Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію

Abstract

У роботі наведені результати експериментальних досліджень впливу факторів технологічного процесу двостороннього ХМП пластин кремнію орієнтації (111) і (100) n і p-типу на якість поверхні. Показано, що режимом глибокого окислення та пониженого тиску декорується дефектна структура пластин. Some results of experimental investigetion how quality of silicon plates of n and p-type with (111) and (100) orientation depends from CMP technology parameters. It was demonstrated that the deep oxydition and low pressure region decorates the defect structure of the plates.