Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb від температури опромінення. Наведені результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показані особливості поведінки параметрів сенсорів на основі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами. The dependence of parameter stability for InAs- and InSb-based film sensors of magnetic field from irradiation temperature has been investigated. Results of the research into the effect of neutron spectrum on the value of sensitivity change for sensors are presented. Features of parameter behaviour for sensors on the basis of multilayer heterostructures irradiated with electrons and reactor neutrons are shown.Item Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпровідникових матеріалів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.Проаналізовані методи контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів з використанням опромінення високоенергетичними частинками. Визначено, що для контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів групи ІІІ-V, зокрема, InSb, перспективним є використання методу радіаційної модифікації. Наведені результати дослідження впливу радіаційної модифікації на стабілізацію параметрів сенсорів магнітного поля на основі гетероструктур InSb/i-GaAs. Methods applied to alter the parameters of semiconductor materials in controlled fashion using high-energy particle irradiation have been analysed. It has been determined that radiation modification is a method promising for the controlled parameter alteration of III-V group semiconductor materials, notably InSb. Results of the study into the effect exerted by radiation modification on the parameter stabilization observed in InSb/i-GaAs heterostructure-based magnetic field sensors are presented.Item Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Віерербл, Л.; Дюран, І.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.; Мороз, А. П.; Ковальова, Н. В.Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури. Проведены исследования влияия нейтронного облучения на параметры тонкопленочных сенсоров магнитного поля на основе InAs и InSb. Определено влияние спектра нейтронов на величину изменения параметров сенсоров. Представлены результаты отжига радиационных дефектов облученных образцов. Показано, что изменения параметра сенсоров на основе многослойных структур определяется не только проведением,материала рабочего слоя, но и влиянием нейтронного облучения на свойства буферных слоев данной структури.The investigation of neutron irradiation e ect on the parameters of thin-film magnetic field sensors based on InAs and InSb was conducted. The e ffect of neutron spectrum on sensor parameters' change value was determined. The results of radiation defects' annealing of the irradiated samples are presented. It is shown that parameter change of the sensors based on multilayer structures are defined by not only the working layer behavior, but also by the impact of neutron irradiation on the buffer layer properties of this structure.