Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.; Tyhanskyi, M. V.; Krysko, R. R.; Partyka, A. I.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Математично змодельовано і досліджено перехідні процеси в джозефсонівських кріотронах (ДК) під час керування їх логічним станом імпульсами струму при азотних температурах. Показано, що керування логічним станом кріотронів імпульсами струму, форму яких можна описати часовою функцією e-1t, є більш ефективним, ніж керування імпульсами струму гауссівської форми.
  • Thumbnail Image
    Item
    Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.