(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка
Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами
лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних
реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в
йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах
закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена
залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er,
від кількості введеної в шихту домішки.
