Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Subject: search.filters.subject.dopant

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Studies on the effect of doping agent on the structure of polyaniline
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2016) Melad, Omar; Jarur, Mariam
    Polyaniline (PANI) doped with hydrochloric acid (HCl), sulpharic acid (H2SO4) and formic acid (HCOOH) was synthesized by a chemical oxidative polymerization technique. The oxidizing agent used for this method is potassium dichromate. The polymer products were characterized by FTIR and UV-visible spectroscopy. The FTIR results showed that the doping degree of PANI-HCOOH is the greatest one. A successful doping of HCOOH in PANI was observed in UV-visible spectroscopy. Three steps decomposition observed from the thermo gravimetric analysis (TGA). Оксидаційною полімеризацією синтезований поліанілін (ПАНІ) з додатками хлорної (HCl), сульфатної (H2SO4) і мурашиної кислоти (НСООН). Біхромат калію використовується як окиснювач. Отримані продукти охарактеризовані за допомогою Фур‘є та УФ-спектроскопії. Показано, що найкращі результати отримані при додаванні НCOOH, що підтверджується УФ-спектроскопією. За допомогою термогравиметричного аналізу визначено три стадії розкладу.
  • Thumbnail Image
    Item
    Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
    Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.
  • Thumbnail Image
    Item
    Organic synthesis and characterization of electrically conducting poly(o-toluidine) doped with organic acid
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2011) Chabukswar, Vasant; Bhavsar, Sanjay; Horne, Amit
    Poly(o-toluidine) doped with acrylic acid and without it was synthesized by using chemical oxidative polymerization technique. With the help of this method the polymer, poly(o-toluidine) was synthesized in the form of emeraldine salt. The oxidizing agent used for this method is the ammonium persulphate .The polymer products were characterized by UV-Visible and FTIR spectroscopy. The polymer, poly(o-toluidine) doped with acrylic acid was highly soluble in common organic solvents like m-cresol, NMP, DMF etc. The FTIR studies demonstrate that the acrylic acid doped poly(o-toluidine) shows broad and intense band at 3250–3000 cm-1 and 1160–1100 cm-1 account for the higher degree of doping. These results are well supported by conductivity measurements. Методом хімічної оксидаційної полімеризації синтезовано полі(о-толуїдин) з додатками акрилової кислоти і без неї у формі емералдіновой солі. Як окисник використано персульфат амонію. З використанням УФ- та Фур'є-спектpоскопії визначено характеристики продукту. Показано, що полі(о-толуїдин) з додатками акрилової кислоти добре розчиняється у таких відомих органічних розчинниках як м-крезол, НМП, ДМФ тощо. Фур’є-спектроскопічними дослідженнями встановлено, що полі(о-толуїдин) з додатками акрилової кислоти має широку та інтенсивну смугу при 3250–3000 см 1 і смугу при 1160–1100 см 1 при більшій кількості додатків. Результати підтверджені вимірюванням провідності.
  • Thumbnail Image
    Item
    Structural investigations of titanium (IV) oxide powder doped with sulphur
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2011) Vakhula, Yaroslav; Besaga, Khristina; Lutsyuk, Iryna; Dobrotvorska, Maria
    Structural features of titanium(IV) oxide powder doped with sulphur (S-TiO2) have been determined. Using scanned electronic microscopy, X-ray phase and diffraction analyses the oxide morphology has been studied. Surface composition of S-TiO2 nanoparticles has been examined by X-ray photoelectron and IR-spectroscopy. Встановлено структурні особливості порошку титану (IV) оксиду, допованого сіркою (S-TiO2). За допомогою скануючої електронної мікроскопії, рентгено- фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено його морфологію, а за допомогою рентгенофотоелектронної та інфрачервоної спектроскопії вивчено поверхневий склад наночастинок S-TiO2.