2,8–3,4) based on the classic piezoresistance.
  • Thumbnail Image
    Item
    Сучасний стан і напрямки розвитку нанометрової літографії (огляд)
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Голота, В. І.; Дружинін, А. О.; Когут, І. Т.
    Розглянуто сучасний стан і напрямки досліджень нанометрової літографії. Наведено характеристики оптичної і альтернативних безмаскових літографій для масового виробництва ІС. Виділено напрямки досліджень і задачі, які необхідно розв’язати для створення α-версії вітчизняної матрично-емітерної літографії. Запропоновано апаратну декомпресію даних на основі модифікованого методу BWT із збільшеними буферами стискання. Запропоновано інтегровані КМОН КНІ структури на основі базових матричних кристалів для реалізації ІС, логіки, пам’яті і керування випромінювачами. The modern state and research directions of nanometer lithography are considered. Descriptions of optical and alternative maskless lithography for industrial VLSI production are presented. Research directions and tasks, which are necessary to solve for α-version of matrix emitters lithography realization are selected. The BWT hardware data decompression with extended sorting buffer is offered. The integrated CMOS SOI structures on the basis of base matrix crystals for realization of logic, memory and control VLSI for matrix emitters are offered.