Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію

Simple item page
dc.citation.journalTitleЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНВП “Карат”uk_UA
dc.contributor.affiliationТзОВ “Пролог Семікор”uk_UA
dc.contributor.affiliationНТЦ “Мікроелектроніка”uk_UA
dc.contributor.authorЗавербний, І. Р.
dc.contributor.authorКузьо, Г. Д.
dc.contributor.authorЧегіль, І. І.
dc.contributor.authorГринь, Г. В.
dc.contributor.authorЛаушник, Г. Ф.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-09-19T10:06:03Z
dc.date.available2018-09-19T10:06:03Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractУ роботі наведені результати експериментальних досліджень впливу факторів технологічного процесу двостороннього ХМП пластин кремнію орієнтації (111) і (100) n і p-типу на якість поверхні. Показано, що режимом глибокого окислення та пониженого тиску декорується дефектна структура пластин. Some results of experimental investigetion how quality of silicon plates of n and p-type with (111) and (100) orientation depends from CMP technology parameters. It was demonstrated that the deep oxydition and low pressure region decorates the defect structure of the plates.uk_UA
dc.format.pages68–72
dc.identifier.citationОсобливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію / І. Р. Завербний, Г. Д. Кузьо, І. І. Чегіль, Г. В. Гринь, Г. Ф. Лаушник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 68–72. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42657
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Технология СБИС. Под ред. С. Зи, 1986. 2. Богданов Е.И., Гринь Г.В., Живов М.Д. // Электронная промышленность. 1989. 12. С. 37. 3. Карбань В П., Борзаков Ю.И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике, М., 1988. 4. Кизилов В.Д. // П/п техника и микроэлектроника. 1976. 23. С. 46 - 49. 5. Кручинин А.У., Лесовая Ж.К., Ранкова С.В. // Электронная промыгш ленность. 1974. 4. С. 74 - 76. 6. Завадская В.Ф., Марин К.Г., Хохлов А.И. // Электронная промыгш ленность. 1990. 4. С. 36 - 38. 7. ГОСТ 19658 - 81. Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия.uk_UA
dc.rights.holder© Завербний І. Р., Кузьо Г. Д., Чегіль І. І., Гринь Г. В., Лаушник Г. Ф., 2001uk_UA
dc.subject.udc621.3.049.77.002.5-187.4uk_UA
dc.titleОсобливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремніюuk_UA
dc.title.alternativeAspects of two side chemical-mecanical polishing (CMP) for silicon platesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
13_68-72.pdf
Size:
208.22 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2001. – №430