Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію

Date
2001
Authors
Завербний, І. Р.
Кузьо, Г. Д.
Чегіль, І. І.
Гринь, Г. В.
Лаушник, Г. Ф.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
У роботі наведені результати експериментальних досліджень впливу факторів технологічного процесу двостороннього ХМП пластин кремнію орієнтації (111) і (100) n і p-типу на якість поверхні. Показано, що режимом глибокого окислення та пониженого тиску декорується дефектна структура пластин. Some results of experimental investigetion how quality of silicon plates of n and p-type with (111) and (100) orientation depends from CMP technology parameters. It was demonstrated that the deep oxydition and low pressure region decorates the defect structure of the plates.
Description
Keywords
Citation
Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію / І. Р. Завербний, Г. Д. Кузьо, І. І. Чегіль, Г. В. Гринь, Г. Ф. Лаушник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 68–72. – Бібліографія: 7 назв.