Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії

Loading...
Thumbnail Image

Date

2013

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Львівської політехніки

Abstract

Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.

Description

Keywords

легуввання, рідиннофазна епітаксія, дисилан, слабколеговані шари, alloying, liquid phase epitaxy, disilane, weakly doped layers

Citation

Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 102–106. – Бібліографія: 7 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By