Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 7 of 7
  • Thumbnail Image
    Item
    Залежність дисперсії результатів вимірювання від тривалості вимірювань
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Колодій, З. О.; Яців, М. Р.; Kolodiy, Zenoviy; Yatsiv, Maksym; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Наведено результати статистичних вимірювань електричного опору металоплівкового резистора. Статистичні вимірювання подано у вигляді N вимірювань, здійснених через однакові проміжки часу Δt протягом загального часу вимірювання T. Отримана залежність стандартного відхилення результатів вимірювання від N підтверджує результати інших досліджень: зі зростанням N – зі збільшенням часу вимірювання T – дисперсія результатів вимірювання перестає зменшуватись. Сформульовано гіпотезу про вплив нерівноважного стану об’єкта досліджень на дисперсію результатів вимірювання. Запропоновано як один зі способів виявлення нерівноважного стану об’єкта досліджень аналіз енергетичного спектра флуктуацій його параметрів. Енергетичний спектр результатів вимірювань є нерівномірним і подібним до флікер-шуму, відтак досліджуваний об’єкт не у рівноважному стані, що може вплинути на дисперсію результатів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Можливість виявлення потенційно ненадійних елементів електроніки
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Колодій, З. О.; Крук, О. Г.; Kolodiy, Z.; Kruk, O.; Національний університет «Львівська політехніка»; Lviv Polytechnic National University
    Наведено результати комп’ютерного моделювання власного шуму елемента електроніки (ЕЕ) для різних моделей його внутрішньої структури. Наведено результати експериментальних досліджень власного шуму ЕЕ в діапазоні низьких частот, які підтверджують результати комп’ютерного моделювання, а саме: вищий рівень шуму в діапазоні низьких частот мають ті ЕЕ, у внутрішній структурі яких більше дефектів. Наведено аналітичний вираз енергетичного спектра власного шуму ЕЕ, у якому параметр τ залежить від особливостей внутрішньої структури ЕЕ. Показано, що виявлення потенційно ненадійних елементів можна здійснювати або за рівнем їхнього власного шуму в діапазоні низьких частот, або за значенням параметра τ.
  • Thumbnail Image
    Item
    Різновидні флюктуації в твердих тілах та концепція їх поєднаного вивчення
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Колодій, З. О.; Луцик, Я. Т.; Стадник, Б. І.; Яцишин, С. П.
    Розглянуто різні види енергетичних флюктуацій у матеріалах та визначено можливості їх поєднаного вивчення. Consideration of energetic fluctuations in solid state materials based upon general conception is proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Метод флікер-шумової спектроскопії
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Мандзій, Б. А.; Колодій, З. О.; Яцишин, С. П.; Колодій, А. З.
    Method of determining the processes that take place inside the investigated system is presented here. Method is based on the analysis of energy spectrum of investigated system own noises. Using energy spectrum of own noises that is experimentally found it is calculated the constant of system relaxation time τ. Processes that take place inside the system affect the value of τ. Analysis of values of the constant of relaxation time gives the possibility to obtain the information about the character of inner processes. Energy spectrum of own noises of real systems including semiconductors is not the same in the whole range of frequencies. On the middle and high frequencies energy spectrum value S(f) is the same but on the low frequencies (f→0) it is observed the inverse proportion of spectrum from the frequency. Such irregularity of energy spectrum is explained by unbalanced state of real system. Without external influences on the system (the condition of measurement) the system moves to balanced state through relaxation processes. Depending on the peculiarities of system structure defects the probability of one of all possible relaxation mechanisms with time τ is the highest. Analysis of times of relaxation spectrum gives the possibility to reveal almost all main characteristics of structure of solid solutions but empirical estimate of parameter τ is connected with some methodical difficulties and does not provide necessary precision of valuations. Energy spectrum of own noises of investigated system S(f) depends on the value τ thus the constant of system relaxation time can be found using experimentally calculated S(f). Value τ found in such way can be compared with theoretically calculated value τ during predicted the biggest probability the one of possible relaxation mechanisms. If experimental and theoretical τ value are close it is possible to find the relaxation mechanisms that take place in the investigated system. The authors performed experimental investigations of energy spectrum of own noises of electronic elements based on resistors and also on silicon epitaxial planar diodes. In investigated resistors the relaxation processes are connected with appearing and disappearing of quasi-equilibrium vacancies. In semiconducting diode generating-recombination processes happen faster than appearing and disappearing of quasi-equilibrium vacancies, thus the relaxation constant for diode is smaller than for resistors. It was conducted the investigation of parameters of resistor own noises with conducted film of metal oxide on the surface and with mechanical damages of film. Based on the obtained energy spectrums of their noises it was calculated the relaxation constants of examples of investigated resistors. In the structure of conducted film of investigated resistors besides quasi-equilibrium vacancies other defects appeared, for example micro-cracks. Appearing of such defects accelerate the relaxation processes that can be seen in the reduction of relaxation constants of investigated examples. Запропоновано метод визначення процесів, що відбуваються всередині досліджуваної системи. Метод ґрунтується на аналізі енергетичного спектра власних шумів досліджуваної системи. За експериментально визначеним енергетичним спектром власних шумів визначається постійна часу релаксації системи τ. Процеси, що відбуваються всередині системи, впливають на значення τ. Аналіз значень постійної часу релаксації дає змогу отримати інформацію про характер внутрішніх процесів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Флікер-шум елементів електроніки
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Колодій, З. О.
    Проведено експериментальні дослідження флікер-шуму резисторів типу МЛТ-0,125 та С-2-23 з різною потужністю розсіяння та діодів типу 2D503А. Виявлено зростання рівня шумів на низьких частотах із зменшенням потужності розсіяння резисторів. На основі експериментальних результатів визначено час релаксації τ резисторів та діодів. За відомим значенням τ можна визначити рівень власних шумів елементів електроніки в практичному діапазоні частот від f1 → 0 до f2 =1·109 Гц. Experimental researches of licker-noise of resistors such as MLT-0,125 and С-2-23 with different power dispersion and diodes of 2D503А type were performed. It was found the growth of noises level on low requencies with diminishing of resistors dispersion power. Relaxation time τ of resistors and diodes was found based on the experimental results. Based оn known value of τ it is possible to figure out the level of own noises of electronic elements in the ractical range of frequencies from f1 → 0 to f2 =1·109 Hz.
  • Thumbnail Image
    Item
    Методика оцінки дефектності структури елементів електроніки за рівнем їх флікер-шуму
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009) Колодій, З. О.; Недоступ, Л. А.; Колодій, А. З.
    Запропоновано методику оцінки дефектності структури елементів електроніки за мінімальним значенням спектральної густини потужності їх флікер-шуму і мінімальним значенням середнього квадрата напруги шумів в діапазоні низьких частот. The method of estimation of electronic elements reliability using their minimal value of flicker-noise power spectral density and minimal value of noises voltage average square in the range of low frequencies is proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Механічне моделювання флікер-складової спектра
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Колодій, З. О.; Депко, П.
    Створена механічна модель хаотичного руху кульок у замкненій коробці з метою підтвердити адекватність комп’ютерної моделі. Виконаний пошук та аналіз факторів, що впливають на характер флікер-складової енергетичного спектра. The mechanical model of chaotic motion of balls the closed box is created with the purpose of confirming adequacy of computer model. The search and analysis of factors which have an influence on the flicker-constituent character of power spectrum is conducted.