Електроніка. – 2004. – №513
Permanent URI for this collection
Browse
Recent Submissions
Item Титульний аркуш до до Вісника "Електроніка", № 513(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004)Item Зміст до Вісника "Електроніка", № 513(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004)Item Аналіз планарних граток з симетр1йними властивостями методом зв’язаних хвиль (МЗХ)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Фітьо, В. М.; Бобицький Я. В.Отримана система диференціальних рівнянь, що описує дифракцію світла при нормальному падінні на планарну гратку, у якій функціональна залежність проникливості від просторової координати симетрична Такий підхід дозволив перейти від обрізаної системи диференціальних рівнянь розмірністю 2N-1 до розмірності N без втрати точності розрахунків, але із суттєвим скороченням часу обчислень. Розроблено числово стійкий алгоритм розрахунку. На основі цих модифікованих рівнянь з врахуванням точних крайових умов проаналізовані властивості граткових поляризаторів, діелектричної гратки на діелектричній підкладці при резонансі зв’язаних хвиль, діелектричної гратки на металі під час повного поглинання. The differential equation system that describes light diffraction at the normal fall on a planar grating, which has the symmetric functional dependence of permittivity on a spatial coordinate, is deduced. The approach was allowed to pass from the truncated differential equation system of 2N-1 dimension to the N dimension without the exactness loss of computations, but with substantial reduce of computation time. The numerously stable algorithm of computation is developed. Based on the modified equations taking into account the exact initial conditions the properties of grating polarizers, dielectric grating on dielectric substrate at resonance of the coupled waves and dielectric grating on a metal at overall absorption are analysed.Item Електрон-фононна взаємодія у груповому формалізмі теорії збурень(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Товстюк, К. К.Формалізм подвійних перестановок для опису ряду теорії збурення електрон-електронної взаємодії, розвинутий у [1-3], дозволив записати загальний вигляд функції Гріна, використовуючи незвідні зображення перестановок - схеми Юнга-Ямануті. Ми продовжуємо розвивати формалізм ПП для електрон-фононної взаємодії у наближенні гамільтоніана Фреліха. Отримано загальний вигляд П-доданка теорії збурення, що описується асоційованими ПП. The formalism of double permutations (DP) for perturbation theory for electron-electron interaction has been developed un [1-3]. In this paper we further develop DP formalism for electron - phonon interaction in Frelih Hamiltonian approximation. The general expression for the П - term of perturbation theofy is obtained in terms of associated double permutations (ADP)Item Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської форми(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тиханський, М. В.; Тиханська, К. М.Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) та апроксимовані простими аналітичними функціями вольт-амперні характеристики ДТП при одноелектронному тунелюванні, проведено вдосконалення математичної моделі перехідних процесів у надшвидкодіючих елементах пам’яті - джозефсонівських кріотронах (ДК). Розраховувались перехідні характеристики кріотронів під час керування їхнім логічним станом за допомогою зовнішніх імпульсів струму гауссівської форми. Проведено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” ^ “1” та “1” ^ “0”. Досліджено як впливають на перехідні характеристики кріотронів амплітуда імпульсів, середня тривалість імпульсів та момент подачі імпульсів при зворотних логічних переходах “1” ^ “0”. In the paper a mathematical model of transitional processes in extra-quick memory cells-josephson criotrons (JC) - was improved using josephson tunneling junction (JTJ) equivalent scheme and I-V characteristics of JTJ approximated by simple analytical functions in the case of one-electron tunneling. For criotrons’ logical state control by external Gauss- form current impulses their transitional characteristics were calculated. We carried out the simulating of transitional processes and obtained transitional characteristics for logical transitions “0” ^ “1” and “1” ^ “0”. The influence of impulses’ amplitude, impulses’ mean duration and the moment of impulses’ supply in the case of reverse logical transitions “1” ^ “0” on transitional characteristics was investigated.Item Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ями(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.Розраховані електронні енергетичні спектри алмазу за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціалу атома у прямому просторі. , що враховує скінченність Кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра в, що визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору величини в для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обгрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини. The electronic energy band spectra of diamond have been calculated by means of analytical approximant of the total atomic potential in a direct space. A latter is represented in a form, accounting a finite limit of a Coulomb well in a vicinity of atomic nuclear. The depth of Coulomb well depends only of a unique parameter в. The band energies have been evaluated in a wide range of it. The approximate criteria for choice of в for different atoms has been derived. The Hamiltonian matrix has been calculated within the mixed basis of one-particle states, consisting of core Bloch sums and plane waves. On base of obtained results is made an assumption, concerning the reasons of considerable dispersion of calculated band energies with different pseudopotentials, derived in the density functional theory.Item Модель міжатомних взаємодій у вольфраматі кальцію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сенишин, А. Т.; Яковина, В. С.; Полигач, Є. О.Розраховано параметри потенціалів міжатомних взаємодій у кристалі вольфрамату кальцію. На основі експериментальних пружних постійних кристала побудована квазігармонійна модель Дебая. Проведені розрахунки динаміки гратки вольфрамату кальцію на основі квазігармонійного наближення та статичної мінімізації енергії з використанням програмного коду GULP. При високих температурах гармонійні властивості вольфрамату кальцію не зовсім коректно описуються відповідними інтерполяційними формулами в моделі Дебая внаслідок врахування впливу тільки акустичних фононів. У межах моделі міжатомних взаємодій розраховано структурні та пружні параметри, модуль Юнга, статичний коефіцієнт заломлення, температуру Дебая, фононну густину станів, теплоємність та параметр Грюнайзена. Спостерігалось добре узгодження експериментальних та розрахованих властивостей. The interatomic interactions have been derived for the case of calcium tungstate. With this potential the quasiharmonic Debye model has been constructed based on elastic properties of the crystal. The lattice dynamics simulations based on quasiharmonic approximation and static lattice energy minimisation have been performed using the code GULP. At elevated temperatures, due to including acoustic phonons only the Debye model is not appropriate way for describing the harmonic properties of crystal. Considering structural and elastic properties, Young modulus, static refractive coefficient, Debye temperature, phonon density of states, heat capacity and Grüneisen parameter the good agreement between experimentally observed and calculated physical properties has been detected.Item Ефект Брюстера в спектрах відбиття Фабрі-Перо(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Моргуліс, А.Описані особливості кутових закономірностей спектрів резонансного відбиття світла від тришарових структур типу прозора плівка Фабрі-Перо на поверхні резонансно поглинаючої підкладки. Показано, що для частот світла в області поздовжньо- поперечного розщеплення за умови фазової компенсації можлива інверсія за поляризацією ефекту Брюстера. The paper is devoted to theoretical modeling the angular regularities of amplitude spectra of light reflection from films deposited on the surface of resonant absorptive substrates. It was shown that inversion of Brewster effect by polarization is caused by Fabry- Perot interference and realized for light frequency in the region of transverse-longitudinal splitting when condition of phase compensation is valid.Item Фототепловий метод вимірювання характеристик матеріалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Демкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Бобицький, Я. В.Розроблено фототепловий метод вимірювання характеристик конструкційних та оптичних матеріалів, а саме, теплоємності, теплопровідності, коефіцієнта теплового лінійного розширення. Метод базується на реєстрації фотостимульованих змін, які виникають у зразку під дією потужного лазерного пучка з відомим просторово-часовим розподілом енергії випромінювання, зокрема, теплових полів та полів деформацій на поверхні зразка. Для реєстрації цих полів використані методи лазерної та електронної кореляційної спекл-інтерферометрії. Для розрахунку невідомих характеристик за експериментально зареєстрованими розподілами температур та поверхневих деформацій розроблена математична модель та відповідне програмне забезпечення. The measurement photothermal method of parameters of construction and optical materials, namely, heat capacity, heat conductivity, thermal linear expansion coefficient is developed. The method is based on registration of the photostimulative changes, which appear in a sample under influence of powerful laser beam with the given spatio-temporal distribution of radiation energy, in particular, thermal fields and deformation fields on the sample surface. The methods of laser and electronic correlation specl-interferometry are used for registration of these fields. For computation of unknown parameters using the experimental registered distribution of temperatures and surface deformations a mathematical model and corresponding software is developed.Item Методика вивчення просторової анізотропії акустооптичного ефекту на прикладі кристалів бета борату барію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Андрущак, А. С.; Бобицький, Я. В.; Кайдан, M. B.; Кітик, А. В.; Тибінка, Б. В.Запропоновано методику вивчення просторової анізотропії акустооптичних параметрів. Для ефективної пружнооптичної постійної pef та коефіцієнта акустооптичної якості М2 на прикладі кристалів Р-ВаВ2С>4 записані співвідношення та побудовані вказівні поверхні для випадку ізотропної та анізотропної дифракцій світла на поздовжній акустичній хвилі. Проаналізовано просторову анізотропію відповідного акустооптичного ефекту для кристалів Р-ВаВ2С>4. Spatial anisotropy study method for acoustooptical parameters are proposed. For effective elastooptical constants pef and figure of merit M2 for example of crystals P-BaB204 the equations were written and the indicative surfaces were constructed for case of isotropic and anisotropic diffraction of light with longitudinal acoustic wave. The spatial anisotropy analysis for such acoustooptical effect in crystals P-BaB204 was carried out.Item Оптичні властивості ферогранатових епітаксійних структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ющук, С. І.; Юр ’єв, С. О.; Бондар, В. І.; Ніколайчук, В. Й.; Харамбура, С. Б.Досліджено оптичні спектри пропускання епітаксійних структур залізо-ітрієвого та залізо-галій-ітрієвого гранатів. Отримано залежності коефіцієнтів поглинання від довжини світлової хвилі у видимій і близькій інфрачервоній областях На основі аналізу і обробки інтерференційних картин розраховано показники заломлення ферогранатових плівок і підкладок з галій-гадолінієвого гранату в широкому інтервалі довжин хвиль та товщини плівок.Item Потенціальний профіль квантової ями ZnSe у гетероструктурі ZNSE/ZNS В залежності від концентрації електронів провідності(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Романів, І. Б.У межах електрон-деформаційної моделі досліджено вплив концентрації носіїв струму на форму потенціальної ями ZnSe у напруженій гетероструктурі ZnSe/ZnS, в якій неузгодженість параметрів граток двох контактуючих епітаксіальних шарів становить ~ 4%. Показано, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до виникнення поблизу межі розділу епітаксіальних шарів локальних електрон-деформаційних ям і бар’єрів, глибина і висота яких залежить від концентрації електронів провідності Встановлено, що зі збільшенням концентрації електронів провідності 10і7—10і9 слГ3, глибина цих ям та висота бар’єрів зростає на~6%. It was investigated that within the frame of the electron-deformation model the influence of concentrating of carries on the shape of a potential well ZnSe in a strained heterostructure ZnSe/ZnS with lattice mismatch in the epitaxial layers makes ~ 4%. Electron - deformation interaction are represented that in the vicinity of the heterocontact arise local electron- deformation wells and barries which depth and height depends on the conduction electron concentration. It was established that depth of these wells and height of these barriers is incremented on 6% with increasing conduction electron concentration from 1017 to 1019 cm3.Item Фотопровідність CdTe, легованого алюмінієм(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Пігур, О. М.; Цюцюра, Д. І.; Британ, В. Б.; Шуптар, Д. Д.; Крилюк, С. Г.Проведено дослідження фотопровідності і фотолюмінесценції CdTe:Al, вирощеного методом сублімації. Проаналізовано процес рекомбінації носіїв заряду в залежності від температури. Із вимірювань фотолюмінесценції при 5 К отримано спектр домішок і дефектів за участю А1. Відмічено особливості фотопровідності CdTe:Al, пов’язані з величиною і напрямком електричного поля. The researches of photoconductivity and photoluminescence of CdTe:Al, brought up by a method of sublimation are carried out. The process of recombination of carriers of a charge in depending un temperature is analysed. A spectrum of impurity and defects with participation of A1 is received from measurements of photoluminescence at 5 K. The special features of photoconductivity of CdTe:Al, connected with size and direction of an electrical field, are marhed.Item Непружне розсіювання електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки в твердому розчині(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Малик, О. П.Запропонована модель непружного розсіяння електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки, в якій ймовірність розсіяння не залежить від макроскопічного параметра - діелектричної проникності кристала. Розглянута модель дає добре узгодження між теорією та експериментом в інтервалі температур 120 - 300 К. A model of inelastic electron scattering on the polar optical vibrations of the crystal lattice is proposed in which the scattering probability does not depend on macroscopic parameter, the crystal permittivity. The reviewed model yields the good agreement between the theory and experiment in temperature range 120 - 300 K.Item Домішково-вакансійні агрегати в легованих кристалах флюоритів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Качан, С. І.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.; Дубельт, С. П.У межах моделі точково-іонної взаємодії проведені розрахунки енергії зв’язку, термодисоціації та реорієнтації аніонних вакансій у лінійних домішково-вакансійних асоціатах типу (nD), (nD)Va+, (nD)Me+ і (nD)O2' (де D-домішково-вакансійний диполь, Va+ - аніонна вакансія, Ме+ - іон лужного металу, п=1,2,3...). Показано, що в кристалах легованих флюоритів енергія реорієнтації домішково-вакансійних асоціатів (ДВА) більша за енергію реорієнтації домішково-вакансійних диполів (ДВД) на величину порядку 0,10-0,20 еВ. Термодисоціація ДВА зумовлює виникнення на термограмах струмів термостимульованої деполяризації (ТСД) трьох серій максимумів: з енергією активації (0,75+0,85) еВ і (0,85+1,0) еВ , що викликані термодисоціацією (nD)Va+ і (nD) асоціатів відповідно, та (1,2+1,5) еВ, зумовлених термодисоціацією (nD)Me+ чи (nD)O2' асоціатів. Результати теоретичних розрахунків якісно збігаються з результатами досліджень струмів ТСД в кристалах, легованих лужними металами і киснем. Within the framework of the point-ion interaction model the calculations of energy of connection, thermo-dissociation and ion-vacancy reorientation in linear impurity-vacantion associats type of (nD), (nD)Va+, (nD)Me+ and (nD)O2 (where D-stands for the impurity- vacantion dipole, Va+-anion vacantion, Me+-alkali-metal-ion, n=l,2,3...) are conducted. Is shown, that in doped fluorides crystals the energy of reorientation of impurity-vacantion associats (1VA) is approximately 0,10-0,20 eV more than the energy of reorientation of impurity-vacantion dipoles (1VD). The thermodissociation (1VA) on the thermograms of the (TSD)-currents causes three maximum serieses with the energy of activation equal (0,75-0,85) eV and (0,85-l,0)eV, wich are caused by thermodissociation of (nD)Va+ and (nD) associats correspondingly, and (1,2+1,5) eV, caused by thermodissociation of (nD)Me+ or (nD)O2' associats. The results of theoretical calculations roughly coincide with the results of research of (TSD)-currents in the crystals, doped by alkali metals and oxygen.Item Низькотемпературні характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п’єзорезистивних сенсорів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.Досліджувались характеристики ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу, закріплених на пружних елементах з інвару, в широкому діапазоні деформацій ^0-=-±1,26x103 відн. од. і температур 4,2-КЗОО К з різною концентрацією бору: сильно-леговані кристали з металевою провідністю; поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) з металевого боку; поблизу ПМД з діелектричного боку. В НК Si поблизу ПМД при гелієвих температурах спостерігався значний некласичний п’єзоопір. Отримані характеристики НК Si, закріплених на пружних елементах, дозволяють прогнозувати параметри п’єзорезистивних сенсорів механічних величин, створених на їх основі, для низьких температур. Characteristics of p-type silicon whiskers with different boron doping: heavily doped crystals with metallic conductivity; in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) from the metallic side and in the vicinity of MIT from the insulating side, mounted on the invar spring elements were studied in the wide range of strains ^0-=-±1.26xl03 rel. un. and temperatures 4.2-K300 K. In Si whiskers in the vicinity of MIT the great non-classic piezoresistance at helium temperatures was observed. Obtained characteristics of Si whiskers mounted on the spring elements allowed to forecast the performance of piezoresistive mechanical sensors created on their basis, operating at low temperatures.Item Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.Item Ефекти екранування в легованих кристалах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Буджак, Я. С.У роботі показано, що в сильно легованих кристалах існують ефекти екранування домішків носіями струму, які можуть енльно впливати на природу властивостей кристалів. Ці ефекти можна не враховувати в слабко легованих кристалах 3 цією метою в роботі обгрунтовані критерії слабкого та сильного легування. In a work was pointed out, that there are the screening effects of the doppants by charge carriers, which can have a great influence on the physical properties of crystals. These effects can be neglected in low dopped crystals. For that reason the criteria of low and high dopping have been grounded in this work.Item Про домішково-дефектні стани В CdxZnlxTe, вирощених у різних умовах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Британ, В. Б.; Цюцюра, Д. І.; Пігур, О. М.; Ковачьчук, І. В.; Денис, Р. В.; Кричюк, С. Г.Проведені дослідження, пов’язані з технологією вирощування CdxZni_xTe, та аналіз домішково-дефектного стану кристалів CdxZni_xTe, вирощених методом сублімації у вакуумі, у водні із шихти, синтезованої у водні, а також у вакуумі із шихти, синтезованої у водні. За спектрами фотолюмінісценції, отриманих при 5 К найменш дефектними виявились кристали CdxZni_xTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні. The paper deals with the investigation of CdxZni_xTe growth technology and analysis of a impurity and defective condition of crystals CdxZni_xTe brought up by a method of sublimation in vacuum, at hydrogen from charge, synthesized in hydrogen and in vacuum from charge synthesized in hydrogen is carried out. The crystals CdvZni_vTe, brought up from charge, synthesized in hydrogen are the less defective behind the spectrum of photoluminescence received at 5 K least defective have appeared.Item Вплив електронної підсистеми на енергетичне положення локалізованих рівнів на крайовій дислокації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.У межах однозонної моделі з врахуванням самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії досліджено вплив концентрації електронів провідності на енергію локалізованого стану електрона на крайовій дислокації. Показано, що у слаболегованих напівпровідниках ( < 1017слГ3 j з ростом концентрації електронів провідності дно зони провідності зсувається в бік менших енергій, а в сильнолегованих (7 <п0 <1019ои_3 j енергетичний зсув дна зони провідності має немонотонний характер. In the frames of single zone model including interchangeable electron-differential interaction, the influence of electron resistance concentration on the energy of electron localized stage is researched on the edged dislocations. It in shown, that in the little resistance electron concentration semiconductors with its growth of electron resistance concentration ( < 1017 cm“3 ) the bottom of resistance zone moves to the side of less energies, and in the large resistance electron concentration semiconductors (17 < щ <1019слГ3j, the energetic movement of the bottom of resistance zone has unmonotonous character.