Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Has files: YesSubject: search.filters.subject.шаруватi кристали

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Electron spectrum of intercalated stage ordered layered structures: periodic Anderson model approach
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Stasyuk, I. V.; Velychko, O. V.
    Influence of intercalation on the electronic band structure of the layered nanohybrid compound of the GaSe-type with a stage ordering (three layers in the packet in the considered case) is studied in the modified version of the periodic Anderson model. Density of electron states for the intercalated system is calculated both in the impurity single-level approximation and the one with the level smearing out (of the Lorentzian-type) due to local electron correlations. Intercalated particles form an additional band (usually placed near the bottom of the main band) like the narrow impurity band (being far enough from the main band) or the more extended band hybridized with the main one (for the case of overlapping). The most pronounced transformation of the main band takes place in the vicinity of the impurity level. Changes in the total density of electron states due to the broadening of impurity levels and the increase of the intercalant concentration are analyzed. Вплив iнтеркаляцiї на електронну зонну структуру шаруватої наногiбридної сполуки типу GaSe зi стадiйним впорядкуванням (три шари в пакетi в цьому випадку) вивчено у модифiкованiй версiї перiодичної моделi Андерсона. Густину електронних станiв iнтеркальованої системи розраховано як у наближеннi однорiвневої домiшки, так i домiшки з лоренцiвським розмиттям рiвня, спричиненим електронними кореляцiями. Iнтеркальованi частинки формують додаткову зону (зазвичай, розташовану бiля дна основної зони) у виглядi вузької домiшкової зони (за достатньої вiддаленостi вiд основної) або достатньо широкої, що гiбридизується з основною (у разi їх перекриття). Найбiльш виражена змiна основної зони вiдбувається поблизу домiшкового рiвня. Проаналiзовано змiни у повнiй густинi електронних станiв, що виникають завдяки розширенню домiшкових рiвнiв та збiльшенню концентрацiї iнтеркалянта.
  • Thumbnail Image
    Item
    Центри зелено-жовтого та червоного свiчення в кристалах йодистого кадмiю
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Рудка, М. М.
    Показано, що домiнуючими центрами свiчення в шаруватих кристалах CdJ2 є асоцiйованi донор-акцепторнi (ДА) комплекси точкових дефектiв структури у складi катiонної вакансiї та мiжвузлового кадмiю. Шарувата структура кристала зумовлює два рiзнi типи таких власних ДА пар: “катiонна вакансiя – мiжвузловий кадмiй в структурному шарi”; “катiонна вакансiя – мiжвузловий кадмiй мiж шарами”. Є можливою також їх асоцiацiя в складнi комплекси типу (Cdi − VCd − Cd+ ). Спектральне положення та тривалiсть донор-акцепторної люмiнесценцiї визначаються енергетичними параметрами таких центрiв свiчення i швидкiстю локалiзацiї на них нерiвноважних генетичних електронно-дiркових пар. Показано, что доминирующими центрами свечения в слоистых кристаллах CdJ2 являются ассоциированные донорно-акцепторные (ДА) комплексы точечных дефектов структуры в составе катионной вакансии и межузельного кадмия. Слоистая структура кристалла способствует образованию двух разных типов таких собственных ДА пар: "катионная вакансия – межузельный кадмий в структурном слое"; "катионная вакансия – межузельный кадмий между слоями". Возможна также их ассоциация в сложные комплексы типа (Cd0 −VCd −Cd+ ). Спектральное положение и длительность донорно-акцепторной люминесценции определяются энергетическими параметрами таких центров свечения и скоростью локализации на них неравновесных генетических электронно-дырочных пар. Shown that the dominant centers of luminescence in layered crystals CdJ2 is associated donor-acceptor (DA) complexes of point defects within the cation vacancy and interstitial cadmium. Layered structure of a crystal leads to two different types of such of their DA pairs: “cationic vacancy – Interstitial cadmium in the structural layer”; “cationic vacancy – Interstitial cadmium between the layers”. Possible and their association in a complex type (Cd0 − VCd − Cd+ ). Wavelength position and duration of donor-acceptor luminescence are determined by the energy parameters of the emission centers and rate localization of these non-equilibrium genetic electron-hole pairs.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дрейфова рухливiсть носiїв заряду в шаруватих кристалах йодистого кадмiю
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рудка, М. М.
    Показано, що в провiдностi чистих монокристалiв CdJ2 вздовж головної кристалографiчної осi C6 нижче 140 К домiнують електрони, а вище 150 К – дiрки. Вище 250 К в процесах переносу заряду переважаєiонна провiднiсть, в якiй до 320 К домiнуєрух катiонiв по вакансiях металу з дрейфовою рухливiстю близько 0, 002 см2/(В·с). У фотопровiдностi кристалiв CdJ2 рухливiшими за кiмнатних температур єнерiвноважнi дiрки iз μ ∼= 0, 005 см2/(В·с). Вище за 350 К в iоннiй провiдностi домiнуєдрейф анiонiв по вакансiях йоду.Shown that the conductivity of pure single crystals CdJ2 along the main crystallographic axis C6 below 140 K is dominated by electrons, and above 150 K by holes. Above 250 K in the processes of charge transport is dominated ion conduction, in which up to 320 K is dominated by the movement of cation vacancies on the metal with a drift mobility of about 0.002 cm2/(V· s). In photoconductivity CdJ2 crystals at room temperature more moving is non-equilibrium holes with μ ∼= 0.005 cm2/(V· s). Above 350 K in ion conduction is dominated by drift anion vacancies iodine.
  • Thumbnail Image
    Item
    Прикрайова фотопровiднiсть шаруватих кристалiв йодистого кадмiю
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рудка, М.
    Показано, що в шаруватих монокристалах CdJ2 в областi краю їх фундаментального поглинання вирiшальну роль в фотопровiдностi та люмiнесценцiї вiдiграють дефекти структури, нерiвноважнi генетичнi електронно-дiрковi паритафонони. Фотопровiднiсть йодистого кадмiю за цих умов контролюється рiвнями захоплення рiзної глибини для носiїв заряду за умов екситон-фононного збудження. Нижче температури за 130К у фотопровiдностi йодистого кадмiю домiнують нерiвноважнi електрони , а вище за 150К - нерiвноважнi дiрки. У провiдностi CdJ2 вище за 200 К присутня також прогресуюча з температурою iонна складова. It is shown that decisive role in photoconductivity and luminescence of layered crystals Cd J2 near absorption edge appertain to defects of structure, nonequilibrium genetic electron-hole pairs and phonons. it is obtain that nonequilibrium electrons are prevail in photoconductivity at T< 130 K, and nonequilibrium holes - at T>150 K. At conductivity Cd J2 above T = 200 K are also progressing with themperature ionic component presented.