Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Electrodeposition of silver nanoparticles on silicone surface in dimethylformamide solutions of (NH4)[Ag(CN)2]
    (Lviv Politechnic Publishing House, 2020-02-24) Шепіда, М. В.; Кунтий, Орест Іванович; Мерцало, Іванна Павлівна; Shepida, M.; Kuntyi, K.; Mertsalo, I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Наведено результати досліджень електрохімічного осадження наночастинок срібла (AgNPs) на поверхню кремнію у диметилформамідних розчинах 0,025М, 0,05М, 0,1М (NH4)[Ag(CN)2]. Поєднання імпульсного режиму електролізу та середовища органічного апротонного розчинника (DMF) забезпечує формування сферичних AgNPs розміром 50–150 нм із рівномірним розподілом їх по поверхні кремнію. Показано, що головними факторами впливу на морфологію та розміри наночастинок срібла є значення катодного потенціалу, концентрація іонів [Ag(CN)2]-та тривалість електролізу. З їх збільшенням зростають розміри наночастинок і густота заповнення ними підкладки. Встановлено, що осаджені AgNPs на поверхні підкладки є активаторами хімічного травлення останньої з одержанням поруватого кремнію.
  • Thumbnail Image
    Item
    Перспектива застосування поруватого кремнію під час створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об'єктів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Монастирський, Л. С.; Оленич, І. Б.; Парандій, П. П.
    Розглянуто можливість застосування поруватого кремнію для створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об’єктів. Зокрема, поруватий кремній може бути перспективний під час формування самознищувальних кремнієвих чіпів для захисту криптографічних ключів, створених на основані флеш-пристроїв. Фоточутливість поруватого кремнію у широкому спектральному діапазоні придатна для створення систем фотоелектричного захисту периметра інформаційних об’єктів. Велика розвиненість поверхні нанокристалічного поруватого кремнію є визначальною для створення дешевих газоадсорб- ційних сенсорів на його основі, зокрема пристроїв, чутливих до вибухонебезпечних, токсичних газів, таких як метан, водень тощо. The possibility of porous silicon devices application in the term of creation of physical and technical information and information objects protection. One of them is to build self- destructed silicon chips, in particular to protect the cryptographic keys that are created on the basis of flash devices. As well as the suitability of the studied object for the creation of photoelectric perimeter protection of information objects. Great advances in surface of nanosized porous silicon is crucial for making cheap gas-adsorption sensors based on it, such devices are sensitive to explosive, toxic gases like methane, hydrogen and others.
  • Thumbnail Image
    Item
    Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Єрохов, В. Ю.
    Показана можливість створення мультитекстури фотоелектричного перетворювача на основі мультипоруватого кремнію. Розглянуті структурні моделі мультипоруватих текстур і технологічні процеси утворення двошарового поруватого кремнію на підложці p-Si. Спектри відбивання в діапазоні 0,4–1,1 мкм поверхні з мультипоруватою дзвіноподібною структурою показали понижений інтегральний коефіцієнт відбивання порівняно з класичними текстурними поверхнями. Possibility of creation of multitexture of porous silicon is shown, as material of structure for frontal texture of photoelectric converter. The morphological elements model of porous silicon surface are considered relative different pore parameters are shown. The deriving the two-layer porous silicon is considered. The given technology was used for deriving on a surface of a silicon substrate of texture with bell-shaped pore of porous silicon which has been grown by chemical and electrochemical methods.