Електроніка. – 2002. – №455

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39513

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 10 of 38
  • Thumbnail Image
    Item
    Зміст до Вісника "Електроніка" № 455
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Національний університет "Львівська політехніка"
  • Thumbnail Image
    Item
  • Thumbnail Image
    Item
    Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Чорній, З. П.; Щур, Г. О.; Качан, С. І.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Досліджено струми термостимульованої поляризації (ТСП) в радіаційно забарвлених кристалах SrCl2-Tl. Виявлено два нові максимуми ТСП при 135 і 150 К, зумовлені термодисоціацією Tl+2Va+ і Т^+У^-центрів, відповідно. Currents of thermostimulated conductivity (CTC) in radiation - coloured crystals SrCl2 - Tl are investigated. And two new maximums of CTC (when Ti = 135 K and T2 = 150 K), t-Hnsed by thermodissotiation of Tl+2Va+ - and Tl2+Va+ - centers, accordingly are discovered.
  • Thumbnail Image
    Item
    Термодинамічний аналіз окислювальних реакцій в електродах
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Товстюк, К. К.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Проводиться термодинамічний аналіз електронного газу, який бере участь у струмоутворюючих хімічних реакціях, на поверхнях вуглецевих та нікелевих електродів відновлювальних джерел струму. Показано, що у випадку шаруватої структури постійна хімічної рівноваги, яка визначається електронним газом, на декілька порядків менша порівняно з іншими моделями і суттєво слабше змінюється з температурою. Результати обчислень пояснюють існуючі експериментальні дані. The thermodynamic analysis is carried out for the chemical equilibrium constant in reactions with current-carriers creation, for the electron gas on the surfaces of the carbon and Ni electrodes. The stationary value of this constant is shown to be much smaller for the layered crystals. It also undergoes much weaker changes varies with the temperature for these crystals. Our results explain experiments.
  • Thumbnail Image
    Item
    Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.
  • Thumbnail Image
    Item
    Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження коливань струму газового розряду в комірці Пеннінга з секційним анодом
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Захарків, А. Б.; Шандра, З. А.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Подано результати досліджень коливань електричного струму в комірці Пеннінга з секційним анодом. Виявлено генерацію коливань частотою 2 МГц при подачі на секцію анода від’ємного потенціалу. Досліджено вплив потенціалу секції та розрядного струму на амплітуду коливань, пропонується механізм виникнення коливань. This work is dedicated to studies of the oscillations of electric current in penning’s cell with sectional anode. The oscillation generation with frequency 2 MHz at applying of negative potential on anode section is detected. The influence of section potential magnitude and discharge current on oscillation magnitude is studied and the mechanism for oscillation origin is proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.; Національний університет "Львівська політехніка"
    У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.
  • Thumbnail Image
    Item
    Визначення параметрів міжґраткових обмінних взаємодій у ферит-шпінелі ni0 ,8 CUo,i6 BIo,o4 FE2 O4 за даними fe5 7 ядерного гамма-резонансу спектроскопії
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Юр ’єв, С. О.; Ющук, С. І.; Лопатинський, І. Є.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Досліджено ефект Мьосбауера в ферит-шпінелі Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 в температурному інтервалі 295-600 К. З температурних залежностей Неф на ядрах іонів Fe3+ в А- та В-підґратках у наближенні теорії молекулярного поля визначено значення інтегралів обмінних взаємодій для магнітнонеекві-валентних іонів Fe3+ А-підґратки. Mosbauer еПегі for ferrite-spinel Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 at temperature region 295-6oo K was carried out. In approach of molecular magnetic field on temperature dependences of Hef on Fe3+ nuclei in A- and B-sublattices the values of exchange interaction integrals for nonequivalent Fe3+ ions in A- sublattice was obtained.
  • Thumbnail Image
    Item
    Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Пелещак, P. M.; Романів, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"
    В рамках моделі еквівалентного гамільтоніана розглянуто спосіб розрахунку енергії утворення 2 s-екситона в одиничній напруженій квантовій ямі з врахуванням не тільки квантово-розмірних, а й деформаційних ефектів, що виникають в епітаксійних шарах через неузгодженість параметрів ґраток двох кристалічних структур ~4 %. Товщини нарощуваних шарів лежать в межах дії пружних деформацій. Досліджено вплив всебічної та одновісної деформації в епітаксійному шарі ZnSe в гетероструктурі ZnSe/ZnS на довжину хвилі, яка відповідає максимуму інтенсивності 1s- та 2 s-екситонів біля краю основної полоси поглинання. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, отриманими зі спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції. In the frame of the equivalent hamiltonian model the calculation method of the 2s-exciton formation energy in the single quantum well is represented. It was take into consideration not only the quantum confinement, but also the deformation effects caused in the epitaxial layers by the lattice mismatch both crystalline structures ~4 %. The thicknesses of the grown layers is in the limit of the elastic strains. The effect of the hydrostatic and the nonhydrostatic strains in the ZnSe epitaxial layer in the ZnSe/ZnS heterostructure on the wavelength which corresponds to the 1s- and 2s-excitons maximum of the intensity near the edge of the main absorption line was investigated. The comparison of these results with the experimental values that was obtain from the law temperature photoluminescence spectra is carried out.