Моделювання мікрочіпового лазера з пасивною модуляцією добротності на основі генеруючого середовища YB:YAG
dc.contributor.author | Бурий, О. | |
dc.contributor.author | Мельник, С. | |
dc.contributor.author | Убізський, С. | |
dc.contributor.author | Матковський, А. | |
dc.date.accessioned | 2017-08-25T08:14:11Z | |
dc.date.available | 2017-08-25T08:14:11Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description.abstract | Розглядається мікрочіповий лазер з пасивною модуляцією добротності на основі експериментально отриманих монокристалічних середовищ Yb:YAG. За допомогою числового моделювання процесу імпульсної генерації показано, що використання генеруючого середовища Yb:YAG порівняно з традиційним Nd:YAG, дає змогу отримати більші значення енергії в імпульсі. The passively Q-switched microchip laser on the experimentally obtained crystalline media Yb:YAG is considered. As it is shown by means of the laser action numerical simulation, the usage of the Yb:YAG generating medium using allows to reach higher values of the laser pulse energy in comparison with traditional Nd:YAG one. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Моделювання мікрочіпового лазера з пасивною модуляцією добротності на основі генеруючого середовища YB:YAG / О. Бурий, С. Мельник, С. Убізський, А. Матковський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 501 : Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 143–148. – Бібліографія: 13 назв. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38829 | |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Національного університету «Львівська політехніка» | uk_UA |
dc.title | Моделювання мікрочіпового лазера з пасивною модуляцією добротності на основі генеруючого середовища YB:YAG | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |