Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Subject: search.filters.subject.mobility

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Специфіка ланцюгів поставок органічної продукції
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Якимишин, Л. Я.
    Досліджено ринок органічної продукції та виявлено тенденцію щодо його зростання. Ідентифіковано напрями розвитку ринку органічної споживчої продукції в Україні. Доведено доцільність упровадження програм розвитку ринку органічної продукції та створення нових коротких ланцюгів поставок на місцевому і регіональному ринках збуту не тільки органічної продукції, але й традиційної продукції споживання на місцевих ринках. The organic market is studied and a trend of its growing is showed. Areas of development of the organic consumer products in Ukraine is identified. The expediency of implementation of programs of market development of organic products and creating new short supply chains for local and regional markets not only organic products but also traditional products consumption in local markets.
  • Thumbnail Image
    Item
    InSb microcrystals for sensor electronics
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Ihor; Rogacki, Krzysztof
    The processes of electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain centers and ionized impurities in n- InSb with the defect concentration of 3 *1017 cm-" are considered. The temperature dependences of electron mobility ranged between 4,2 K and 500 K are calculated. Based on the InSb whiskers, there was elaborated a highly sensitive Hall sensor operating in the wide range of temperatures between 4,2 K and 500 K and magnetic fields (up to 10T) with a sensitivity of~3,5 mV/T. Розглянуто процеси розсіяння електронів на близько-діючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 х10 см" . У межах точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана на основі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2-500 К. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2-500 К та в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю -3,5 мВ/Тл.
  • Thumbnail Image
    Item
    Бінарні відношення обмежень рухливості – основа математичного опису складальних виробів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Пасічник, В. А.
    Запропоновано методологію математичного опису взаємодії елементів складальних одиниць через систему бінарних відношень обмежень рухливості. Показано, що такі відношення потрібно визначати для пар деталей щодо умов початкового положення, можливого переміщення з фіксацією умови забезпечення цілісності. The paper proposes a methodology for the mathematical description of elements assembly units through binary relations mobility limitations. It is shown that such relations should be defined for pairs of parts for the conditions of the initial position, the possible movement of the fixation conditions of integrity.