Електроніка. – 2011. – №708
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2011. – № 708 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 204 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Тензорезистивні сенсори тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію дляширокого діапазону температур(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Дружинін, А. О.; Кутраков, О. П.; Мар’ямова, І. Й.Проведено комплексні дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних сенсорів тиску на основі ниткоподібних кристалів кремпію, працездатних в умовах кріогенних та високих температур. В основу конструкції сенсора покладено систему мембрана – шток – балка з універсальним тензомодулем. Наведено вихідні характеристики розроблених сенсорів. Complex studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors on the basis of silicon whiskers operating at cryogenic and high temperatures were carried out. The sensor’s design is based on the diaphragm – rod – beam system with the universal strain unit. Output characteristics of the developed sensors are presented.Item Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.Експериментально, методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InSb в інтервалі температур 450–300 °С. Експериментальні дані по розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термо-динамічній моделі конденсованого стану.Experimentally, using thermal-gravity analysis, liquidus line in Bi-InSb system has been researched at 450–300 °С temperature range. Experimental data on the solubility of Sb in bismuth melts are relevant with estimates, obtained according to the method, based on accurate thermodynamic model of condensed state.Item Узгодження акустооптичної НВЧ комірки Брегга у широкій смузі робочих частот(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Винник, Д. М.; Сугак, Д. Ю.; Генега, Н. Я.; Гайдучок, В. Г.; Юркевич, О. В.; Андрущак, А. С.Розглянуто питання широкосмугового узгодження опору надвисокочастотної (НВЧ) акустооптичної комірки Брегга, яка має центральну робочу частоту f0 = 800 МГц, з опором генератора НВЧ сигналів. Застосований в роботі метод ґрунтується на розрахунку фільтрів з використанням ланцюжків узгодження прототипів нижніх частот. На прикладі комірки, побудованої на основі кристала ніобату літію з використанням зустрічно-штирових п’єзоперетворювачів для збудження об’ємної акустичної хвилі, показано, що за допомогою структури узгодження, розрахованої цим методом, можна досягти задовільного коефіцієнта стоячої хвилі за напругою, який не перевищує значення 3 у робочій смузі частот Δf = 0,6 f0.The impedances matching of the VHF generator and the VHF Bragg acousto-optic cell in the wide frequency range input and central frequency of 800 MHz has been discussed. The method exploited is based on the filter calculation using low-frequency circuit prototypes. It is shown that using lithium niobate and interdigital piezotransduсers for bulk acoustic wave excitation the suggested approach allows to reach the standing wave coefficient which does not exceed 3 for the working bandwidth of Δf = 0,6 f0.Item Новий метод оптимізації геометрії акустооптичної взаємодії в кристалічних матеріалах довільного класу симетрії(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Бурий, О. А.; Винник, Д. М.; Кайдан, М. В; Андрущак, А. С.Запропоновано новий метод, який дає змогу провести оптимізацію геометрії акустооптичної взаємодії в кристалічних матеріалах, які є робочими елементами приладів, що працюють у режимі брегівської дифракції. Метод ґрунтується на аналізі екстремальних поверхонь параметра акустооптичної якості M2, під час побудови яких для будь-якого напрямку падаючої світлової хвилі із всіх можливих напрямків звукової хвилі, що дозволені законом збереження імпульсу, вибирається такий, який відповідає максимальному значенню параметра M2. На прикладі кристалів LiNbO3 проведено відповідні розрахунки та побудовані екстремальні поверхні параметра M2 для ізотропної та анаізотропної дифракції світлової хвилі довжиною 633 нм на трьох можливих акустичних хвилях частотою 500 МГц. Для кожної поверхні знайдено їхні максимальні значення та відповідні кутові параметри взаємодіючих хвиль. Досліджено також екстремальні поверхні для цих кристалів у діапазоні частоти акустичної хвилі від 10 до 2000 МГц та довжини електромагнітної хвилі від 488 до 1064 нм. Показано, що для кристалів LiNbO3 і вказаних умов найбільше значення параметра акустооптичної якості дорівнює 18×10-15 c3/кг при частоті 800 МГц для випадку анізотропної дифракції на повільній квазіпоперечній акустичній хвилі.The new method for optimization of the acoustooptic interaction geometry is proposed for the crystalline materials used in devices functioning in Bragg diffraction regime. The method is based on the analysis of the the extremal surfaces. These surfaces are obtained by optimization procedure consisted in the determination of such an acoustic wave propagation direction that maximizing the acoustoptical figure of merit M2 for each direction of the incident electromagnetic wave. For example the extremal surfaces of M2 are built for LiNbO3 crystals for isotropic and anisotropic difractions of light (633 nm) on three possible acoustic waves with frequncy of 500 MHz. The maximal values of M2 and the corresponding angle parameters of the interacted waves are determined for all extremal surfaces. The extremal surfaces for these crystals are also investigated for acoustic wave frequnces from 10 to 2000 MHz and for electromagnetic wavelengths from 488 to 1064 nm. It is shown that the highest value of the acoustooptical figure of merit is equal to 18×10-15 c3/kg at the frequency of 800 MHz in the case of the anisotropic diffraction on the slow quasi-transversal acoustic wave.Item Вплив термічної обробки пористого вуглецю на питомі енергоємнісні характеристики літієвих джерел живлення на його основі(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мандзюк, В. І.; Нагірна, Н. І.; Лісовський, Р. П.; Рачій, Б. І.; Соловко, Я. Т.; Мерена, Р. І.Розглянуто вплив умов одержання пористого вуглецю на питомі розрядні характеристики (питома ємність та питома енергія) літієвих первинних джерел живлення, виготовлених на його основі. Встановлено, що значення питомої ємності електрохімічного елемента немонотонно залежить від температури одержання пористого вуглецю з її максимумом (1355 мА·год/г) при 750 °С. Основною причиною такої поведінки є відповідність величини питомої поверхні активного електродного матеріалу до температури його отримання.The effect of receipt conditions of porous carbon on specific discharge characteristics (specific capacity and specific energy) of the porous carbon-based lithium primary sources is considered. It is shown, that the value of specific capacity of the electrochemical element nonmonitonically depends on the temperature of obtaining of porous carbon with its maximum (1355 mA·h/g) at 750 °C. The principal reason of such the behaviour is the conformity of specific surface value of active electrode material to the temperature of its obtaining.Item Зміна ширини забороненої зони у наноструктурі залежно від її конфігураційних особливостей(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Товстюк, К. К.; Прийма, Ю. В.; Дума, М. В.Розраховується енергія основного стану електронів та дірок у структурі, утвореній квантовою ямою (ZnSe) та асиметричними бар’єрами (ZnBeMnSe та ZnBeSe) залежно від ширини немагнітного шару та висоти бар’єру (ZnBeMnSe), що змінюється у магнітному полі внаслідок гігантського ефекту Зеємана. Показано особливості та проаналізовано відмінності, що наявні у спектрах електронів та дірок. Обчислено зміну ширини забороненої зони залежно від ширини немагнітного шару та розщеплення Зеємана.The lowest energy level for electrons and holes is calculated in a structure formed by quantum pit (ZnSe) and asymmetric barriers (ZnBeMnSe and ZnBeSe). The dependence of this energy on the non magnetic barrier width is investigated. The effect on energy by semimagnetic barier energy, which changes in magnetic field due to giant Zeeman splitting. The differences in specеrums of electrons and holes are investigated and the features of spectrums of electrons and holes are pointed out. The energy gap, depending on the width of semi magnetic barrier and Zeeman splitting is investigated.Item Переналаштовуваний надвисокочастотний генератор з резонатором на плівці залізо-ітрієвого граната(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ющук, С. І.; Юр’єв, С. О.; Коломієць, В. Й.; Костюк, П. С.Розглянута можливість створення переналаштовуваного надвисокочастотного генератора з резонатором на плівці залізо-ітрієвого граната, побудованого за схемою підсилювача, охопленого додатним зворотним зв’язком. Описано принципову схему і конструкцію генератора, наведені його технічні характеристики. Consider establishing reconfigurable microwave generator with resonator based on yttriumiron garnet film, built in amplifier circuit covered by positive feedback. Schematic circuit design and constructions of the generator are described, given its technical characteristics.Item Виготовлення товстоплівкового НВЧ-фільтра з використанням фотополімеризованої пасти(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Семенюк, А. Й.; Лоб, Я. Д.; Дячок, Д. Т.; Немеш, В. Г.Досліджено технологію виготовлення та параметри провідникових елементів товстоплівкового НВЧ-фільтра на основі пасти серії 1785, виготовлених на підкладках ВК94-1 і ВК100-1. Виконано перевірку окремих електрофізичних параметрів провідникових елементів на відповідність вимогам технічних умов. Investigated the production technology and conductor elements operation factors thick microwave filter based on a paste series 1785, manufactured on substrates ВК94-1 and ВК100-1. Audited certain electrical and physical parameters of conductor elements for the compliance with the specification requirements.Item Експериментальне дослідження струмового відгуку ферозондового перетворювача зі збудженням дискового осердя магнітним полем, що обертається в його площині(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.Побудовано модель відгуку ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги на дію магнітного поля у площині осердя. Підтверджено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму в котушці збудження. Наводяться результати вимірювання залежності чутливості для різних частот збудження від його амплітуди, які добре узгоджуються з розрахунковими. The response model of the fluxgate with rotation magnetization reversal of isotropic disk core under harmonic voltage driving excitation has been developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was confirmed that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. Results of the experimental measurement of the fluxgate sensitivity dependences upon the excitation field amplitude at different frequencies are presented and they coincide well with calculated ones.Item Передавання інформації у волоконно-оптичних системах із використанням сучасних методів формування та оброблення сигналів(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Горбатий, І. В.Запропоновано адаптивний метод передавання інформації у волоконно-оптичній системі передавання інформації (ВОСПІ) з використанням різновидів модуляції (бінарної фазової маніпуляції – БФМн, квадратурної фазової маніпуляції – КФМн та квадратурної амплітудної модуляції – КАМ) ортогонально-поляризованих складових оптичної хвилі та структурні схеми передавального й приймального пристроїв ВОСПІ. Adaptive method of the transmission of information in the fiber optic telecommunication system (FOTS) with the use of varieties of modulation (binary phase manipulation – BPSK, quadrature phase manipulation – QPSK and quadrature amplitude modulation – QАМ) of orthogonal-polarize components of optical wave and flow diagrams of transmitting and receiving devices of FOTS ware offered.Item Порівняльний аналіз та оптимізація параметрів мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сугак, Д. Ю.Розроблено процедуру оптимізації мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи. Проведено оптимізацію параметрів лазерів на основі GGG:Nd, YAP:Nd, YVO4:Nd, а також, з метою порівняння, YAG:Nd з різними довжинами хвиль генерації. Показано, що оптимальна концентрація активатора мікрочіпового лазера, що працює за чотирирівневою схемою лазерної генерації, визначається лише характером концентраційної залежності часу життя верхнього лазерного рівня. Отримано співвідношення, яке дозволяє визначити оптимальну товщину активного середовища мікрочіпового лазера. Показано, що під час забезпечення оптимальних значень параметрів лазера, диференціальний ККД та потужність випромінювання, які можуть бути досягнуті при заданій інтенсивності накачування, визначаються,переважно, величиною стоксівських втрат матеріалу. The method for optimization of the cw microchip lasers is proposed. The optimization is carried out for GGG:Nd–, YAP:Nd–, YVO4:Nd–lasers and, for comparison, for YAG:Nd–laser with different wavelengths. It is found that the optimal activator concentration for the fourth-level laser is determined only by the concentration dependence of the upper laser level lifetime. The dependence for determination of the optimal width of the active medium is obtained. It is shown that at optimal values of the laser parameters and at fixed value of the pumping beam intensity the slope efficiency and the laser power are essentially determined by Stokes losses of the material.Item Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge-I2(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.Item Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки “І”(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.Розглянуто можливість реалізації елементів цифрової логіки “І” на базі джозефсонівських тунельних переходів і показано, що такі елементи можна створити і ефективно керувати їх логічним станом за допомогою зовнішніх сигналів електричного струму. Створено математичну модель перехідних процесів, що відбуваються в елементах логіки “І” під час зміни їх логічного стану, проведено математичне моделювання логічних переходів “0”®”1” та “1”®”0”, розраховано перехідні характеристики і визначено параметри моделі, за яких забезпечена висока швидкодія та стабільний режим роботи. In this work, we consider a possibility of the realization of the digital logic’s elements “and” on a basis of Josephson tunneling junctions. It was shown that such elements can be created and their logical state can be effectively controlled by means of external electrical current pulses. A mathematical model of the transition processes that take place in the logical elements “and” during the change of their logical state was developed. We carried out a mathematical modeling of the logical transitions “0”®”1” and “1”®”0” as well as calculated the transition characteristics and determined the model parameters that ensure the high operational speed and stability.Item Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Єрохов, В. Ю.Показана можливість створення мультитекстури фотоелектричного перетворювача на основі мультипоруватого кремнію. Розглянуті структурні моделі мультипоруватих текстур і технологічні процеси утворення двошарового поруватого кремнію на підложці p-Si. Спектри відбивання в діапазоні 0,4–1,1 мкм поверхні з мультипоруватою дзвіноподібною структурою показали понижений інтегральний коефіцієнт відбивання порівняно з класичними текстурними поверхнями. Possibility of creation of multitexture of porous silicon is shown, as material of structure for frontal texture of photoelectric converter. The morphological elements model of porous silicon surface are considered relative different pore parameters are shown. The deriving the two-layer porous silicon is considered. The given technology was used for deriving on a surface of a silicon substrate of texture with bell-shaped pore of porous silicon which has been grown by chemical and electrochemical methods.Item Наноструктуровані температурно- та вологочутливі сенсорні структури на основі шпінельної кераміки(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища. Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thickfilm structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.Item Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадмію(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Махній, В. П.; Мельник, В. В.; Сльотов, М. М.; Ткаченко, І. В.На підкладинках селеніду цинку методом ізовалентного заміщення виготовлено шари Cd1-xZnxSe, склад яких визначається температурою відпалу і визначено умови синтезу шарів селеніду кадмію кубічної модифікації. Досліджено оптичні властивості отриманих шарів і встановлено механізми випромінювальної рекомбінації. Layers of Cd1–xZnxSe by isovalent substitution are produced on ZnSe substrates. Their composition is determined by annealing temperature. The conditions for synthesis of cadmium selenide layers of cubic modification are defined. The optical properties of the obtained layers and the mechanisms of emissivity recombination are investigated.Item Приладно-технологічне моделювання нанорозмірних тривимірних КНІ-структур(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Дружинін, А. О.; Когут, І. Т.; Голота, В. І.; Довгий, В. В.Проведено комплексні дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних сенсорів тиску на основі ниткоподібних кристалів кремпію, працездатних в умовах кріогенних та високих температур. В основу конструкції сенсора покладено систему мембрана – шток – балка з універсальним тензомодулем. Наведено вихідні характеристики розроблених сенсорів. Complex studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors on the basis of silicon whiskers operating at cryogenic and high temperatures were carried out. The sensor’s design is based on the diaphragm – rod – beam system with the universal strain unit. Output characteristics of the developed sensors are presented.Item ЕПР І ЯКР у шаруватому кристалі GaSe:Gd(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Хандожко, О. Г.; Ластівка, Г. І.; Саміла, А. П.; Ковалюк, З. Д.Досліджений вплив політипної структури GaSe на форму спектрів ЕПР домішки гадолінію у стані Gd3+. Показано, що під час концентрації домішки порядку 1018 см-3 у шаруватому кристалі існують, щонайменше, три типи парамагнітних центрів. Наявність нееквівалентних позицій іона Gd3+ пояснюється присутністю політипних модифікацій в GaSe. Виявлено, що введення парамагнітної домішки в кристал істотно уширює спектр ЯКР. The influence of the polytype structure of GaSe on the shape of the EPR spectra of gadolinium impurity in a state of Gd3+ were studied. Shown that when the impurity concentration of the order 1018sm-3 in a layered crystal, there are at least three types of paramagnetic centers. The presence of nonequivalent sites of Gd3+ is associated with the presence of polytypic modifications in GaSe. It was found that the introduction of paramagnetic impurities in the crystal is considerably broadened NQR spectra.Item Резонансні рівні потенційної ями, утвореної прямокутними бар’єрами скінченної висоти(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Фітьо, В. М.Створено два методи пошуку резонансних рівнів енергії квантових наноструктур, що складаються з декількох потенційних бар’єрів та потенційної ями. Ці методи ґрунтуються на неперервності хвильової функції та її першої похідної і зводяться до неоднорідної лінійної алгебраїчної системи рівнянь. У першому методі шукається зміна фази хвилі де Бройля при поширенні в потенційній ямі залежно від енергії частинки. Другий метод полягає в пошуку максимуму модуля амплітуди хвилі де Бройля в потенційній ямі залежно від енергії частинки. Обидва методи дають дуже близькі значення резонансних енергій. Two methods of finding the resonance levels energy of the quantum nanostructures, consisting of the several potential barriers and potential well are generated. These methods are based on the continuity of the wave function and the first derivative. They are reduced to the inhomogeneous linear algebraic equations. In the first method, the phase-change de Broglie wave is searched at the propagation in potential well depending from the energy of particle. The second method is to find the maximum module amplitude of the de Broglie wave in the potential well depending from the energy of particle. Both methods give very similar resonance energies.Item Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мар’ямова, І. Й.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кутраков, О. П.; Когут, І. Т.; Лях-Кагуй, Н. С.Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.