Модифікація приповерхневих шарів твердих розчинів (Cd,Hg)Te імпульсним лазерним випромінюванням

Abstract

Проаналізовано зміни концентрації донорів і акцепторів у власнодефектному телуриді кадмію-ртуті при обробці імпульсним лазерним випромінюванням. На основі проведеного аналізу запропоновано метод формування бар’єрних структур в (Cd,Hg)Te, який виключає генерацію додаткової концентрації лінійних дефектів структури у модифікованих лазером приповерхневих шарах. Зведе¬но електрофізичні та фотоелектричні характеристики сформованих p-n структур. The changes, arising in the concentration of donors and acceptors in cadmium mercury telluride with original defects under treatment by pulse laser irradiation have been examined. On the basis of the carried out analysis has proposed a method for forming barrier structures in (Cd,Hg)Te that prevents the generation of additional concentration of linear structure defects in the layer modified by laser. The electro¬physical and photoelectric characteristics of formed p-n structures have been determined.