Дрейфова рухливiсть носiїв заряду в шаруватих кристалах йодистого кадмiю

Abstract

Показано, що в провiдностi чистих монокристалiв CdJ2 вздовж головної кристалографiчної осi C6 нижче 140 К домiнують електрони, а вище 150 К – дiрки. Вище 250 К в процесах переносу заряду переважаєiонна провiднiсть, в якiй до 320 К домiнуєрух катiонiв по вакансiях металу з дрейфовою рухливiстю близько 0, 002 см2/(В·с). У фотопровiдностi кристалiв CdJ2 рухливiшими за кiмнатних температур єнерiвноважнi дiрки iз μ ∼= 0, 005 см2/(В·с). Вище за 350 К в iоннiй провiдностi домiнуєдрейф анiонiв по вакансiях йоду.Shown that the conductivity of pure single crystals CdJ2 along the main crystallographic axis C6 below 140 K is dominated by electrons, and above 150 K by holes. Above 250 K in the processes of charge transport is dominated ion conduction, in which up to 320 K is dominated by the movement of cation vacancies on the metal with a drift mobility of about 0.002 cm2/(V· s). In photoconductivity CdJ2 crystals at room temperature more moving is non-equilibrium holes with μ ∼= 0.005 cm2/(V· s). Above 350 K in ion conduction is dominated by drift anion vacancies iodine.