Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком

Loading...
Thumbnail Image

Date

2009

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту. The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved.

Description

Keywords

парогазове середовище, кремнієві пластини

Citation

Логуш О. І. Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком / О. І. Логуш, В. А. Павлиш // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 95–103. – Бібліографія: 17 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By