Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures

Loading...
Thumbnail Image

Date

2010

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Львівської політехніки

Abstract

This paper proposed an original approach to the analysis of the threshold voltage metal-oxidesemiconductor structures based on local three-dimensional SOI-structures.

Description

Keywords

SOI MOS-transistor, threshold voltage, three-dimensional SOI-structure, П-shaped profile gate, cylinder shaped gate

Citation

Kogut І. Т. Modeling of threshold voltage in three-dimensional SOI-structures / І. Т. Kogut, V. M. Scherbyak // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 360. – Bibliography: 3 titles.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By