Електронний архів Науково-технічної бібліотеки

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2

Browse

Author: search.filters.author.Островський, І. П.

Search Results

Now showing 1 - 10 of 25
  • Thumbnail Image
    Item
    Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур
    (Видавництво Львівської політехніки, 2020-02-20) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A. A.; Ostrovskii, I. P.; Khoverko, Yu. M.; Kucherepa, N. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором, до концентрацій, які відповідають переходу метал–діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОЕ та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Виконано детальний аналіз результатів теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.
  • Thumbnail Image
    Item
    Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Kucherepa, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОе та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.
  • Thumbnail Image
    Item
    Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Вивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Островський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.
  • Thumbnail Image
    Item
    Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"
    У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження росту ниткоподібних кристалів PbTe
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Островський, І. П.; Варшава, С. С.
    Досліджено особливості зростання ниткоподібних кристалів (НК) PbTe методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій йодидній системі. Вивчено вплив температури кристалізації на морфологію, кінетичні коефіцієнти кристалізації та електрофізичні властивості НК. Виявлені розмірні ефекти, зокрема залежність параметра ґратки та питомого опору від діаметра НК. Growth of PbTe whiskers by chemical transport reaction (CTR) method in closed jodide system was investigated. An influence of growth temperature on morphology, growth kinetics, and electrical properties of the whiskers was studied. Some size effects such as a dependence of lattice constant and specific resistance of the whiskers on their diameters were observed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Автоматизація вимірювання показників заломлення плоскопаралельних пластин оптичних матеріалів антерферометрично-поворотним методом
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тибінка, Б. В.; Островський, І. П.; Андрущак, А. С.
    Створена автоматизована установка для вимірювання показників заломлення оптичних матеріалів інтерферометрично-поворотним методом. Установка апробована на прикладі одновісного кристалу LiNbO3. Внаслідок проведених вимірювань одержані такі параметри: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (для довжини світлової хвилі =0,6328 мкм), які добре узгоджуються з літературними даними. Automatizational equipment for refractive indices measurement of optical materials by interferometric-turning method was designed. The equipment is approbated on example of uniaxial crystal LiNbO3. As a result of measurements the following parameters were obtained: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (for wavelength =0,6328 m), which are in good agreement with literature data.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вирощування ниткоподібних кристалів 8і-Се<=п> В закритій бромідній системі
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
    У цій роботі досліджено умови вирощування ниткоподібних кристалів (НК) Si].xGex (х=0,01^0,15), легованих домішкою Zn, в закритій бромідній системі. Встановлено залежність питомого опору від концентрації легуючої домішки та від діаметру кристалів. Наведені залежності механічних параметрів кристалів від складу твердого розчину. Подаються рекомендації щодо застосування даних НК як чутливих елементів сенсорів механічних та теплових величин. Growth conditions of Sii_xGex (x=0,01^0,15) whiskers doped with Zn impurity in closed bromide system were studied. Dependencies of resistivity on impurity concentration and whisker diameter were obtained. Dependencies of whisker mechanical parameters on composition of solid solution were provided. Recommendations of whisker application in sensors of mechanical and thermal values have been proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si
    (Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
    Досліджено деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах (НК) твердого розчину GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) p-типу провідності в температурному діапазоні (4,2 ... 300 K). Досліджувався вплив деформації на термо-ЕРС та електропровідність НК. Встановлено залежність енергії активації домішок від деформації НК. Виявлено гігантські коефіцієнти п'єзо-Зеєбека та тензочутливості в НК Ge-Si поблизу переходу метал-діелектрик за гелієвої температури. Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки та температури. Обговорено поведінку коефіцієнта Зеєбека при деформації розтягу та стиску кристалів. Strain-inducted effects in p-type GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) solid solution whiskers in temperature range 4,2 ... 300 К were investigated. An influense of strain on thermo-e.m.f., conductance in the whiskers was studied. Dependency of impurity activation energy on strain was established. Giant piezo-Seebeck coeffitients and gauge factors in Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insuator transition at 4,2 K were found. Dependencies of gauge on temperature and impurity concentration in the whiskers were investigated. Seebeck coefitient behaviour at strain was discussed.