Електроніка. – 2008. – №619
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2524
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2008. – № 619 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 192 с. : іл.
Browse
Search Results
Item Особливості процесів забарвлення кристалів LiNbO3 : MgO під час відновлювально-окиснювальних високотемпературних відпалів у режимі in situ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Сутак, Ю. Д.; Жидачевський, Я. А.; Сугак, Д. Ю.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сольський, І. М.; Бьоргер, А.; Беккер, К. Д.The work presents results on influence of the high-temperature annealing at the oxidizing (O2) and reducing (Ar+H2) atmospheres on the optical properties of LiNbO3 crystals, doped with MgO oxide. Виконано дослідження впливу високотемпературних відпалів в окиснювальній (O2) та відновлювальній (Ar + H2) атмосферах на оптичні властивості кристалів LiNbO3, легованих оксидом MgО.Item Залежність струму корони від тиску повітря(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Чигінь, В.; Проць, О.; Горун, П.Dependence of the negative corona current on pressure of air in the area of 1·10-2 – 7,4·102 tor is first measured. The method for measuring of the pressure of air in the interval of order of 0,1 seconds is created at this base. The mathematical model of the current which includes the molecule ionization, attachment and detachment of electrons, charge drift and surface ion-electronic emission, describes experimental dependence satisfactorily. Вперше виміряно залежність струму негативної корони від тиску повітря в області 1·10-2 – 7,4·102 тор. Створена на цій основі методика дає змогу вимірювати тиск повітря з інтервалом порядку 0,1 секунди. Математична модель струму, яка передбачає іонізацію молекул, прилипання і відлипання електронів, дрейф зарядів і поверхневу іонно-електронну емісію, задовільно описує експериментальну залежність.Item Напівпровідникові резистивні сенсори для моніторингу якості харчових продуктів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Ціж, Б. Р.; Чохань, М. І.; Портаж, Ю. Р.; Аксіментьєва, О. І.Для моніторингу якості харчових продуктів під час їх зберігання і переробки запропоновано використання сенсорних матеріалів на основі органічних напівпровідників, зокрема пентацену, фталоціаніну кобальту та кобальт хлориду, а також органічного барвника – метилового червоного). Встановлена їх чутливість до дії газів різної природи, а саме: аміаку та етанолу, виділення яких може відбуватись при зберіганні харчових продуктів. For monitoring of the food products quality during their preservation and procession an application of the sensor materials based on organic semiconductors such as pentacene, phthalocyanines of cobalt and cobalt chloride also as organic dye – methyl red have been proposed. It is shown their sensitivity to action of the gas by different nature, namely – ammonium and ethanol, evaporated during the preservation of the food production.Item Вирощування з парової фази та властивості кристалів pbi2 легованих марганцем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Рибак, О. В.Описана методика легування монокристалів PbI2 марганцем під час росту з парової фази в закритій системі при тиску парів надстехіометричного йоду. Швидкість масопере-несення в системі і концентрація домішки в монокристалах визначаються двома факторами: концентрацією легуючого металу в шихті і температурою зони джерела. Встановлено вплив марганцю на низькотемпературні (5 К) екситонні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) PbI2. A procedure of doping PbI2 single crystals with Mn during vapor-phase growth in a closed system in the presence of excess iodine is described. The rate of mass transport in the system and the doping level of the crystals are shown to be governed by the dopant content in the source material and the source temperature. The effect of Mn doping on the lowtemperature (5 K) exciton photoluminescence (PL) spectrum of PbI2 is established.Item Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних кні-структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Дружинін, А. О.; Голота, В. І.; Когут, І. Т.; Ховерко, Ю. М.Запропоновано два методи формування локальних тривимірних структур кремній-на-ізоляторі (КНІ). Перший – на основі стимульованого бокового епітаксійного нарощування та планаризації монокристалічної плівки кремнію. Другий – на основі локального термічного окислення кремнію під поверхнею пластини через горизонтальні тунелі. Одержані КНІ-структури використані в технології виготовлення базового матричного кристала (БМК) для побудови мікросистем. Запропоновано в склад елементів БМК долучити матриці з комірок автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування. Розроблено технологію виготовлення і топологію комірки автоемісійного мікрокатода з керуючим високовольтним КНІ метал-окисел-напівпровідниковим транзистором. Виконано комп’ютерне моделювання статичних характеристик такого транзистора. The two methods of silicon-on-insulator (SOI) local three-dimensional structures formation are proposed. The first one is based on stimulated lateral epitaxial growth and planarization of Si monocrystal film. The second one is based on local thermal oxidation of Si buried layer through horizontal tunnels. Obtained SOI-structures are used as a base of matrix crystal fabrication technology for construction of micro-systems. It is proposed to unite cells of field emission micro-cathodes with control circuits in a structure of base of matrix crystal elements. The fabrication technology and layout of a field emission micro-cathode cell with control high-voltage SOI MOS-transistor developed. Computer simulation of static characteristics of high-voltage SOI MOS-transistor performed.Item Зміна зарядового стану йонів ітербію у сильноактивованих кристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al3o12(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Мартинюк, Н. В.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сиворотко, І. І.; Бьоргер, А.; Беккер, К. Д.Наведено результати вивчення впливу домішок на перезарядку йонів Yb3+ « Yb2+ під час термохімічних обробок у кристалах Yb:Y3Al5O12 (Yb:ІАГ). Засобами оптичної спектроскопії та вимірюванням часу життя верхнього лазерного рівня досліджено монокристали Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAГ), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12, вирощені за методом Чохральського, а також монокристалічні плівки Yb:ІАГ, одержані методом рідинно-фазної епітаксії. Встановлено, що процес відновлення Yb3+ ® Yb2+ в Yb:ІАГ може бути реверсивним або нереверсивним, залежно від наявності в кристалі легуючих або неконтрольованих домішок. In this communication we report about our study on the influence of impurities on recharge processes Yb3+ « Yb2+ under thermo-chemical treatments in Yb:Y3Al5O12 (Yb:YAG) crystals and films. Single crystals of Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAG), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12 grown by Czochralski- technique as well as single crystalline films of Yb:Y3Al5O12 grown by liquid phase epitaxy were investigated by means of fluorescence lifetime measurements and optical spectrometry. It was found, that the reduction process Yb3+ ® Yb2+ in Yb:YAG can be reversible or non-reversible depending on the presence of additional (doping or impurity) ions.Item Поруваті шари кремнієвих підкладок для фотоелектричних перетворювачів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Єрохов, В. Ю.; Кухта, О. В.Показано перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті морфологічні елементи пористого кремнію (ПК) щодо чотирьох різних параметрів: орієнтації пори, заповнення макропори, розгалуження і мульти-пористості ПК, як найважливіших структурних елементів текстури ФЕП. Показано, що використання текстури ПК, як ефективного та рентабельного покриття, з вико- ристанням хімічної технології повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Доведено, що під час використання колоноподібної текстури на основі ПК, вирощеної хімічними та електрохімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується до 8 %. The perspectivity of silicon as material for the solar energy convertor (SEC) was shown. The diverse morphological features of porous silicon (PS) can be schematically summarized with respect to four different aspects: pore orientation, fill of macropores, branching, and depth variation of PS. Utilization of textures as effective and profitable PS -based coatings with using of chemical and electrochemical technology must to be maximal adapted to process of decision of silicon based solar elements. The integral coefficient of frontal surface reflection of SEC under using of PS is decreased to 8 %.Item Внутрішньо-сенсибілізований діоксид титану в процесах інтеркаляційного фотоакумулювання сонячної енергії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Бахматюк, Б. П.; Григорчак, І. І.; Іващишин, Ф. О.; Ріпецький, Р. Й.Робота присвячена розв’язанню завдання істотного підвищення ефективності фотогенерування з одночасним акумулюванням “in-situ” перетвореної енергії за участю нанооб’єктів створенням внутрішньо-сенсибілізованого до видимого сонячного світла діоксиду титану, внаслідок впливу інтрузії Cr2O3 в його структурі і наведена енергетична діаграма інтеркаляційного фотострумоутворення та нагромадження перетвореної енергії. Використовуючи методи циклічної вольтамперометрії, електрохімчної імпедансної спектроскопії і моделювання імпедансних даних до еквівалентних електричних схем межі розділення електрода на основі LixTiO2(99 %) < Cr2O3 >(1 %) з 1M LiBF4 в g-бутиролактоні та досліджено його фотоелектрохімічні властивості в катодній та анодній протенційних областях. Отримані максимальні значення катодного і анодного фотострумів мали значення 2,83 мА/см2 та 2,03 мА/см2, відповідно. Для нанорозмірного LixTiO2 виміряні значення анодного фотоструму мають менший максимум, який становить 0,61 мА/см2. Виконаний імпедансний аналіз і комп’ютерне моделювання до еквівалентних електричних схем засвідчили, що фотострумоутворення має інтеркаляційний характер з добрими кінетичними параметрами. Отримано значне зменшення опорів пасиваційної плівки, міжзеренних бар’єрів і області об’ємного заряду матеріалу освітленої межі розділення LixTiO2(99 %) (1 %) з 1M LiBF4 в g-бутиролактоні. The work is devote decision of task of substantial efficiency increase of photogeneration with simultaneous accumulation “in-situ” regenerate energy with participation of nanostructure by creation of internal-sensitized to the visible sunlight of titaniumdioxide, as a result of influencing of admixture of Cr2O3 in his structure and the power diagram of photointercalationphotodeintercalation processes is presented. Using the methods of cyclic voltammetry, electrochemical impedance spectroscopy and design of impedance of information to the equivalent electric charts of border of section of electrode on the basis of interface LixTiO2(99%) < Cr2O3 >(1 %) with 1M of LiBF4 in g-butyrolactone explored photoelectrochemical properties in cathode and anode potential ranges. The maximal values of cathode and anode photocurrents are got mattered 2,83 mА/sm2and 2,03 mА/sm2, accordingly. For nanocrystalline LixTiO2 the values of anode photocurrent are 16 measured have a less maximum which makes 0,61 mА/sm2. A impedance analysis and computer design is conducted to the equivalent electric charts showed that photocurrent took intercalative character with good kinetic parameters. The considerable diminishing of resistances of passive tape, between of graines barriers and area of by volume charge of material of the lighted up border of section of LixTiO2(99 %) is got< Cr2O3 >(1 %) from 1M of LiBF4 in -g-butyrolactone.Item Study barrier structures on the base of nickel phthalocyanine thin films during interaction with ammonia medium(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Hotra Z. Yu.; Cherpak V. V.; Stakhira P. Y.; Kuntyy O. I.; Zakutayev A.; Volynyuk D. Yu.; Tsymbalistyy V. MМетодом термовакуумного напилення наносилися на прозорі електропровідні підкладки (Indium tin oxide (ITO)) тонкі плівки органічного молекулярного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc), a поліморфної модифікації, що володіють високою чутливістю до дії газових середовищ. На основі цих плівок були сформовані бар’єрні структури ITO/NiPc/Al та ITO/NiPc/Ni. Виявлено та досліджено ефект електрогенерації в структурі ITO/NiPc/Al під дією газового середовища аміаку. Показано, що виникнення струму короткого замикання та напруги холостого ходу спостерігається тільки в структурі ITO/NiPc/Al, що може бути зумовлено перебігом окисно-відновних реакцій в ній. Це підтверджується відсутністю електрогенерації в структурі ITO/NiPc/Ni, в якій перебіг таких окисно-відновних-реакцій є неможливим. Показано, що наявність вологи в аміачній атмосфері призводить до істотного відгуку електричного опору структури ITO/NiPc/Ni. The barrier structures on the base of organic molecular semiconductor nickel phthalocyanine (NiPc) thin films are studied. Interaction of the thin films with gaseous ammonia medium leads to change in their electrical conductivity. Short circuit current and open circuit voltage in the barrier structure result from oxidation-reduction reactions with gaseous ammonia.Item Рзз-лазери на основі одновимірних фотонних кристалів (огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Микитюк, З. М.; Ясиновська, О. Й.; Вараниця, А. В.На основі аналізу літературних джерел, з використанням власних робіт авторів розглянуто особливості застосування хіральних фотонних кристалів у РЗЗ-лазерах. Досліджено вплив фотонної забороненої зони, товщини холестеричного зразка та кроку спіралі на генерацію РЗЗ-лазера. Показано залежності порогу лазерної генерації від концентрації барвника, енергії накачування, товщини зразка. Описано методи перестроювання довжини хвилі за допомогою температури, ультрафіолетового випромінювання та зміни рН. Розглянуто перспективи використання РЗЗ-лазера у дисплеях з підвищеною яскравістю, сенсорах та волоконно-оптичних лініях зв’язку. On the basis of analysis of literary sources, with the use of authors own works the peculiarities of the use of chiral photonic crystals in DFB-lasers are considered. Influence of the photonic bandgap, cholesteric cell thickness and spiral pitch on the DFB-laser lasing is investigated. The dependences of laser generation threshold on dye concentration, pumping energy, cell thickness are shown. The methods of wave-length tuning by a temperature, ultraviolet radiation and рН change are described. The prospects of the DFB-laser use in displays with the promoted brightness, sensors and fiber-optical flow lines are considered.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »