Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Author: search.filters.author.Guminilovych, Ruslana

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Optimization of Synthesis Conditions of Mercury Selenide Thin Films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2020-03-16) Sozanskyi, Martyn; Stadnik, Vitalii; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Stepan; Lviv Polytechnic National University
    На скляних підкладках методом хімічного осадження отримані плівки меркурій селеніду (HgSe). Використано водні розчини меркурій(II) нітрату, натрію тіосульфату, натрію селеносульфату та тринатрій цитрату. Проведено рентгенофазовий та елементний аналіз зразка плівки. Досліджено вплив концентрації вихідних реагентів, тривалості та температури синтезу на масу плівок HgSe та обчислено товщину покриттів. Досліджено оптичні та морфологічні властивості покриття HgSe. Обговорено механізм осадження
  • Thumbnail Image
    Item
    Synthesis and properties of mercury selenide films deposited by using pottasium iodide as complexing agent
    (Lviv Politechnic Publishing House, 2017-01-20) Sozanskyi, Martyn; Stadnik, Vitalii; Chaykivska, Ruslana; Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Lviv Polytechnic National University
    Методом хімічного осадження ванн отри- мано плівки меркурій селеніду (HgSe) на скляних підкладках з використанням водних розчинів меркурій(II) нітрату, калій йодиду і натрій селеносульфату. Проведено рентгенофазовий та структурний аналіз отриманих зразків плівок за двох різних температур синтезу. Досліджено вплив тривалості осадження на оптичні та морфологічні властивості плівок HgSe. Обговорено механізм осадження.
  • Thumbnail Image
    Item
    Modeling of chemical surface deposition (CSD) of CdS and CdSe semiconductor thin films
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Shapoval, Stepan
    A mathematical model of the chemical surface deposition process of CdS and CdSe thin films, which allows determining the concentration of reagents, as well as duration and temperature for CSD needed to obtain films of the set thickness was designed. The adequacy of model was tested by Fisher's criterion. The nomogram of dependence of cadmium ions content on the initial deposition parameters was built according to the results of experimental studies and approximated by mathematical dependence. Розроблена математична модель процесу хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS та CdSe, яка дає можливість визначити концентрації реагентів, тривалість та температуру ХПО, необхідні для одержання плівок заданої товщини. Адекватність моделі перевірено за критерієм Фішера. За результатами експериментальних досліджень побудована номограма залежності вмісту йонів кадмію від вихідних параметрів осадження, яка апроксимована математичною залежністю.
  • Thumbnail Image
    Item
    The conditions effect of obtaining CdS and CdSe films on their structural and optical properties
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2013) Shapoval, Pavlo; Guminilovych, Ruslana; Yatchyshyn, Iosyp
    The conditions effect of obtaining CdS and CdSe thin films by a chemical surface deposition method (CSD)on their structural and optical properties has been studied. The optical transmission, absorption spectra and surface morphology of films and degree of phase uniformity were investigated. The content of cadmium ions in the obtained coatings by the method of voltammetry inversion was defined. The thickness of the obtained semiconductor films was calculated according to the mass of cadmium. The optimum conditions for obtaining CSD films of the given thickness with a minimum number of defects on the surface were established. Досліджено вплив умов одержання тонких плівок CdS і CdSe методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) на їх структурні та оптичні властивості. Досліджено оптичні спектри пропускання та поглинання, морфологію поверхні плівок та ступінь їх фазової однорідності. Методом інверсійної вольтамперометрії визначено вміст йонів кадмію в одержаних покриттях. За отриманими даними маси кадмію розраховано товщини отриманих напівпровідникових плівок. Встановлено оптимальні умови ХПО для одержання плівок заданої товщини з мінімальною кількістю дефектів на поверхні.