Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Готра, З. Ю.; Волинюк, Д. Ю.; Возняк, Л. Ю.; Костів, Н. В.
    Запропоновано використання в якості транспортного шару фталоціаніну нікелю (NiPc) для підвищення ефективності роботи та електролюмінесценції органічних світловипромінювальних діодів. Створено світлодіодні структури ITO/NiPc/Alq3/PEGDE/Al та ITO/Alq3/PEGDE/Al та проведено порівняльний аналіз їхніх вольт-амперних та яскравісних характеристик. Показано, що використання плівки NiPc як дірково-транспортного шару призводить до зниження напруги живлення та покращання яскравісних характеристик органічних світлодіодів. Зниження напруги живлення відбувається за рахунок пониження потенціального бар’єра для дірок на границі розділу анод – світловипромінювальний шар. Збалансованість дрейфового потоку нерівноважних дірок, які інжектуються з NiPc, та електронів Al в шар Alq3, призводить до покращання яскравісних характеристик органічного світлодіода. Additional layer greatly improved OLED performance. In this work we have proposed using nickel phtalocyanine (NiPc) as hole transport layer. Also we have also measured current–voltage and luminescent characteristics of structures with transport layer NiPc. The efficient using NiPc hole transport layer was shown. NiPc transport layer reduce the operation voltage. It is occurred due to lowering the potential barrier for holes in ligh–temitting structure.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження нанорозмірних плівок фталоціаніну нікелю (NIPC) для елементів пам’яті
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Готра, З. Ю.; Волинюк, Д. Ю.; Костів, Н. В.; Шпатар, П. М.
    Наведено результати досліджень термовакуумно напилених тонких плівок органічного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc) за різних швидкостей осадження для елементів пам’яті. Проведено рентгеноструктурний аналіз та виявлено морфологічні особливості тонких плівок NiPc. Досліджено вольт-амперні (ВАХ) та імпедансні характеристики структури ITO/NiPc/Al. Виявлено бістабільний характер поведінки структури ITO/NiPc/Al, сформованої із високою швидкістю осадження NiPc. In this work presented the results of investigation of nickel phthalocyanine (NiPc) thin films prepared by thermal vacuum deposition with different deposition rate for memory cells. XRay diffraction and surface morphology images of NiPc thin films were investigated. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al. Revealed bistable behavior of structure ITO/NiPc/Al fabricated with high deposition rate of NiPc.