Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures
No Thumbnail Available
Files
Date
2010
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
This paper proposed an original approach to the analysis of the threshold voltage metal-oxidesemiconductor structures based on local three-dimensional SOI-structures.
Description
Keywords
SOI MOS-transistor, threshold voltage, three-dimensional SOI-structure, П-shaped profile gate, cylinder shaped gate
Citation
Kogut І. Т. Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures / І. Т. Kogut, V. M. Scherbyak // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 360. – Bibliography: 3 titles.