Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів
No Thumbnail Available
Files
Date
2011
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Показана можливість створення мультитекстури фотоелектричного перетворювача на основі мультипоруватого кремнію. Розглянуті структурні моделі мультипоруватих текстур і технологічні процеси утворення двошарового поруватого кремнію на підложці p-Si. Спектри відбивання в діапазоні 0,4–1,1 мкм поверхні з мультипоруватою дзвіноподібною структурою показали понижений інтегральний коефіцієнт відбивання порівняно з класичними текстурними поверхнями. Possibility of creation of multitexture of porous silicon is shown, as material of structure for frontal texture of photoelectric converter. The morphological elements model of porous silicon surface are considered relative different pore parameters are shown. The deriving the two-layer porous silicon is considered. The given technology was used for deriving on a surface of a silicon substrate of texture with bell-shaped pore of porous silicon which has been grown by chemical and electrochemical methods.
Description
Keywords
фотоелектричний перетворювач, поруватий кремній, мультитекстура, антивідбивне покриття, електрохімічна технологія, solar cell, porous silicon, multitexture, antireflection coating, electrochemical tehnology
Citation
Єрохов В. Ю. Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів / В. Ю. Єрохов // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 72–76. – Бібліографія: 11 назв.