Ефекти екранування в легованих кристалах
| dc.contributor.author | Буджак, Я. С. | |
| dc.date.accessioned | 2017-02-08T10:15:03Z | |
| dc.date.available | 2017-02-08T10:15:03Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.description.abstract | У роботі показано, що в сильно легованих кристалах існують ефекти екранування домішків носіями струму, які можуть енльно впливати на природу властивостей кристалів. Ці ефекти можна не враховувати в слабко легованих кристалах 3 цією метою в роботі обгрунтовані критерії слабкого та сильного легування. In a work was pointed out, that there are the screening effects of the doppants by charge carriers, which can have a great influence on the physical properties of crystals. These effects can be neglected in low dopped crystals. For that reason the criteria of low and high dopping have been grounded in this work. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Буджак Я. С. Ефекти екранування в легованих кристалах / Я. С. Буджак // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 112–117. – Бібліографія: 6 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35781 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Ефекти екранування в легованих кристалах | uk_UA |
| dc.title.alternative | The screening effects in the dopped crystals | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1