Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge<In>-I2
No Thumbnail Available
Files
Date
2011
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.
Description
Keywords
германій, індій, мікрокристали, хімічні транспортні реакції, термодинамічний аналіз, indium, germanium, microcrystals, chemical transport reactions, thermodynamic analysis
Citation
Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge<In>-I2 / Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, О. В. Швець, А. П. Штабалюк, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 115–120. – Бібліографія: 8 назв.