Електроніка. – 2009. – №646
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2525
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – № 646 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 228 с. : іл.
Browse
Search Results
Item Модель інфрачервоних тонкоплівкових фільтрів на основі інтерференційного дзеркала(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Яремчук, І. Я.; Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Запропоновано нову структуру інфрачервоних смугових інтерференційних фільтрів та наведено алгоритм їх аналізу. Аналітично отримані співвідношення, які пов'язують показники заломлення усіх шарів у фільтрах типу “шар з високим показником заломлення - інтерференційне дзеркало – шар з високим показником заломлення”. За допомогою отриманих залежностей визначено такі параметри, як товщина та показник заломлення шарів з високим показником заломлення, що обмежують інтерференційне дзеркало. Design the new structure of interference band-pass infrared filter and new algorithm analysis is proposed.The analytic expressions for the analysis structure “layer with the high refractive іndex – interference mirror – layer with the high refractive index” are obtained. The refractive indices optimal and thicknesses of individual layers that limited interference mirror are obtained.Item Характеристики ефективності магнітооптичної візуалізації просторових неоднорідностей магнітного поля методом індикаторної плівки(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Убізський, С. Б.; Павлик, Л. П.; Сиворотка, І. І.У роботі з точки зору перехідної характеристики перетворення проаналізована ефективність магнітооптичної візуалізації (МОВ) просторово-неоднорідних магнітних полів розсіяння методом індикаторної плівки з площинною намагніченістю, зокрема чутливість, лінійність перетворення, польова та просторова роздільна здатність. Розглядаються два режими реалізації МОВ –традиційний режим максимального оптичного контрасту та режим максимальної чутливості. Показано, що саме другий режим разом з вторинним обробленням отриманих зображень доцільно використовувати з погляду отримання кількісної інформації про параметри розподілу магнітних неоднорідностей на поверхні об’єкта дослідження. The performance of the magneto-optic visualization (MOV) spatially irregular magnetic leakage fields by means of indicator film with in-plane magnetization is analyzed on the base of transducer characteristic, namely sensitivity, transducing linearity, field and spatial resolution. Two MOV modes are considered: the traditional one of maximum optical contrast and the maximum sensitivity one. It is shown that exactly the second mode accompanied with the secondary image processing is purposeful to use for quantitative information obtaining about the distribution parameters of magnetic irregularities on the inspection subject surface.Item Класифікація подвійних перестановок як представлення фейнманових діаграм для електрон-фононної взаємодії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Товстюк, К. К.Проаналізовано подвійні перестановки для функції Гріна електронів за електрон-фононної взаємодії, що описується гамільтоніаном Фреліха. Подвійні перестановки і діаграми Фейнмана відповідають однаковим аналітичним виразам. Проведена у роботі класифікація та доведені теореми дають змогу ідентифікувати клас подвійних перестановок, які відповідають незв’язаним та звідним діаграмам Фейнмана, а також таким діаграмам, які містять функції Гріна фононів, і виділити клас подвійних перестановок, які відповідають масовому оператору за Т=0. Запропонований метод дасть змогу аналізувати потрібну фізичну величину (масовий оператор, поляризаційний оператор, густину часток) у високих порядках теорії збурення. The analysis of double permutations for electron Green function in electron – phonon interaction, represented by Frelich Hamiltonian is carried out in this work. Double permutations (DPs) and corresponded Feynman diagrams define the same analytical expressions. The classification, carried out іn this work, allows to identify the class of DPs, corresponded to disconnected and improper Feymnan diagrams, to diagrams including phonon Green functions and to separate the class of DPs corresponding to mass operator at T=0. This method allows to analyze the requited physical magnitude (mass operator, polarization, density of particles) in high orders of perturbation theory.Item Електроннa енергетичнa структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Швед, В. М.Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained herе are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.Item Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.Item Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі. In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.Item Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Малик, О. П.Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.Item Вплив концентрації іонів марганцю на люмінесцентні властивості кристалів YAlO3:MN(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Жидачевський, Я. А.Наведено результати дослідження люмінесцентних та термолюмінесцентних властивостей кристалів YAlO3:Mn із концентрацією іонів марганцю від 0.001 до 1 ат.%. Проведені дослідження дали змогу встановити, що для досягнення максимальної інтенсивності люмінесценції іонів Mn2+ в кристалі YAlO3 їх концентрація має бути порядку 0.1 ат.%. The work presents results of investigation of luminescence and thermoluminescence properties of YAlO3:Mn crystals with concentration of manganese ions from 0.001 to 1 at.%. The presented results allowed to establish that optimal concentration of manganese ions should be about 0.1 at.% in order to achieve a maximal intensity of luminescence of Mn2+ ions in YAlO3 crystal.Item Оптимізація параметрів сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Татарин, В. Я.; Петровська, Г. А.Розглянуто вплив характеристик АЦП на чутливість сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу. Аналітично розраховано похибку вимірювань, зумовлену обмеженою частотою дискретизації та скінченним кроком квантування вихідного сигналу. Це дає змогу визначити максимально допустимі значення коефіцієнтів відбивання дзеркал інтерферометра для вибраної частоти розгортки, щo забезпечує як адекватне аналогово-цифрове перетворення вихідного сигналу, так і максимальне співвідношення сигнал-шум на вході аналогово-цифрового перетворювача. It is considered an influence of ADC characteristics on the sensitiveness of scanning Fabri-Perot interferometr with digital signal procceding. An error of measurings is analytically calculated taking into consideration the limited frequency of discretisation and the step of quantum of initial signal. It allows to find the maximally possible values of reflectivities of mirrors of interferometer at the set frequency of involute, which provides both adequate analog digital transformation of initial signal and maximal correlation signal to noise on the ADC input.Item Аналіз реактивного кола збудження ферозонда з обертальним перемагнічуванням дискового осердя(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції. The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.