Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Subject: search.filters.subject.alloying

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Regulation of the phase-structural composition and metastability of austenite by alloying elements and parameters of tempering for increase wear-resistance of Fe-Cr-Mn deposited steel
    (Lviv Politechnic Publishing House, 2018-01-29) Cheylyakh, Yan; SHEI "Pryazovskyi State Technical University"
    It is shown that under the influence of alloying (Cr, Mn, C, Si, Ti, N, V) during electric arc hardfacing with a flux cored wire, as well as technological tempering parameters at temperatures of 300–700 °C, the phase-structural composition of the cost-saving alloyed deposited steel (from 0 to 75 % quenching martensite and austenite), the degree of metastability of austenite are regulated. At optimal parameters of alloying and tempering, an increased wear resistance is achieved due to the development of the deformation induced martensite γ→α' transformation of austenite during the wear process, which causes the effect of self-strengthening during testing and operation. This is an important advantage of the developed metastable deposited steel before the deformation-stable metal.
  • Thumbnail Image
    Item
    Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
    Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.