Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type hβ − CDhFeSO4ii) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
Date
2021-03-01
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Lviv Politechnic Publishing House
Lviv Politechnic Publishing House
Abstract
Запропоновано статистичний підхід опису процесів переносу носіїв заряду у гібридних наноструктурах з врахуванням електромагнітних полів із застосуванням методу
нерівноважного статистичного оператора Зубарєва. Отримано узагальнені рівняння
переносу, які описують немарковські процеси переносу заряду у системі з врахуванням магнітних та поляризаційних процесів під впливом зовнішніх та індукованих
внутрішніх електромагнітних полів. Розглянуто слабо нерівноважні процеси переносу заряду у наноструктурах та отримано нерівноважний статистичний оператор,
за допомогою якого записано магніто-дифузійні рівняння переносу для електронів у
шаруватих наноструктурах. Отримано узагальнене рівняння дифузії типу Кеттано у
часових дробових похідних для електронів з характерним часом релаксації та запропоновано узагальнену модель, що враховує складність релаксаційних електро-магнііто
дифузійних процесів для електронів у шаруватих наноструктурах.
A statistical approach to description of the charge carrier transfer processes in hybrid nanostructures taking into account electromagnetic fields is proposed using the method of the nonequilibrium statistical operator Zubarev. Generalized transfer equations are obtained, which describe non-Markov processes of charge transfer in the system taking into account magnetic and polarization processes under the influence of external and induced internal electromagnetic fields. Weakly nonequilibrium charge transfer processes in nanostructures are considered, and a nonequilibrium statistical operator is obtained, by means of which the magneto-diffusion transfer equations for electrons in layered nanostructures are obtained. A generalized Cattaneo-type diffusion equation in time fractional derivatives is obtained for electrons with a characteristic relaxation time and a generalized model is proposed that takes into account the complexity of relaxation electro-magnetic diffusion processes for electrons in layered nanostructures.
A statistical approach to description of the charge carrier transfer processes in hybrid nanostructures taking into account electromagnetic fields is proposed using the method of the nonequilibrium statistical operator Zubarev. Generalized transfer equations are obtained, which describe non-Markov processes of charge transfer in the system taking into account magnetic and polarization processes under the influence of external and induced internal electromagnetic fields. Weakly nonequilibrium charge transfer processes in nanostructures are considered, and a nonequilibrium statistical operator is obtained, by means of which the magneto-diffusion transfer equations for electrons in layered nanostructures are obtained. A generalized Cattaneo-type diffusion equation in time fractional derivatives is obtained for electrons with a characteristic relaxation time and a generalized model is proposed that takes into account the complexity of relaxation electro-magnetic diffusion processes for electrons in layered nanostructures.
Description
Keywords
нерівноважний статистичний оператор Зубарєва, рівняння дифузії типу Кеттано, дробові похідниі, nonequilibrium statistical operator Zubarev, Cattaneo-type diffusion equation, fractional derivatives
Citation
Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type hβ − CDhFeSO4ii) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe) / P. P. Kostrobij, F. O. Ivashchyshyn, B. M. Markovych, M. V. Tokarchuk // Mathematical Modeling and Computing. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2021. — Vol 8. — No 1. — P. 89–105.