Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Центри зелено-жовтого та червоного свiчення в кристалах йодистого кадмiю
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Рудка, М. М.
    Показано, що домiнуючими центрами свiчення в шаруватих кристалах CdJ2 є асоцiйованi донор-акцепторнi (ДА) комплекси точкових дефектiв структури у складi катiонної вакансiї та мiжвузлового кадмiю. Шарувата структура кристала зумовлює два рiзнi типи таких власних ДА пар: “катiонна вакансiя – мiжвузловий кадмiй в структурному шарi”; “катiонна вакансiя – мiжвузловий кадмiй мiж шарами”. Є можливою також їх асоцiацiя в складнi комплекси типу (Cdi − VCd − Cd+ ). Спектральне положення та тривалiсть донор-акцепторної люмiнесценцiї визначаються енергетичними параметрами таких центрiв свiчення i швидкiстю локалiзацiї на них нерiвноважних генетичних електронно-дiркових пар. Показано, что доминирующими центрами свечения в слоистых кристаллах CdJ2 являются ассоциированные донорно-акцепторные (ДА) комплексы точечных дефектов структуры в составе катионной вакансии и межузельного кадмия. Слоистая структура кристалла способствует образованию двух разных типов таких собственных ДА пар: "катионная вакансия – межузельный кадмий в структурном слое"; "катионная вакансия – межузельный кадмий между слоями". Возможна также их ассоциация в сложные комплексы типа (Cd0 −VCd −Cd+ ). Спектральное положение и длительность донорно-акцепторной люминесценции определяются энергетическими параметрами таких центров свечения и скоростью локализации на них неравновесных генетических электронно-дырочных пар. Shown that the dominant centers of luminescence in layered crystals CdJ2 is associated donor-acceptor (DA) complexes of point defects within the cation vacancy and interstitial cadmium. Layered structure of a crystal leads to two different types of such of their DA pairs: “cationic vacancy – Interstitial cadmium in the structural layer”; “cationic vacancy – Interstitial cadmium between the layers”. Possible and their association in a complex type (Cd0 − VCd − Cd+ ). Wavelength position and duration of donor-acceptor luminescence are determined by the energy parameters of the emission centers and rate localization of these non-equilibrium genetic electron-hole pairs.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дрейфова рухливiсть носiїв заряду в шаруватих кристалах йодистого кадмiю
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рудка, М. М.
    Показано, що в провiдностi чистих монокристалiв CdJ2 вздовж головної кристалографiчної осi C6 нижче 140 К домiнують електрони, а вище 150 К – дiрки. Вище 250 К в процесах переносу заряду переважаєiонна провiднiсть, в якiй до 320 К домiнуєрух катiонiв по вакансiях металу з дрейфовою рухливiстю близько 0, 002 см2/(В·с). У фотопровiдностi кристалiв CdJ2 рухливiшими за кiмнатних температур єнерiвноважнi дiрки iз μ ∼= 0, 005 см2/(В·с). Вище за 350 К в iоннiй провiдностi домiнуєдрейф анiонiв по вакансiях йоду.Shown that the conductivity of pure single crystals CdJ2 along the main crystallographic axis C6 below 140 K is dominated by electrons, and above 150 K by holes. Above 250 K in the processes of charge transport is dominated ion conduction, in which up to 320 K is dominated by the movement of cation vacancies on the metal with a drift mobility of about 0.002 cm2/(V· s). In photoconductivity CdJ2 crystals at room temperature more moving is non-equilibrium holes with μ ∼= 0.005 cm2/(V· s). Above 350 K in ion conduction is dominated by drift anion vacancies iodine.