Деградаційні процеси в температурно-чутливих товстоплівкових структурах

Abstract

Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією. The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.