Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures
Loading...
Files
Date
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
This paper proposed an original approach to the analysis of the threshold voltage metal-oxidesemiconductor structures based on local three-dimensional SOI-structures.
Description
Citation
Kogut І. Т. Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures / І. Т. Kogut, V. M. Scherbyak // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 360. – Bibliography: 3 titles.