Електроніка. – 2002. – №459
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету «Львівська політехніка»
Вісник присвячений 40-річному ювілею кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету “Львівська політехніка”. Опубліковані оглядові роботи, які відображають основні напрямки наукових досліджень кафедри-ювіляра та досягнуті у цих напрямах результатах. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету “Львівська політехніка” “ЕЛЕКТРОНІКА” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “ЕЛЕКТРОНІКА” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких йнших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 459 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 208 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Кафедра...(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Товстюк, К. К.; Національний університет “Львівська політехніка”Item Моделювання кінетичних процесів газофазної епітаксії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Воронін, В. О.; Сіверс, В. Н.; Губа, С. К.; Національний університет “Львівська політехніка”У статті запропонована методологія узагальненого підходу до моделювання кінетичних процесів формування газової фази, перенесення складових речовин у полі нерівноважних концентрацій в умовах неоднорідного температурного поля. Для вирішення поставленого завдання використовували імовірнісні методи розрахунку характеристик енерго-та масопереносу, які базуються на розв’язуванні узагальненого рівняння Фоккера-Планка з врахуванням кінцевої швидкості рухаючих частинок. Знайдено аналітичні вирази для ключової функції густини імовірності у вигляді функції Гріна, що дозволило представити систему рівнянь дифузії в інтегральному вигляді. Розв’язок отриманих рівнянь для конкретних систем і реакторів дозволяє визначити нерівноважні концентрації компонентів як функцію координат і часу в об’ємі реактора. The generalized methodology for kinetic modeling processes of gas phase formation and transport processes in chemical systems at the field of no nequilibrium species as well as in the energy field is proposed. The probability methods of accounting the characteristics of energy- and mass-transport process based on the decision of Fokker - Plank common diffusion equation are used to solve this task. Therefore final rates of particles transport are taken into account. Analytical expression of key density probability function is found as Green's function. It has allowed presenting the system of the diffusion equations in an integrated form. The solution of the given equations for concrete transport system and reactors allows determining species real concentration as well as spacial-temporal dependencies in the volume of rector.Item Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.Item Електрон-фононна взаємодія і термодинамічні функції у шаруватих кристалах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Товстюк, К. К.; Національний університет “Львівська політехніка”Розраховані термодинамічні функції газу носіїв струму у шаруватих напівпровідниках для кімнатних (слабко вироджений газ) температур з врахуванням особливості хімічного зв’язку у таких кристалах. Аналізується постійна струм утворюючих хімічних реакцій що мають місце на поверхнях електродів із вказаним зв’язком. Порівнюються отримані величини із аналогічними, отриманими для ізотропних кристалів. Розглянута багаточастинкова (електрон-фононна) взаємодія у шаруватих кристалах з врахуванням особливостей як електронного, так і фононного одно- частинкових спектрів. Аналізується зміна електронного спектра такою взаємодією залежно від кожного параметра зокрема. Результати порівняні із експериментальними даними. Розрахований псевдоефект Яна-Теллера, зумовлений близько розташованими давидовськими зонами у спектрі електронів. Будуються можливі поверхні адіабатичного потенціалу у просторі нормальних зміщень. Проведені термодинамічні розрахунки, які дозволяють виділити з можливих розв’язків найбільш реальні. Отримані результати добре пояснюють поляризаційні властивості таких кристалів. The thermodynamic function of current carrier was estimated for room temperature layer semiconductors considering the specifically bounding between atoms in these crystals. The constant for current producing chemical reactions, which take place on the surface of electrodes, made from layered material, are analyzing. The estimated values are compared with the same ones in isotropic crystals. Considered many particles (electron-phonon) in Layered crystals with the peculiarity of one particle (both electron and phonon) spectra. We analyze the changing of electron spectrum by such interaction as a function of separated parameters. The results are compared with experimental dates. We estimate the Jahn-Teller pseudo effect, which take place in these crystals due to small energy differences between different energy surfaces, which are typical for layered crystals. We show the possible surfaces of adiabatic potential and analyze them by thermodynamic calculations, which show the more probable case. Obtained results are in good agreement with experimental dates.Item Апріорні методи розрахунку електронної енергетичної структури напівпровідників і діелектриків(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Кинаш, Ю. Є.; Національний університет “Львівська політехніка”Аналізуються сучасні апріорні методи розрахунку електронного енергетичного спектра напівпровідників і діелектриків. Порівняні можливості різних підходів щодо точності отримання зонних енергій, можливостей застосування їх до складних кристалів. Зроблений висновок про перспективність змішаного базису для застосування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників і діелектриків на основі порівняння результатів розрахунку з отриманими за іншими методиками та експериментом. The contemporary ab initio approaches for energy band structure evaluation in semiconductors and dielectrics have been analyzed. The comparison of possibilities of different methods from point of view of calculating the reliable band energies and of application them to complex crystals is made. The conclusion about prospective of the mixed basis approach for energy band evaluation in semiconductors and dielectrics has been made on base of comparison of obtained results with those evaluated by another approaches and experiment.Item Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Матковський, А.; Сугак, Д.; Убізський, С.; Потера, П.; Сольський, І.; Григорьева, Л.; Міллер, Д.; Панкратов, В.; Сухоцький, А.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут матеріалів НВП “Карат”; Інститут фізики Жешувського університету; Інститут фізики твердого тіла Латвійського університету; Інститут фізики ПАНДосліджено стабільні центри забарвлення (ЦЗ), що виникають у кристалах ГГГ під впливом опромінення гамма-квантами (? = 1,25 Мев, поглинуті дози до 2*10 Гр), та короткоживучі ЦЗ, створені імпульсним електронним пучком (? =12 2= 250 КеВ, тривалість імпульсу 10 нс, флюенс 10 см"). Показано, що при даних режимах опромінення зміни оптичних властивостей ГГГ зумовлені радіаційним перезарядженням генетичних дефектів кристалів. На основі вивчення спектрів поглинання неопромінених та опромінених зразків ГГГ встановлено залежність між станом дефектної підсистеми свіжовирощених кристалів та типами центрів забарвлення, що індуковані радіацією. Запропоновано моделі стабільних та короткоживучих ЦЗ в кристалах ГГГ. Оцінено вплив індукованих радіацією ЦЗ на зміну генераційних властивостей монокристалів ГГГ :Nd. Stable color centers (CC), which appear in the GGG-crystals under the influence of the gamma-quanta irradiation (? = 1,25 MeV, absorbed dose less then 2*10 Gy), and transient CC, created by the impulse beam of electrons (?=250 KeV, duration of 12 2 the pulse 10 ns, fluence 10 cm ) were investigated in this work. It is shown, that the changes of the GGG optical properties at those irradiation conditions are connected with the recharge of the genetic defects of crystals. The radiation induced CC types depend on the state of the defect subsystem of as-grown crystals as it was established on the base of the absorption spectra studying. The models of the stable and transient CC in GGG crystals were proposed. The influence of the radiation induced CC on the GGG: Nd crystal lasing properties was estimated.Item Фізико-механічні дослідження матеріалів електроніки(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Курило, І. В.; Національний університет “Львівська політехніка”Подано результати багаторічних досліджень фізико-механічних властивостей кристалів A B та A B. Методом одновісного стискування та мікроіндентування одержано низку параметрів пружності, пластичності, міцності та крихкості. Установлено механізми пластичної деформації. Досліджено вплив зовнішніх факторів на структуру та фізико-механічні властивості матеріалів. The results of long-term investigations of mechanical properties of crystals II-VI and III-V are given in this work. The method axial of compression and microidenta- tion receives a number of parameters of elasticity, plasticity, strength, and fragility. The mechanisms of plastic deformation are established. The influence of external influences on structure and mechanical properties of materials is investigated.Item Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.Item Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Національний університет “Львівська політехніка”Проаналізовані еволюція і сучасний стан фотоперетворювачів сонячної енергії на основі кремнію. Показані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей та панелей сонячної енергії при використанні пористих структур деяких напівпровідникових матеріалів, таких як Si. Показані розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS) та розробка макропористого кремнію (MPS) на поверхні кремнієвої підкладки, з використанням хімічної та електрохімічної технології, яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. При використанні макропористого кремнію інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7 %. The evolution and modern condition of solar energy converter on the basis of silicon was the purpose of present paper. Also the prospects of their further application in terrestrial power and Probabilities of use of porous structures in structures of solar cells also are considered. The development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence is analysed. With macroporous silicon (MPS) the average reflection coefficient of MPS in range of 4001000 nm was decreased to 7 %.Item П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Лавитська, О. М.; Кутраков, О. П.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”Описано розроблені напівпровідникові тензорезистори на основі вирощених з газової фази ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, германію і сполук А В (антимоніду галію, арсеніду галію, фосфіду галію) та наведено їх характеристики. Розглянуто деякі типи розроблених п’єзорезистивних сенсорів тиску з тензо-резисторами на основі НК кремнію, зокрема, сенсори для вимірювання пульсацій тиску, сенсори з універсальним тензомодулем, високотемпературні сенсори, сенсори для кріогенних температур, для медичної діагностики, а також сенсори гідростатичного тиску на основі НК GaSb. Подано мікроелектронні сенсори тиску на основі шарів полікремнію-на-ізоляторі, рекристалізованих лазерним опроміненням. 35. Developed semiconductor strain gauges based on silicon, germanium and AB compounds (GaSb, GaAs, GaP) whiskers grown from the vapour phase are described, and their perfomance are presented. Some types of developed pressure sensors with strain gauges based on Si whiskers are presented, i.e. sensors to measure pressure pulsation, sensors with universal strain unit, high-temperature sensors, sensors for cryogenic temperatures, sensors for medical diagnostics, and sensors to measure hydrostatic pressure based on GaSb whiskers. Microelectronic sensors based on laser-recrystallized polysilicon layers-on-insulator are described.Item Кристалічна та доменна структура рідкісноземельних галатів і алюмінатів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Савицький, Д. І.; Берковський, М.; Бісмайєр, У.; Сольський, І. М.; Вальрафен, Ф.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут Фізики Польської Академії Наук; Гамбурзький Університет; НВП “Карат”; Боннський УніверситетДосліджено кристалічні структури та термічне розширення рідкісно-земельних галатів і алюмінатів та твердих розчинів на їх основі в інтервалі температур 10.. .1300 К. Встановлено загальні закономірності двійникування в кристалах зі структурою типу GdFeO3. Результати можуть бути використані для пошуку нових підкладкових матеріалів для ВТНП плівок та плівок манганітів з магніто- резистивним ефектом. The crystal structures and thermal expansion of rare-earth gallates and aluminates and their solid solutions were investigated in the temperature range 10 K - 1300 K. General rules of twinning were established for the crystal with GdFeO3 type structure. The results can be applied for search of new substrate materials for HTSC films and manganite films with colossal magnetoresistance.Item Елементи нетрадиційної кінетичної теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Буджак, Я. С.; Собчук, І. С.; Національний університет “Львівська політехніка”Альтернативно до методу кінетичного рівняння Больцмана обґрунтовуються розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі. To the method of the kinetic Boltsman equation alternativly the calculating algorithms of important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary dispersion laws and arbitrary mechanisms of scattering of charge carriers in ohmic conductivity range and in non-quantumed magnetic field are considered.Item Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Керівник Лабораторії магнітних сенсорів Центру “Кристал”Представлений неперервний ряд досліджень із створення оригінальних магнітовимірювальих засобів: теоретичні та експериментальні дослідження технології вирощування та легування напівпровідникових кристалів А3В5, дослідження їх електрофізичних властивостей та радіаційної стійкості, створення на їх основі мікросенсорів магнітного поля та магнітовимірювальних приладів, використання їх в техніці, космосі та устаткуванні фізики високих енергій. Presents continuous set of investigations and works on creation of original magnetic measurement facilities: theoretical and experimental investigations of A3B5 semiconductor crystal growth and doping technology, investigations of their electrophysical properties and radiation resistance, creation of magnetic field microsensors and measuring devices, their application in technique, outer space and high energy physics equipment.Item Низькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Берченко, М. М.; Богобоящий, В. В.; Власов, А. П.; Іжнін, І. І.; Яковина, B. C.; Національний університет “Львівська політехніка”; Кременчуцький державний політехнічний університет; Львівський національний університет; Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “КаратРозглянуто результати досліджень вузькощілинних напівпровідників типу CdxHg1-xTe, які знайшли широке застосування при виготовленні приладів оптоелектроніки. Основну увагу приділено визначенню параметрів й властивостей CdxHg1-xTe та границь розділу на його основі і пошуку технологічних процесів, які б дали змогу активно впливати на ці параметри. Для твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті встановлено безпосередній зв'язок між особливостями рівноважних фазових діаграм у системах метал-халькоген- кисень і фазовим складом границі розділу напівпровідник-оксид, її механізмом росту, домінуючим типом дефектів і електрофізичними властивостями. Досліджено вплив на властивості матеріалу індукованих імпульсом лазерного випромінювання ударних хвиль та низькоенергетичного іонно-променевого травлення. Запропоновано механізм перебудови дефектної системи як в об'ємі, так і на границях розділу твердих розчинів CdxHg1-xTe під дією ударних хвиль при різних режимах ударної обробки. Встановлено, що іонно-променеве травлення, створюючи на поверхні джерело дифузії міжвузловинної ртуті надзвичайно високої концентрації, дає змогу створити в CdxHg1-xTe нові типи донорів внаслідок взаємодії акцепторних домішок з міжвузловинною ртуттю. This review article summarizes the research of CdxHg1-xTe semiconductors, which have found wide application in optoelectronic devices. The study is mainly focused on determining the properties of CdxHg1-xTe materials and interfaces to develop the technology, which would allow controlling the parameters of devices. The direct relation between the characteristic features of the metal (Hg, Cd, Zn or Mn) - chalcogen (Te, Se) - oxygen equilibrium phase diagram and experimentally discovered phenomena was revealed in Hg-based solid solutions. These include: (1) the phase composition of the growing oxide layer, (2) the predominant type of intrinsic point defects, (3) the possible mechanism of the layer growth, (4) electrical properties of semiconductor-oxide interfaces. The investigation of CdxHg1-xTe behavior under laser shock waves resulted in introducing the mechanism of rebuilding the defect environment caused by this kind of treatment. Another low temperature treatment, i.e. the low energy ion beam milling, involves a specific interaction of acceptor dopants with interstitial Hg atoms creating new types of donors in this material that seems to have good potential in creating quality p-n junctions.Item Кафедрі напівпровідникової електроніки - 40 років(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002)Item Зміст до Вісника "Електроніка" № 459(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002)Item Титульний аркуш до Вісника "Електроніка" № 459(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002)