Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю
Loading...
Date
2010
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Розраховані густини електронних станів кристала алмазу та кристала алмазу з домішкою нікелю. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого нікелем кристала алмазу показує, що завдяки домішці нікелю вище від стелі валентної зони з’являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Алмаз з домішкою нікелю стає напівпровідником з рівнями акцепторного типу. The densities of states of diamond crystal with nickel impurity have been evaluated. The comparison of the state densities for pure crystal and for crystal with impurity shows that the hybridized states of p- and d-symmetry appear above the top of the valence band. Diamond with nickel impurity becomes the semiconductor with impurity levels of acceptor type.
Description
Keywords
парціальна густина електронних станів, повна густина електронних станів, гібридизовані енергетичні стани, partial density of states, total density of states, hybridized states
Citation
Cиротюк С. В. Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю / С. В. Cиротюк, В. М. Швед // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 184–190. – Бібліографія: 6 назв.