Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Subject: search.filters.subject.germanium

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Crystal structure of the ternary compound ErRe0.25Ge2
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2016) Mykhalichko, Vitaliia; Gladyshevskii, Roman
    An alloy of nominal composition Er30.8Re7.7Ge61.5 was synthesized by arc melting and investigated by X-ray powder diffraction. A new ternary germanide of approximate composition ErRe0.25Ge2 was found, which adopts the structure type CeNiSi2 (Pearson symbol oS16, space group Cmcm, a = 4.0997(4), b = 15.7348(18), c = 3.9921(5) A, RB = 0.0355, refined composition ErRe0.23(2)Ge2, for the as-cast alloy; a = 4.1117(3), b = 15.6846(15), c = 4.0184(3) A, RB = 0.0420, refined composition ErRe0.28(2)Ge2, after annealing at 1073 K). The coordination polyhedron of the Er atoms has 21 vertexes (hexagonal prism with nine additional atoms), that of the Re atoms is a bicapped square antiprism and the two crystallographically independent Ge atoms center tricapped trigonal prisms and cuboctahedra. The crystal structure contains layers of trigonal prisms (characteristic of the structure type AlB2) and square antiprisms (characteristic of the structure types BaAl4 and CeAl2Ga2), which alternate along the crystallographic direction [010]. The polyhedron surrounding the site partly occupied by the transition metal atoms is compared with the corresponding polyhedra in closely related structures. Зразок вихідного складу Er30,8Re7,7Ge61,5 синтезовано методом електродугової плавки та досліджено рентгенівським дифракційним методом порошку. Знайдено новий тернарний германід ErRe0,25Ge2, кристалічна структура якого належить до типу CeNiSi2 (символ Пірсона oS16, просторова група Cmcm, a = 4,0997(4), b = 15,7348(18), c = 3,9921(5) A, RB= 0,0355, уточнений склад ErRe0,23(2)Ge2, литий сплав; a = 4,1117(3), b = 15,6846(15), c = 4,0184(3) A, RB = 0,0420, уточнений склад ErRe0,28(2)Ge2, зразок, відпалений при 800°С). Координаційним многогранником атомів Er є 21-вершинник (гексагональна призма з дев’ятьма додатковими атомами), атомів Re – двошапкова тетрагональна антипризма, а два кристалографічно незалежні атоми Ge центрують тришапкові тригональні призми або кубооктаедри. Кристалічна структура сполуки ErRe0,25Ge2 містить шари тригональних призм (характеристика структурного типу AlB2) та тетрагональних антипризм (характеристика структурного типу BaAl4 чи CeAl2Ga2), які чергуються вздовж кристалографічного напрямку [010]. Поліедр навколо положення, частково зайнятого атомами перехідного металу, зіставлено з відповідними поліедрами в близькоспоріднених структурах.
  • Thumbnail Image
    Item
    Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.
    Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.
  • Thumbnail Image
    Item
    Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge-I2
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.
    Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.