Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпровідникових матеріалів

Abstract

Проаналізовані методи контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів з використанням опромінення високоенергетичними частинками. Визначено, що для контрольованої зміни параметрів напівпровідникових матеріалів групи ІІІ-V, зокрема, InSb, перспективним є використання методу радіаційної модифікації. Наведені результати дослідження впливу радіаційної модифікації на стабілізацію параметрів сенсорів магнітного поля на основі гетероструктур InSb/i-GaAs. Methods applied to alter the parameters of semiconductor materials in controlled fashion using high-energy particle irradiation have been analysed. It has been determined that radiation modification is a method promising for the controlled parameter alteration of III-V group semiconductor materials, notably InSb. Results of the study into the effect exerted by radiation modification on the parameter stabilization observed in InSb/i-GaAs heterostructure-based magnetic field sensors are presented.