Deep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions

Simple item page
dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage56
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage56
dc.contributor.affiliationDepartment of Sensor and Semiconductor Electronics, Ivan Franko National University of Lviv
dc.contributor.affiliationTarnanavskogo Str., 79017 Lviv, Ukraine
dc.contributor.affiliationluchechko@electronics.lnu.edu.ua
dc.contributor.authorLuchechko, A.
dc.contributor.authorVasyltsiv, V.
dc.contributor.authorKostyk, L.
dc.contributor.authorTsvetkova, O.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:41:50Z
dc.date.available2018-04-02T13:41:50Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent56
dc.format.pages1
dc.identifier.citationDeep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects).
dc.identifier.citationenDeep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 56. — (2 active media fundamentals: crystal structure and defects).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40167
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui and S. Yamakoshi, IEEE Electron Device Lett. 34 (2013)493-495.
dc.relation.referencesen[2] M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 013504.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titleDeep Levels in β-Ga2O3 Single Crystals Doped with Mg2+ Ions
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Luchechko_A-Deep_Levels_in_b_Ga2O3_Single_56.pdf
Size:
59.52 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Luchechko_A-Deep_Levels_in_b_Ga2O3_Single_56__COVER.png
Size:
1.21 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
2.93 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2017). – 2017 р.