Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
4 results
Search Results
Item Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.; Tyhanskyi, M. V.; Krysko, R. R.; Partyka, A. I.; Національний університет “Львівська політехніка”Математично змодельовано і досліджено перехідні процеси в джозефсонівських кріотронах (ДК) під час керування їх логічним станом імпульсами струму при азотних температурах. Показано, що керування логічним станом кріотронів імпульсами струму, форму яких можна описати часовою функцією e-1t, є більш ефективним, ніж керування імпульсами струму гауссівської форми.Item Принцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Смеркло, Л. М.; Невзоров, В. В.; Беген, В. І.; Невзорова, Т. В.; Галкіна, Л. В.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет "Львівська політехніка"Розглянута структура та принципи побудови САПР для проектування потужних МОН ПТ. Розглянуті особливості МОН ПТ, які заважають прийняттю оптимальних конструкторсько-технологічних рішень. Показано, що САПР для потужних МОН ПТ повинна сприяти забезпеченню високих техніко-економічних показників транзисторів, які проектуються.Item Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.Item Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.; Дорош, Н. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.