Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії

Abstract

Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.