Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм

No Thumbnail Available

Date

2005-03-01

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.
The possibility of indium antimonide microcrystals alloying by lanthanides range elements in the process of its growth by chemical transport reactions is researched. For the first time the physics-chemical processes modeling, which take place in InSb-Er-J2 iodide system during crystal growth in ampullaceous reactors of closed type, is performed and optimal temperatures of their growth are determined. Dependence of electro-physical parameters of grown microcrystals InSb alloyed by Er from the quantity of introduced impurity into (furnace) charge is determined.

Description

Keywords

Citation

Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, Р. В. Луців, О. Ю. Макідо, Т. А. Московець // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 15–20.