Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ

dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorНевзоров, В. В.
dc.contributor.authorСмеркло, Л. М.
dc.contributor.authorДорош, Н. В.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-12T13:28:57Z
dc.date.available2018-03-12T13:28:57Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractДосліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.uk_UA
dc.format.pages87-90
dc.identifier.citationНевзоров В. В.Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло, Н. В. Дорош // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 87–90. – Бібліографія: 5 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39592
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Зи С. Физика полупроводниковым приборов: В 2 кн. І Пер с англ.; Под ред. P.A. Суриса. - М., 1984. - 455 с. 2. Cheng Y.C. Electronic States at the Silicon- Silicon Dioxide Interface / / Prog Surf. Sci. - 1977. - S. - P. 181. 3. Deüal B.T. The Curent Understating o f Charges in the Thermally Oxized Silicon // Structure. J. Electrochem. Soc. - 1974. -1 2 1 . - P. 198 . 4. Горушко В.A., Данилович Н.И., Лесникова В.П., Пилипенко ВЛ . Лазерная обработка поверхности кремниевіх пластин II Поверхность. Физика, химия, механика. - 1984. - V. - C. 113-118 5. Полтавцев Ю.Г., Князев A .Q Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. - К., 1990. - 205 с.uk_UA
dc.rights.holderНевзоров В. В., Смеркло Л. М., Дорош Н. В., 2002uk_UA
dc.subject.udc621.382.323uk_UA
dc.titleПокращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТuk_UA
dc.title.alternativeImproving of repeatability of threshold voltage of dmosfetsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
17_87-90.pdf
Size:
140.64 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description: