Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
Search Results
Item Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type hβ − CDhFeSO4ii) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)(Видавництво Львівської політехніки, 2021-03-01) Костробій, П. П.; Іващишин, Ф. О.; Маркович, Б. М.; Токарчук, Михайло Васильович; Kostrobij, P. P.; Ivashchyshyn, F. O.; Markovych, B. M.; Tokarchuk, M. V.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут фізики конденсованих систем НАН України; Lviv Polytechnic National University; Institute for Condensed Matter Physics of NAS of UkraineЗапропоновано статистичний підхід опису процесів переносу носіїв заряду у гібридних наноструктурах з врахуванням електромагнітних полів із застосуванням методу нерівноважного статистичного оператора Зубарєва. Отримано узагальнені рівняння переносу, які описують немарковські процеси переносу заряду у системі з врахуванням магнітних та поляризаційних процесів під впливом зовнішніх та індукованих внутрішніх електромагнітних полів. Розглянуто слабо нерівноважні процеси переносу заряду у наноструктурах та отримано нерівноважний статистичний оператор, за допомогою якого записано магніто-дифузійні рівняння переносу для електронів у шаруватих наноструктурах. Отримано узагальнене рівняння дифузії типу Кеттано у часових дробових похідних для електронів з характерним часом релаксації та запропоновано узагальнену модель, що враховує складність релаксаційних електро-магнііто дифузійних процесів для електронів у шаруватих наноструктурах.