Infocommunication Technologies and Electronic Engineering
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/57471
Browse
Item Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці(Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Дружинін, А.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Лях-Кагуй, Н.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Hoverko, Yu.; Liakh-Kaguy, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.Item Оцінка низькотемпературних параметрів обмінної взаємодії полікристалічних шарів у КНІ-структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2021-01-31) Дружинін, А.; Когут, І.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Мороз, А.; Druzhinin, A.; Kohut, I.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Moroz, A.; Національний університет “Львівська політехніка”; Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника; Lviv Polytechnik National UniversityВивчено особливості перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках у КНІструктурах, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал – діелектрик. Досліджено магнетоопір полікремнію у КНІ-структурах під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей полі-Si. Встановлено, що за низькотемпературного перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках наявна стрибкова провідність, параметри якої можна оцінити за сильної спін-орбітальної взаємодії у межах теорії слабкої локалізації.