Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету "Львівська політехніка" | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.contributor.author | Невзоров, В. В. | |
| dc.contributor.author | Смеркло, Л. М. | |
| dc.contributor.author | Дорош, Н. В. | |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.date.accessioned | 2018-03-12T13:28:57Z | |
| dc.date.available | 2018-03-12T13:28:57Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.description.abstract | Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage. | uk_UA |
| dc.format.pages | 87-90 | |
| dc.identifier.citation | Невзоров В. В.Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло, Н. В. Дорош // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 87–90. – Бібліографія: 5 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39592 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.relation.references | 1. Зи С. Физика полупроводниковым приборов: В 2 кн. І Пер с англ.; Под ред. P.A. Суриса. - М., 1984. - 455 с. 2. Cheng Y.C. Electronic States at the Silicon- Silicon Dioxide Interface / / Prog Surf. Sci. - 1977. - S. - P. 181. 3. Deüal B.T. The Curent Understating o f Charges in the Thermally Oxized Silicon // Structure. J. Electrochem. Soc. - 1974. -1 2 1 . - P. 198 . 4. Горушко В.A., Данилович Н.И., Лесникова В.П., Пилипенко ВЛ . Лазерная обработка поверхности кремниевіх пластин II Поверхность. Физика, химия, механика. - 1984. - V. - C. 113-118 5. Полтавцев Ю.Г., Князев A .Q Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. - К., 1990. - 205 с. | uk_UA |
| dc.rights.holder | Невзоров В. В., Смеркло Л. М., Дорош Н. В., 2002 | uk_UA |
| dc.subject.udc | 621.382.323 | uk_UA |
| dc.title | Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ | uk_UA |
| dc.title.alternative | Improving of repeatability of threshold voltage of dmosfets | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1